はじめまして。トランジスタのベース、エミッタ、コレクタの目的、用途を噛み砕いて教えて下さい。過去の質問履歴を見たのですが、ちょっと難しいので、噛み砕いて教えて頂けますか?一番知りたい事は何の為にそれ(ベース、エミッタ、コレクタ)があるのか?と言う事です。すいませんがお願いします。

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A 回答 (2件)

かみ砕きすぎかもしれませんが(笑)スイッチの例で示します。


(エミッタ,コレクタ,ベースをそれぞれE,C,Bと表記します)
(NPN型トランジスタの例です)

まず、スイッチの部分は"C→E"間で、→で表したのは一方通行のスイッチであることを表します。"B→E"に電流が流れていない時は"C→E"のスイッチはOFFです。"B→E"に電流が流れると"C→E"がONになります。リレースイッチを例にすると、"B→E"がコイルの部分で、"C→E"が接点部分というわけです。また、"B→E"が小電流でも、"C→E"は大電流になるので、増幅が行われるわけです。

参考URL:http://www.infonet.co.jp/ueyama/ip/semi_cnd/tran …
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この回答へのお礼

ありがとうございます。こんな私でも理解できました。

お礼日時:2001/08/08 11:44

ベースは入力、コレクタは出力、エミッタは共通ってとこかな?


何せ中学の技術課で勉強して以来何で…。
マイクの入力をベースとエミッタにつないで、スピーカーをエミッタとコレクタにつなぐと、拡声器ができるようなイメージでいいと思います。実際はこんなに簡単じゃないけどね。

専門家の方、補足や間違いの訂正をお願いします。
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Qトランジスタの『ベース』『エミッタ』『コレクタ』を教えて下さい。

はじめまして。トランジスタのベース、エミッタ、コレクタの目的、用途を噛み砕いて教えて下さい。過去の質問履歴を見たのですが、ちょっと難しいので、噛み砕いて教えて頂けますか?一番知りたい事は何の為にそれ(ベース、エミッタ、コレクタ)があるのか?と言う事です。すいませんがお願いします。

Aベストアンサー

かみ砕きすぎかもしれませんが(笑)スイッチの例で示します。
(エミッタ,コレクタ,ベースをそれぞれE,C,Bと表記します)
(NPN型トランジスタの例です)

まず、スイッチの部分は"C→E"間で、→で表したのは一方通行のスイッチであることを表します。"B→E"に電流が流れていない時は"C→E"のスイッチはOFFです。"B→E"に電流が流れると"C→E"がONになります。リレースイッチを例にすると、"B→E"がコイルの部分で、"C→E"が接点部分というわけです。また、"B→E"が小電流でも、"C→E"は大電流になるので、増幅が行われるわけです。

参考URL:http://www.infonet.co.jp/ueyama/ip/semi_cnd/transistor.html

Qトランジスタのコレクタ~ベース間の破壊

NPNトランジスタで、コレクタとベース間は通常電流は流れませんよね?
それが何らかの原因でコレクタとベース間が破壊され、コレクタからベースの方向に電圧がかかり、電流が流れてしまう、という故障は考えられますか?
それともそういう故障は考えなくてもいいでしょうか?

どうぞよろしくお願いします。

Aベストアンサー

コレクタ・ベース間の最大定格(VCBO)を越えてトランジスタを破損すればあり得ます。

http://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/docget.jsp?type=watermark&pid=2SC1815%28L%29&lang=ja&path=2SC%2F2SC1815%28L%29_ja_wm_20071101.pdf

QNPN形トランジスタのコレクタに1mAの電流を流したい。この場合ベース

NPN形トランジスタのコレクタに1mAの電流を流したい。この場合ベース抵抗Rの値をいくらにすればよいか?ただし、ベース接地電流増幅率αは0.95、ベース-エミッタ間電圧Vbeは0とする。



自分で出した答えは250オームになりました。



ぜひ教えてください。

Aベストアンサー

ベース抵抗にかける電圧によってベース電流が変わりますから、コレクタ電流も変化してしまいます。その条件では答えが出ないでしょう?

