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再結合電流は空乏層内で発生しますが、品質の悪い半導体で見られますので最近の半導体ダイオードではほとんど見られないものになってます。
再結合電流が起きるのは大体0.2V以下でしょうね。 ちょっと古い型番のダイオード(1S2092)の電圧-電流特性を添付しておきます。このダイオードでは0.15Vあたりから下の電圧で再結合電流の影響で電流の傾きが寝てきてるのが分かります。そのへんの説明はこちらの資料(http://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp/img/pn14.pdf)を参照ください。
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