化合物半導体のフェルミ準位について

真性半導体においてフェルミレベルがバンドギャップの中心にくる事は理解できたのですが、化合物半導体において同様の事を考えてみると当てはまらない事に気付きました。GaAsなどではn型不純物をドープしていないにもかかわらず、伝導体に近い位置にフェルミレベルが存在します。
理由のわかる方、よろしくお願いします。

No.1 回答者： ohkami 回答日時： 2004/06/07 22:17

学生の時やったんだけど忘れたかなあ

それぞれの半導体によってバンドギャップの幅が違うのは判りますよねえ
シリコン(Si)で1.11ev
ガリウム砒素(GaAs)で1.43ev
セレン化亜鉛(ZnSe)で2.67ev
電子の数も違いますよねえ
当然それぞれフェルミレベルも違ってくると思ったんですが

”ガリウムヒ素　フェルミ”で検索かけると
それらしい話が出てきてましたが参考になるかな

この回答へのお礼

回答ありがとうございました。
専門家に聞いたところ、化合物半導体系は、各種の欠陥が入りやすくそれによってドナー準位が出来るんだそうです。

お礼日時：2004/06/08 23:37