半導体の特性について

解決済

質問者：akuirejia
質問日時：2006/01/08 00:03
回答数：1件

半導体素子の特性について、SiやGeによって差異があるものなのでしょうか？

通報する

この質問への回答は締め切られました。

質問の本文を隠す

回答 (1件)

ベストアンサー優先
最新から表示
回答順に表示

No.1ベストアンサー

回答者： Piazzolla
回答日時：2006/01/08 01:35

あります。

シリコンダイオードとゲルマニウムダイオードの違いを簡単に言いますと、
Geダイオードは、順方向電圧が0.1V程度と小さく、微弱な信号を扱う回路に用いられます。
一方、Siダイオードは順方向電圧が0.7V程度とGeダイオードよりも大きく、小さな信号には適さない反面、逆方向耐圧や温度特性、その他、多くの点で優れた特性を持っています。

そもそも半導体自体の性質では、GeとSiでは、次のような違いがあります。

エネルギーギャップ
Ge　0.67
Si　1.11

密度[g/cm3]
Ge　5.32
Si　2.33

真性キャリア濃度[cm-3]
Ge　2.4×10^13
Si　1.45×10^10

移動度[cm2/Vsec]
Ge　電子　3900
　　正孔　1900
Si　電子　1350
　　正孔　480

誘電率
Ge　16.3
Si　11.7

融点[℃]
Ge　937
Si　1415

比熱[J/g℃]
Ge　0.31
Si　0.7

熱伝導率[W/cm℃]
Ge　0.6
Si　1.5

など。。。
このように元々の物質としての重要な性質が異なるため、電子部品でもその影響は異なることになります。

ダイオードなどの電子部品としての電気的特性の違いなどは、規格表で調べるといいです。

参考URL：http://bookweb.kinokuniya.co.jp/htm/4789844528.h …