インピーダンス測定による誘電率算出方法

当方，この分野に入りたての素人です。

とある未知の半導体粒子のドナー密度をMott-Schottkyプロットから求めたいのですが，未知試料の誘電率が分かりません。それでインピーダンス測定から得られるキャパシタンスから算出しようと考えているのですが，その時の測定条件としては印加電位0Vの値を用いればよいでしょうか？

また，その0Vにおいて抵抗値が大きすぎるなどでインピーダンスが発散して解析可能な半円が観測できない可能性があるのですが，その場合0Vのキャパシタンス値としてMott-Shottkyプロットで得られた直線の外層値を用いても良いでしょうか？

もし以上の方法で誘電率が求められない場合，他に簡易的に誘電率を求める方法があればご教授くだされば幸いです。

因みにドナー密度算出に用いる誘電率の値はバルクの値でなければならないでしょうか？未知試料は粒子堆積膜なのでバルクの値と大きく違うと予想されるので，その薄膜試料から得られた値を用いて算出した値に意義や妥当性があるのかを知りたいです。

No.1 回答者： i_am_a_god 回答日時： 2014/08/10 20:24

Cole-Coleプロットとかは試してみないの？

この回答へのお礼

返信ありがとうございます。

私が今試行しているのはCole-Coleプロットの半円からキャパシタンスを算出しようとしている方法なのですが、スペクトルが発散してしまって半円成分として現れないため等価回路による解析が正確に出来ないという状況です。

お礼日時：2014/08/11 16:57