QPNP型トランジスタのエミッタ接地について

一年ほど前から趣味で電子工作を楽しんでいる者です。

今はセットを買ってきて半田付けをして楽しんでいるだけですが、いつかは設計したいと思い少しずつ勉強しています。

そこで質問ですが、
PNPのエミッタ接地はエミッタ→ベースへ順バイアス、エミッタ→コレクタへ順バイアスとなっています。トランジスタの動作原理を考えても何故これでコレクタへ電流が流れるのか分かりません。
私にはエミッタ→ベースに電流が流れるだけでコレクタには漏れ電流ほどしか流れていないように見えます。
調べてみたのですが、PNPのエミッタ接地について詳しく解説されているものが見つかりませんでした。

電子の基礎が理解出来ていないのだと思いますが、考えても理解できず困ってます。;;
初歩的な質問ですが、どうかご教授のほど宜しくお願い致します。

Aベストアンサー

>PNP型のエミッタ接地は逆バイアスがないため空乏層が出来ない
PNPでもNPNでも、ベース-コレクタ間は逆バイアスで動作させます。

定量的に説明すると大変なので、walkingdic さんの「障壁突破」で定性的に説明します。最後に式が出てきますがかなり簡略化したので理解できるはずです。

トランジスタを流れる電流は、負の電荷を持つ電子と、正の電荷を持つホール(正孔)から成ります。電子の運動方向は電流の向きとは逆で、ホールの運動方向は電流の向きと同じです。以下の説明でバンド図というのが出てきますが、図の折れ線は電子やホールが流れる滑り台の面と考えてください。電子はこの滑り台を転がるパチンコの玉、ホールは逆さまの滑り台の面に沿って流れる水中の泡と考えてください。電子は図の下に降りようとするのに対して、ホールは上に向かおうとします。さらに、電子は+電圧の方向に引かれ、ホールは-電圧の方向に引かれて移動します。

PNPトランジスタはエミッタとコレクタがP型、ベースがN型半導体なので、そのバンド図は以下のようになります(なぜ斜面ができるのかは省略します)。

   エミッタ ベース コレクタ
    P     N     P
                  ← 伝導帯
    ̄ ̄\  - - -  / ̄ ̄
        \__/     ← バンドギャップ

    ̄ ̄\       / ̄ ̄ ← 価電子帯
   + + +  \__/ + + +

- は電子、+ はホールです。N型半導体には電子しかいません。ホールはP型半導体にだけいます。電子はパチンコ玉なので下に下りようとしますが、両側にエミッタとコレクタの障壁があるのでベースという井戸の中にたまっています。ホールは気泡なので上に昇ろうとしますが、ベース側に障壁があるのでエミッタとコレクタ中に留まっています(両端は半導体の外というとても高い障壁があるので、そちらには移動できません)。

上図はバイアスをかけていない状態ですが、通常のトランジスタのようなバイアス電圧をかけると下図のようになります。

  エミッタ  ベース   コレクタ
    P    N        P
  電子の流れ      / ̄ ̄
    ←- -      /        
    ̄ ̄\ - - - /             Ie →    Ic →
          ̄ ̄    / ̄ ̄      ┌ E     C ┐
              / + + →       │    B   │
    ̄ ̄\     / +            │   │↓Ib │
   + + +   ̄ ̄ +              └┨■┴┨■┘
       + → ホールの流れ

エミッタ-ベース間は順バイアスにするので、エミッタ-ベース間の障壁は、バイアスなしのときよりも下がります(ややこしいですが、正の電圧をかけると斜面は下に下がります)。逆に、ベース-コレクタ間は逆バイアスにするので、、ベース-コレクタ間の障壁は高くなります。このとき、ベースに溜まっていた電子はエミッタ方向に流れていきます(電子のエネルギーには幅があるので障壁が完全になくならなくても電子が流れます)。エミッタに溜まっていたホールも、ベース側の障壁が下がることによってベース側に流れます。コレクタに溜まっていたホールは外部電源の電圧によって外部に引かれて出て行きます。エミッタからベースに流れてきたホールは、ベース-コレクタ間の逆バイアスによってできた斜面を昇っていき、コレクタに移動します(ホールは気泡なので上に昇ろうとします)。

