スピン分極する核の数は印加する外部電界により変わる(スピン分極した核の

スピン分極する核の数は印加する外部電界により変わる(スピン分極した核の数∝電界)らしいのですが、
そのメカニズムがわかりません。
ご存知の方いらっしゃいましたらご教示ください。
よろしくお願いいたします。

No.1 回答者： doc_sunday 回答日時： 2010/10/03 10:37

お答えが付かないのは、何の分野の、どの装置に関する領域か説明しないからです。

あなたは誰(大学生、大学院生、教育者、研究者、…)で、今何が知りたいのですか？

この回答への補足

情報不足だったようで申し訳ありませんでした。
現在スピントロニクス関係の研究室に所属している大学院生(M2)です。
とある論文(p-GaAsへのスピン注入)を読んでいて、そこでのhyperfine interactionはバイアスに比例すると書いてありました。
これはhyperfine interactionがバイアスの電界に比例するか、注入される電子の量に比例するかのどちらかだと思ったのですが、どちらにせよ、それらのメカニズムが分からなかったので質問させていただきました。
まだ何か不足なことがあればご指摘願います。

補足日時：2010/10/03 11:33