半導体のシリコン基盤について

感想酸素中でのシリコン基盤の酸化速度定数が２×10＾-2（μｍ＾2/ｈｒ）である時、0.1μｍの酸化膜を形成するのに要する時間と、同一温度でさらに1.5時間参加した時の参加膜厚を求めたいんですけれど、自分の回答では
　　ｔ＝（0.1μｍ）＾２/（2×10＾-2μｍ＾2/hr）＝0.5ｈｒ
　　厚さXo＝（（2×10＾-2μｍ＾2/hr）×（1.5+0.5）hr）＾0.5＝0.2μｍ
と回答したのですけど、合っているのでしょうか？

No.1 ベストアンサー 回答者： kuniuni 回答日時： 2002/11/28 10:14

熱酸化の機構は、Deal-Groveの式で説明できるので、酸化膜厚をx 、酸化時間をtとすると、

x^2+Ax=B(t+τ)
AとBは、温度、酸化雰囲気、酸化面方位などできまる定数、τは酸化初期の速い酸化に対する時間補正項です。
酸化初期( t<<A/(4B) )の時、SiO2形成反応律速で、
x≒B / (A(t+τ))
酸化後期( t>>A/(4B) , t>>τ )では、SiO2内へのOやOHの拡散律速になっているので、　
　x^2≒Bt
となります。

ご質問の条件では、酸化後期の反応のようなので、単位（秒、分、時間、ｍ、μｍ、ｎｍなど）が間違っていないのならば、問題ないです。

この回答へのお礼

詳しい解説付きで、ありがとうございます。また、何かありましたらよろしくお願いします。

お礼日時：2002/11/29 11:18