このように、トランジスタのエミッタ-ベース間に順バイアスをかけ、ベース-コレクタ間に逆バイアスをかけることによって、エミッタからベースには電子とホールによる電流が流れ、ベースからコレクタ方向にはホールによる電流が流れます。コレクタ電流の元のホールはエミッタから来たものなので、エミッタ-ベース間に順バイアスをかけてホールを注入しないとコレクタ電流は流れません。

普通、トランジスタのベースは非常に薄く作られています。薄くすることによって、エミッタからベースに入ってきたホールは減衰することなくコレクタ側に出て行きます。ベースはN型なので、ホールがここを進むうちに電子と結合して次第になくなっていきますが、この距離が小さければホールの数はそれほど減りません。したがってホールの数はエミッタとコレクタでほぼ同じになります。エミッタ電流 Ie は、電子による電流 In と、ホールによる電流 Ip の和
   Ie = In + Ip
になります(In と Ip は同じ量ではありません)。コレクタ電流 Ic はほとんどホールによるものだけなので
   Ic = Ip
です。ベース電流は Ib = Ie - Ic なので
   Ib = In + Ip - Ip = In
となります。したがってエミッタ接地での電流増幅率 β は
   β = Ic/Ib = Ip/In
ベース接地での電流増幅率 α は
   α = Ic/Ie = Ip/( In + Ip ) = 1 - In/( In + Ip ) = 1 - In/( In + β*In ) = 1 - 1/( 1 + β )
となります。普通のトランジスタでは、エミッタを流れるのホール数が電子数よりも大きくなるように、エミッタの不純物濃度をベースよりも大きくすることで、β = 100 程度となるように作られています。β = 100 のとき、α = 1- 1/101 = 0.99 となります。

【補足】
(なぜベース-コレクタ間に逆バイアスをかけるのか)
ベース-コレクタ間に逆バイアスをかけなくても、エミッタ接地での電流増幅率 β は、エミッタを流れるのホール数が電子数よりも大きくなるようにすれば大きくできるので、コレクタは無関係のように思えます。しかし、ベース-コレクタ間に逆バイアスをかけないと、ベース中の電子はエミッタに流れるだけでなく、コレクタ側にも流れてしまいます(障壁はゼロでなくても電流はその高さに対して指数関数的に流れる)。そうすると、同じベース電流でも、エミッタ側に流れる割合が減ってしまうので、エミッタを流れるホールの数が減ります。コレクタ電流はほとんどエミッタを流れるホール電流に等しいので、そうなるとコレクタ電流が減ってしまいます。したがって、ベース-コレクタ間に逆バイアスが浅いと(Vceが小さいと)、コレクタ電流/ベース電流、つまりエミッタ接地での電流増幅率 β が小さくなってしまいます。トランジスタのデータシートの Ic-Vce特性で Vce が小さい領域で Ic が下がっているのはこのためです。

>PNP型のエミッタ接地は逆バイアスがないため空乏層が出来ない
PNPでもNPNでも、ベース-コレクタ間は逆バイアスで動作させます。

定量的に説明すると大変なので、walkingdic さんの「障壁突破」で定性的に説明します。最後に式が出てきますがかなり簡略化したので理解できるはずです。

トランジスタを流れる電流は、負の電荷を持つ電子と、正の電荷を持つホール(正孔)から成ります。電子の運動方向は電流の向きとは逆で、ホールの運動方向は電流の向きと同じです。以下の説明でバンド図というのが出...続きを読む

Qトランジスタのベース・エミッタ間飽和電圧とは

電子回路の本を読んでいて、トランジスタに「ベース・エミッタ間飽和電圧」という用語があるのを知りました。

以下のことを知りたいと思い検索してみましたが、なかなか良い情報にたどり着けませんでした。

1. この電圧の定義 : ベース端子とエミッタ端子の間の電圧なのか?
2. この電圧の特性 : 大きければいいのか、小さいほうがいいのか?
3. 飽和の意味: コレクタ電流が最大になった状態という意味で正しいのか?

