シリコンの温度依存性

シリコンの抵抗率、キャリア濃度、ホール移動度の温度依存性
について教えてください。
よろしくおねがいします。

No.1 ベストアンサー 回答者： saikoro 回答日時： 2002/06/30 23:53

あまり詳しくないのですが、

これらは不純物濃度によって大きく変わります。
真性半導体の場合は、大体以下のようになります。
キャリア濃度：T^(3/2)exp(-Eg/kT)に比例
移動度：T^(-3/2)に比例
導電率：キャリア濃度×移動度に比例（抵抗率は導電率の逆数）

繰り返しますが、不純物濃度には注意してください。
抵抗温度特性が正から負にかわる場合もあります。

詳しくは半導体の物性の本を読むことを進めます。
またどちらかというとカテゴリは化学より物理が回答をもらいやすいかと思います。