ゲート絶縁膜 の検索結果 (42件 1〜 10 件を表示)

MOSトランジスタのスイッチングの動作周波数について

…MOSトランジスタのゲート絶縁膜にSiO2が使われるのが一般的にですがゲート絶縁膜の誘電率ε、そして電気容量CとMOSトランジスタのスイッチングの動作周波数にはどのような関係があるのでし...…

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HfO2の結晶軸の同定(インプレーン XRD)

…X線回折測定(インプレーン)にて、ゲート絶縁膜のHfO2(ハフニウムオキサイド)を測定しました。 20deg〜60deg間に大小あわせ10個くらいのピークが見られましたがそれぞれのピークの結晶方位を...…

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トランジスタについて

…金属酸化膜型トランジスタのゲート電流は流れないんですか?…

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半導体スケーリング則について

…半導体のスケーリング則についてですが、ゲート酸化物は膜厚を薄くすると絶縁破壊することを聞きました。 ふと思ったのですが、それならばゲート酸化物の膜厚を一定にしてスケーリング...…

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ゲートで遅延が起きる理由

…LSIの設計において,ゲート遅延と配線遅延などを考慮に入れますが,ゲート遅延はなぜ起こるのでしょうか. 配線遅延については,それだけの長さを信号が伝わるために必要だから,と理解できる...…

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半導体 Low-ε

…Low-εっていったいどんなものですか?…

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P型MOSFETの特性(閾値等)について

…PMOS-FETの各種特性(Vd-Id、Vg-Id、W-Id、L-Id、W-Vth等)を測定しました。 いくつかお聞きしたいことがあるので箇条書きで書くことをご了承ください。 1:ゲート幅を変化させた場合(ゲート長固定)、...…

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ISFETの原理 なぜ水素イオンだけに着目するのか

…こんにちは、ISEFTの原理について学んでおります。 http://www.isfet.com/company/?page_id=1468 こちらのサイトで概要をつかもうとしたのですが、ひとつ気になることが御座います。 「ISFETが漬かって...…

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酸化した金属の低抗率

…一般的な金属に関してなんですが、金属は酸化すると抵抗率(Ωm)は上がりますか、それとも下がりますか? 特にアルミニウムについて知りたいのですが。…

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MIS構造のC-V測定について

…半導体初心者ですが宜しくお願いします。 どの半導体デバイスの教科書にも必ずMIS(MOS) キャパシタのC-V特性が載っています。 書いてあることはなんとなくわかるのですが、結局何のためにC...…

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