上記に関する情報または情報源についてよろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

>1. この電圧の定義 : ベース端子とエミッタ端子の間の電圧なのか?

回答>>そうです。

>2. この電圧の特性 : 大きければいいのか、小さいほうがいいのか?

回答>>どちらかと言えば小さい方が良い。

>3. 飽和の意味: コレクタ電流が最大になった状態という意味で正しいのか?

回答>>ベース・エミッタ間飽和電圧はコレクタ電流が最大になった状態とは違います。
 まず、コレクタには外部から定電流源で規定の電流、例えば100mAを流しておきます。このときベースにも規定の電流を外部から定電流源で、例えば10mAを流します。このベース電流は半導体メーカによりますが、コレクタ電流の1/10または1/20を流します。通常hFEは100くらいか、それ以上の値を持ってますのでこのベース電流は過剰な電流と言うことになります。例えばhFEが100あったとすれば、ベース電流が10mAならコレクタ電流はそのhFE倍、すなわち1000mA流せることになります。逆にコレクタ電流を100mA流すのに必要な最低のベース電流はその1/hFEでよいわけですから、1mAもあればよいわけです。
 「ベース・エミッタ間飽和電圧」の仕様はトランジスタをデジタル的に動かしてスイッチとして使う場合を想定したものです。
 例えばコレクタ負荷が抵抗で構成されてる場合にトランジスタがONしてコレクタ電流として100mA流す場合、トランジスタをしっかりONさせるためにベースにはhFEから考えてぎりぎりの1mAより多くの電流を流します。
 このように必要以上にベース電流を流すことをオーバードライブと言いますが、そのオーバードライブの度合いをオーバードライブ係数、Kov=Ic/Ib で定義します。コレクタ電流を100mA流し、ベース電流を10mA流せばオーバードライブ係数、Kovは 10になります。
 実際にトランジスタをスイッチとして使用する場合はこのオーバードライブ係数を目安にして、ベース電流を流すように設計します。その際、ベースーエミッタ間の電圧VBEが計算上必要になりますのでこのベース・エミッタ間飽和電圧を使います。例えば、NPNトランジスタをONさせてコレクタに100mA流す場合、ベースにコレクタ電流のKov分の1の電流を流すようにベースと信号源の間の抵抗値RBを計算します。信号源の「H」の電圧が2.5Vの場合、RBはベース・エミッタ間飽和電圧をVBE(sat)とすれば、

    RB=(2.5V-VBE(sat)/10mA 

のようにして求めます。

>1. この電圧の定義 : ベース端子とエミッタ端子の間の電圧なのか?

回答>>そうです。

>2. この電圧の特性 : 大きければいいのか、小さいほうがいいのか?

回答>>どちらかと言えば小さい方が良い。

>3. 飽和の意味: コレクタ電流が最大になった状態という意味で正しいのか?

回答>>ベース・エミッタ間飽和電圧はコレクタ電流が最大になった状態とは違います。
 まず、コレクタには外部から定電流源で規定の電流、例えば100mAを流しておきます。このときベースにも規定の電流を外部から定電流源で、例...続きを読む

Q初歩のトランジスタ(増幅回路) - エミッタ接地と位相

1)なぜエミッタ接地だと位相が反転するのでしょうか?
2)位相が反転することで独特な用法とかがあるのでしょうか?

