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半導体工学の分野において、Siを酸化させる方法として、ドライ酸化法というものがありますが、この方法の長所と短所はどういうものなのでしょうか?

A 回答 (1件)

こんにちわ。



ウェット式と比べるのが良いと思います。

まずウェット式は水蒸気を流して酸化させます。
酸化膜の成長スピードは早いのですが、膜中に水素が取り込まれてしまいます。
水素はキャリアの活性に影響するのでデバイスを製作するときにはあまり好ましくありません。

ドライ式は酸素を流しながら行います。
酸化膜の成長速度は遅いです。
が、デバイスを作るときは酸化膜圧はシビヤにコントロールしたいのでこっちを使います。
ウェット式ほど水素が取り込まれることはありません。
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この回答へのお礼

回答どうもありがとうございます。

分かりやすい回答で、とても助かりました。どうもありがとうございました。

お礼日時:2004/07/17 15:57

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