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P(リン)を1×10^17cm^-3ドープしたn型Siについて全てのPイオン化しているとき室温における少数キャリア密度を求めよ。

(少数キャリア密度の2乗)ni^2=N_c*N_vexp(-E_g/K_BT)
ですが式の中のE_gの値がわかりません
どうやって出せばいいのですか?

A 回答 (4件)

理屈でE_g、すなわちバンドギャップの大きさを出そうと思ったらバンド計算しなければならず、プロでなければまず無理です。

普通はそんな事しないで、教科書等に載っている文献値を使います。Siのバンドギャップは約1.1eVです。

この回答への補足

これの電子密度はいくらになるんでしょうか?

補足日時:2002/06/30 23:42
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> n=1*10^17なんですか?


ドープしたリンが全てイオン化したということですから、リンの原子数だけキャリア(電子)が発生するとしていいと思います。
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Eg=1.12eV、k=8.62e-5eV/K、T=300Kとして、


ni^2=2.907e38 exp(-1.12/8.62e-5/300)=4.51e19
p=ni^2/n=4.51e2

だいぶ近づいたでしょうか。
でもよっとした端数でケタでかわりそうですね。

この回答への補足

n=1*10^17なんですか?
そしたら答えになるんですが…

補足日時:2002/07/01 14:41
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np=ni^2より


p=ni^2/n=2×10^3
(ni^2=2×10^20として)
では?

この回答への補足

答えは4.62×10^2cm^-3なんです;;
ちなみにN_c×N_vは2.907×10^38です

補足日時:2002/07/01 00:22
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