よろしくお願いします。

Aベストアンサー

ベース入力電圧が高くなる(1)と、ベース電流が増えます。
ベース電流が増えるとコレクタ電流が増えます。
コレクタ電流が増えると(コレクタには負荷抵抗が入っているので)、コレクタ電圧が下がります(2)。

(1)と(2)の関係を見てください。
みごとに”逆の関係”になっているでしょう?(^_^;)
これを「位相が反転する(した)」と言います。

宿題です。
エミッタフォロワで(入力と出力の関係が)どうなるか考えてみてください。

(答 同相)

Qコレクタ、エミッタ接地の周波数特性について

コレクタ接地増幅回路とエミッタ接地増幅回路の周波数特性の違いが理解できません。。。
教えてくださいm(__)m

Aベストアンサー

遮断周波数というのは分かりますか? 直流での増幅率を A としたとき、増幅率が A/√2 になる周波数を遮断周波数といいます。ご質問は
   エミッタ接地での遮断周波数 < ベース接地での遮断周波数
となるのはなぜかということでしょうか。ベース接地での電流増幅率と遮断周波数をそれぞれ α、 fα、エミッタ接地での電流増幅率と遮断周波数をそれぞれ β、 fβ としたとき
   α*fα = β* fβ --- (1)
という関係があります。α と β の関係は
   α = β/( 1 + β ) --- (2)
なので、式(1)から
   fα/fβ = β/α = 1 + β --- (3)
という関係になります。普通のトランジスタは β = 100 程度なので、ベース接地での遮断周波数 fα はエミッタ接地での遮断周波数 fβ の 100倍程度になります。

ベース接地での遮断周波数 fα は、過去の質問 [1] の ANo.2 の 式(4) の f1 のことで
   fα = 1/( 2*π*Ce*Re ) --- (4)
です。エミッタ接地での遮断周波数 fβ は過去の質問 [1] の ANo.2 の 式(7) の f2 のことで
   fβ = ( 1 - α )/( 2*π*Ce*Re ) --- (5)
です。式(4), (2) から
   α*fα = α/( 2*π*Ce*Re ) = β/( 1 + β ) /( 2*π*Ce*Re )
式(5), (2) から
   β*fβ = β*( 1 - α )/( 2*π*Ce*Re ) = β/( 1 + β )/( 2*π*Ce*Re )
なので
   α*fα = β*fβ
となります。

[1] ベース接地がエミッタ接地に比べて周波数特性が良いのはなぜでしょうか? http://sanwa.okwave.jp/qa3539286.html

遮断周波数というのは分かりますか? 直流での増幅率を A としたとき、増幅率が A/√2 になる周波数を遮断周波数といいます。ご質問は
   エミッタ接地での遮断周波数 < ベース接地での遮断周波数
となるのはなぜかということでしょうか。ベース接地での電流増幅率と遮断周波数をそれぞれ α、 fα、エミッタ接地での電流増幅率と遮断周波数をそれぞれ β、 fβ としたとき
   α*fα = β* fβ --- (1)
という関係があります。α と β の関係は
   α = β/( 1 + β ) --- (2)
なので、式(1)から
   fα/f...続きを読む

Qトランジスタのエミッタ抵抗

こんばんは。
電気回路を勉強している初心者です。
トランジスタのエミッタ抵抗について教えてください。

エミッタ接地回路でエミッタ側に抵抗を入れると、温度特性などでトランジスタの増幅率が変わっても、実際に出力される増幅が一定に安定すると本に書いてあるのですが、理由がよくわかりません。

ネットやこのサイトでも調べてみましたがわかりません。
よろしければ教えてください。よろしくお願いします。

Aベストアンサー

定性的な説明は isoworld さんと outerlimit さんの通りです。
もし定量的な説明が必要であれば以下を参考にしてください。

例えば以下のようなエミッタ接地の増幅回路を考えます。

          ┌──-┬─ Vcc(電源電圧)
          │    Rc
          R1   ├─ Cout ─ Vout
          │    C
 Vin ─ Cin ─┼─ B
          │    E
         R2   │
         │   Re
   ────┴──┴───── GND

