No.3ベストアンサー
- 回答日時:
規格表に載っているグラフは代表的なサンプルの特性です。
同じコレクタ電流が同じならばhパラメータが同じと言うわけではありません。
自分の使っているトランジスタのhパラメータがいくつかと言うことは測定しなければ分かりません。
hfeについては規格表に最大、最小が書いてあるでしょうが、この範囲でばらつくと言うこと、hfeが200のものも有れば700のものもあるということです。
その他のパラメータについてはばらつきの範囲を書いてあることはまれなので代表値から推測することになります。
正確な値が必要な場合は実物を測定する必要があります。(そこまでやる人は余りいません。)
回路設計については、例えばゲインを20dB±3dBにする必要があるとした場合、
hfeが200でも700でもゲインがこの範囲になるようにするのです。
ただし、hfeがこんなにバラついいては不可能かもしれません。
半導体メーカーではhfeについてはおよそ2倍の範囲になるようランク分けをしていますので
ランクを指定する(例えば200~400)ことによりゲインのばらつきを少なくすることが出来ます。
差動増幅器のコレクタ電流についてはhfeの影響は余り受けません。
回路構成によりおよそ決まってしまいます。というよりはhfeの影響を受けにくいような回路にします。
hfeの影響が大きいのは入力バイアス電流です。
No.2
- 回答日時:
東芝サイトにグラフが載ってます pdfです 参考URLの hパラメーター-Ic図
大抵このように参考としてグラフが載っている事が多いです hie hoe hre が纏めて載ってます
但し条件が広くはありませんので希望の条件に適うか解りません 参考にはなるでしょう
保障されませんが参考のグラフです 何も無ければ困ってしまいますので 普通はこのように他のパラメーターも載る事が多いです
例えばft-Icとか hfe-Icとか 電流電圧によってどのように変化するかが解ります
参考URL:http://www.ne.jp/asahi/evo/amp/device/2SC3381.pdf
No.1
- 回答日時:
hパラメータの定義に従って測定する必要があります。
普通はいちいち測定しないでデータシートから読み取れば良いでしょう。
平均を取るのではなく、ばらつきの最大最小の範囲で回路の性能が満足するように設計します。
全てのパラメータのばらつきを考えると設計条件がシビアすぎるときはパラメータの相関や分布を考えて統計的な処理で必要な範囲を決めます。
例えばhfeを測定して選別すれば、他の条件を緩める事が出来ます。
この回答へのお礼
お礼日時:2006/12/04 00:24
回答ありがとうございます。
重ねての質問になりますが、回路の性能が満足するように設計するというのは、No.2さんの参考URLのグラフから、自分の組んだ回路のコレクタ電流を測定し、それに合わせてhパラメータを読み取るのでしょうか?
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