７７Ｋのときの真性キャリア密度

半導体フォトダイオードの特性について研究しています。シリコンの液体窒素温度７７Ｋのときのｎiを教えてください。

No.1 ベストアンサー 回答者： kuniuni 回答日時： 2001/11/09 09:19

半導体中のキャリア密度は、状態密度と分布関数から計算でもとまります。

半導体工学関係の教科書にはのっていると思います。

伝導帯中の電子と価電子帯中の正孔の実効質量が等しいすると、フェルミ準位は温度に関係なく禁制帯の真中にくるので、温度Tの時
ni = 2×(2×π×m×ｋ×Ｔ/h^2)^(3/2)×exp(-Eg/2/k/T)
Eg:禁制帯幅
k:ボルツマン定数

と、求まります。計算してみてください。
補足が必要な場合は、お知らせください。