Vin が入力信号で、Vout が出力信号です。交流の入力信号に対して、カップリングコンデンサの Cin と Cout のインピーダンスはゼロと仮定します(これを考慮すると式が複雑になるため)。すると、交流の等価回路は次のようになります。

       ib →       ← β*ib
   Vin ─┬──┐  ┌──────┬─ Vout
       │    r  ↓ β*ib       │
     R1//R2  └─┤← Ve     Rc↑β*ib
       │      Re↓(1+β)*ib   │
     ─┴────┴──────┴─

r はトランジスタの入力抵抗、βはトランジスタの電流増幅率、ib はベース電流、Ve はエミッタ電圧です。
R1//R2 は R1 と R2 の並列合成抵抗で R1//R2 = R1*R2/( R1 + R2 ) です。電源ライン Vcc は一定電圧なので、交流的にはGNDと同じとみなせます。したがって入力端子から交流的に見ると R1 と R2 が並列接続されているように見えます(実は、信号源の出力抵抗が充分小さければ、この部分は全体の増幅率に影響しません)。

エミッタには、直流電圧に交流電圧(信号)が重畳した脈流的な電圧が出ていますが、この図で Ve というのは、その交流(信号)成分を意味しています。Vin もベース電圧の交流成分、Vout もコレクタ電圧の交流成分という意味です。電流も同様で、ベース電流やコレクタ電流は直流に交流が重畳した脈流ですが、図で示したのは交流成分の意味です。電流の向きは、ベース電流 ib が図の向きに増える方向に動いたときに、コレクタ電流 β*ib が図の向きに増えるということを表わしています。β*ib が増えると、コレクタ抵抗 Rc による電圧降下で、Vout は小さくなる方向(負の電圧の方向)に動くことになります。ib が増えるのは Vin が大きくなる方向(正の電圧方向)に動いているときなので、Vin と Vout の位相は互いに逆になります。

コレクタ電流は、ベース電流をβ倍したもので、エミッタ電流はベース電流とコレクタ電流の和なので、ベース、エミッタ、コレクタに流れる電流について以下の関係式が得られます。
   ベース電流  ib = ( Vin - Ve )/r --- (1)
   エミッタ電流  ( 1 + β )*ib = Ve/Re --- (2)
   コレクタ電流  β*ib = -Vout/Rc --- (3)
式(1)を式(2)に代入して ib を消せば
   ( 1 + β )*( Vin - Ve )/r = Ve/Re
これを Ve について解くと
   Ve = ( 1 + β )*Vin/( r/Re + 1 + β ) --- (4)
一方、式(1)を式(3)に代入して ib を消せば
   β*( Vin - Ve )/r = -Vout/Rc --- (5)
式(4)を式(5)に代入して Ve を消せば
   β*{ Vin - ( 1 + β )*Vin/( r/Re + 1 + β ) }/r = -Vout/Rc
  → Vout/Vin = -( β*Rc )/{ 1 + ( 1 + β )*Re } --- (6)
となります。上式の右辺の分母・分子をβで割ると
   Vout/Vin = -Rc/{ Re + ( r + Re )/β} --- (6')
となります。- がついているのは、Vin と Vout が逆相になっていることを表わしています。

トランジスタの電流増幅率 β が非常に大きいとき、式(6')の ( r + Re )/β はゼロとみなせるので
   Vout/Vin = -Rc/Re
となって、信号増幅率( Vout/Vin )はコレクタ抵抗とエミッタ抵抗の比だけで決まります(この近似式は増幅器の設計によく用いられます)。

しかしβ が非常に大きいとはみなせないとき(普通のトランジスタのβは数十~数百程度)、βの大きさによって Vout/Vin が変わります。Vout/Vinが β の変動に対してどれくらい安定しているかというのは 、式(6)をβで偏微分した「信号増幅率の変化率」で評価します。
  信号増幅率の変化率 = ∂( Vout/Vin )/∂β
                = - Rc*( r + Re )/{ r + ( 1 + β )*Re }^2 --- (7)
β が非常に大きいとき、信号増幅率はゼロに漸近しますから、βの変動に対して信号増幅率は変化しない、つまり増幅率は安定ということになります(βそのものが大きいのでβが多少変わっても影響が少ないのは当然といえば当然ですが)。

