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半導体Si単結品はsp3混成軌道を形成し、1個のSi原子が4個のSi原子と互いに等価な位置開係で結合している、このとき、1個のSi原子は正四面体の重心に位置し、残りの4個のSi原子は正四面体の頂点に位置する。このSi結晶において、Si-Si-Siのなす角度をθとしてcosθの値を求めよ。

解法を教えてください。

gooドクター

A 回答 (1件)

θの値はメタンの結合角と同じ約109.5°でしょうけど、その数値を正確に計算で求めるのは簡単なことではないでしょうね。


ただ、cosθの計算はさほど難しくはない数学の問題です。

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