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(半導体材料の改善)半導体内部の格子構造の欠陥や、半導体表面の未結合手(ダングリングボンド)の存在は、再結合中心を形成させ、効率低下の原因になります。
従って、単結晶Siでは、結晶の成長条件やドーパント濃度の最適化によって、結晶性を向上させることが挙げられます。また、a-Siのように表面ダングリングボンド密度の高い材料では、表面の水素化処理で未結合手を水素原子で終端して、表面再結合準位密度を低減することが行われています。(構造の改善)セルの積層構造化が挙げられます。バンドギャップの異なる太陽電池セルを積層構造化して、より広範囲の周波数の光を吸収するものです。
(集光の改善)レンズなどを用いた集光装置で、セル部分に集光を行います。また、表面の反射損失を減らすため、コルゲーションを設け、反射で逃げていく光を減らす試みもなされております。さらには、自動的に太陽を追尾する装置を設けたシステムも考えられます。
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