βが有限の場合、Re がもしゼロ(エミッタ抵抗がない)ならば
  信号増幅率の変化率 =- Rc/r --- (8)
となって、Rc が大きく、r が小さいほどβの変動に弱い回路になります( r は通常、数kΩで、ベース電流が大きいほど小さくなる)。式(7) を書き直すと
 信号増幅率の変化率 = ( Rc/r )*( 1 + Re/r )/{ 1 + ( 1 + β )*( Re/r ) }^2
となります。この式は分子に Re/r、分母に ( Re/r )^2 の項があるので、Re/r が大きいほど信号増幅率の変化が小さいことを表わしています(Re/r = 0 のとき式(8)になります)。

式ばかりいじっていてもピンと来ないので、数値例を紹介します。Rc = 10kΩ、β = 100、r = 5kΩ の回路で、何らかの原因でβが 50 に下がったり、200にまで大きくなったとします。すると、式(6)または式(6')を使って計算すると分かりますが、回路全体の増幅率、増幅率の変化は以下のようになります。

 ・Re = 0 の場合   増幅率 = -100(β=50)、-200(β=100)、-400(β=200)、増幅率の変化 = -50%~+100%
 ・Re = 100Ωの場合 増幅率 = -49.5(β=50)、-66.2(β=100)、-79.7(β=200)、増幅率の変化 = -25%~+20%
 ・Re = 1kΩの場合  増幅率 = -8.93(β=50)、-9.43(β=100)、-9.71(β=200)、増幅率の変化 = -5.4%~+2.9%

Re が大きいほど増幅率そのものは低下しますが、安定度が良くなることが分かると思います。なお、エミッタ抵抗に並列にコンデンサを入れた回路は、交流的にはRe が小さい回路になるので、信号増幅率は大きくできますが安定性は良くありません(直流的な動作点は安定します)。

定性的な説明は isoworld さんと outerlimit さんの通りです。
もし定量的な説明が必要であれば以下を参考にしてください。

例えば以下のようなエミッタ接地の増幅回路を考えます。

          ┌──-┬─ Vcc(電源電圧)
          │    Rc
          R1   ├─ Cout ─ Vout
          │    C
 Vin ─ Cin ─┼─ B
          │    E
         R2   │
         │   Re
   ────┴──┴───── GND

Vin が入力信号で、Vo...続きを読む

Qコレクタ・エミッタ間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧を計算で求めることは可能ですか?
いろいろと調べてみましたがわからなかったので教えていただけると幸いです。

Aベストアンサー

以下のような条件が分かっていれば計算で求められます。

1)動作点としてのコレクタ電流IC、コレクタと電源間に接続されている
負荷抵抗RL、電源電圧VCCが分かっている場合で

エミッタが接地されている場合は:VCE=VCC-IC×RL 

2)上記1)でコレクタ電流ICの代わりにベース電流IBと電流増幅率hfeが
分かっている場合で

エミッタが接地されている場合は:VCE=VCC-IB×hfe×RL

こんなところでしょうか。

Qトランジスタ:NPN コレクタについて

トランジスタのコレクタ領域について質問です。コレクタ領域には、低濃度コレクタ領域と高濃度コレクタ領域があり、コレクタ抵抗を減少することができるとのことですが、どうしてでしょうか?濃度と抵抗との関係が理解できません。宜しくお願い致します。

Aベストアンサー

不純物濃度を上げると自由電子(または正孔)ガ増え電流が流れやすくなり電気抵抗が減ります。

しかしコレクター全体を高濃度にするとトランジスターとしての性能が低下します。
そこでコレクター領域を不純物の低濃度と高濃度の2層構造にして、
トランジスターの性能を低下させずに、コレクター抵抗をさげているわけです。


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