No.1ベストアンサー
- 回答日時:
半導体には微細なパターンにより形成されています。
この微細なパターンをどのように形成するかですが、
まずそのパターンの元になる図面の形が必要です。
その図面の形をマスクとよばれるものに書きます。
このマスクは半導体より数倍から数十倍の大きさであり
このマスク上にパターンを露光装置により半導体に転写します。
さてこの転写の意味ですが、 マスクを通して光を当てると
その影が半導体の上の縮小投射されその投射された形が
半導体の上に残ります。 これが転写です。
この装置をステッパーと言います。
工程の基本的手順は
1)半導体にレジストと呼ばれる光感光性の薬品を膜状につける
2)露光で、マスク内のパターンの影を半導体に転写する。
3)現像にて半導体上に掲載されたレジスト上のパターンを
あぶりだす。
4)あぶりだされたレジストの形状をもとに半導体をエッチングする。
(侵食作用を利用して半導体の Si/SiO2を削る.
5) 1~4を繰り返して 何層ものパターンを半導体上に形成して
トランジスターを形成する。
No.2
- 回答日時:
こんばんは。
一応、その関係の元・開発技術者です。
トランジスタを構成する材料自体に光を当てても、パターンをかたどることはできません。
何かの材料のパターンを作るには・・・
1.
まず、ウエハー一面に、その材料の膜を積もらせる。(CVDなどによる薄膜形成)
2.
次に、ウエハー一面に感光材料(レジスト)を塗布して上記の膜を覆い、加熱して固めます。
(「塗布」とは言っても、塗るわけではなく、たらしてからウエハーをスピンさせることによって、厚さを均一にします。)
3.
マスクを通して、光を当てる。
これによって、マスクの透明部分だけを光が通り、その光が当たった部分のレジストだけが感光する。
4.
ウエハーを現像液に浸ける。(あるいは、現像液を上からかける。)
すると、レジストの、感光した部分だけが溶ける。(ポジのレジストの場合。)
5.
真空のプラズマ装置の中にウエハーを入れ、プラズマエッチングする。
(レジストが乗っている部分以外のところの材料が彫られて、無くなる。)
6.
有機溶媒にウエハーを浸けて、レジストを除去する。
(あるいは、プラズマアッシャーを使って、燃やして除去する。)
・・・という手順になります。
パターンを作るだけでなく、イオン注入したい場所と注入したくない場所を区別するのにも、同様に露光技術が用いられます。
つまり、現像後、レジストのない部分だけにイオン注入がされるということです。
なお、
NECエレクトロニクスのサイトに、素晴らしい説明がありますので、
ぜひご覧になってみてください。
http://www.necel.com/technology/ja/index.html
以上、ご参考になりましたら。
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