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トランジスタ技術2006年7月号の「実験で学ぶトランジスタ回路設計」という特集です。
部品を買ったままほったらかしにしていたので、今になって再開しました。
http://www.cqpub.co.jp/toragi/TRBN/contents/2006 …
http://www.cqpub.co.jp/toragi/TRBN/contents/2006 …
↑の図5-1のQ5のベースにある抵抗R16は何のためにあるのでしょうか?
記事中にはR16に関する説明がなく、気になっています。

A 回答 (2件)

こんにちは。


ベースバイアス電圧を作る為のダイオードD1,2は合計でPN接合が二つになります。
それに対して、Q5のベース回路はPN接合一つですから、そのままでは、電流は主にQ5のベース回路に流れてしまい、ベースバイアス電圧はQ5のベースーエミッタ-間のPN接合で決まってしまい、D1,2が機能しません。
その為にベース回路のインピーダンスを上げて、電流がD1,2側を流れてバイアス電圧を発生させる為のものです。

ベースバイアス電流自体はマイクロアンペアの単位で十分な事が多いですので、バイアス電源の出力インピーダンスが高い(取り出せる電流が少ない)時などによく用いられる手法です。

この回答への補足

回答ありがとうございます。
Q5のベースに抵抗があってQ4のベースには無い理由は何なのでしょうか?
Q4のベースはバイアス回路から見たインピーダンスが十分に高く、抵抗を入れる必要が無いということですか?

補足日時:2008/01/29 21:02
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お呼びですね。


結論から言えばおっしゃるとおりになります。
そうなる原因は両方のトランジスタのエミッタの抵抗をみてください。
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この回答へのお礼

ありがとうございます。非常に助かりました。

お礼日時:2008/01/31 21:33

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