ＦＥＴの小信号動作における相互コンダクタンスについて

ＦＥＴの小信号動作における相互コンダクタンスについて分かりません。
分かる方おられましたらよろしくお願いします。
またそれに関わる、内部抵抗、電圧増幅率についてもおねがいします。

No.1 回答者： myeyesonly 回答日時： 2001/01/25 18:32

相互コンダクタンスとは、gm と表記され、ゲート電圧を１Ｖ変化させた時のドレイン電流の変化量です。

単位はΩをひっくり返したモー（記号が出ないので）という単位を使います。実用上は大きすぎるので、ミリモーや、マイクロモーが使われます。
通常、数百マイクロモー～数万マイクロモー（数十ミリモー）程度でしょう。

内部抵抗は、ドレイン抵抗ともいわれ、rd と表記し、ゲート電圧固定で、ドレインーソース間を抵抗に見立てて、ドレイン電流を１Ａ変化させた時のドレイン電圧の変化量です。単位はΩで、実用上は普通の五極管特性のＦＥＴで数ＭΩ、三極管特性のＶ－ＦＥＴで数十～数百ＫΩ程度です。

電圧増幅率は、μ と表記され、無限大負荷抵抗をつないだときのドレイン電圧変化分をゲート電圧変化分で割った物です。単位はなく、無名数といいますが、強いて着けるなら「倍」でしょう。五極管特性ＦＥＴで数百～数千、三極管特性ＦＥＴで数十～数百位です。

この３定数の間には、μ＝ｇｍ×ｒｄ　の関係があります。

また、五極管特性のＦＥＴでは、ソース接地では、動作電流時のｇｍ×ドレイン負荷抵抗　で、その回路のおよその電圧増幅率が計算できます。

この回答へのお礼

わかりやすく書いていただき助かりました。
すごく参考になります。どうもありがとうございました。

お礼日時：2001/01/25 21:07