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EDXなどの半導体検出器を考えるとき、電子-正孔ペアのキャリアの
生成エネルギーは何で決まるのでしょうか?
Siのバンドギャップは1.2eVほどですが、電子-正孔ペアの生成エネルギー
は3.6eV程度だったと思いますが、これは、なぜでしょうか?

A 回答 (2件)

経験則として、ばんどギャップの3倍と言われています。


直接遷移でもこれはなりたつと思いますので、
Siが間接遷移のためじゃないと思います。

ようするに入ったエネルギーが100%電子励起に費やされる
わけではないということでは。むしろ、電子励起に費やされる
分が少ないということでは。
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この回答へのお礼

なるほど、入射エネルギーが100%電子励起に費やされるわけ
ではないのですね。
なにか,よい参考文献はございますでしょうか?

お礼日時:2009/12/08 09:56

シリコンが間接遷移型の半導体だからじゃないでしょうか。

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