mosfetについて、ドレインソース間の電圧は、ソースゲート間の電圧とゲートドレイン間の電圧の和には

mosfetについて、ドレインソース間の電圧は、ソースゲート間の電圧とゲートドレイン間の電圧の和にはならないのでしょうか？
もしなるとしたら、
cmosインバータを考えた時
Vin=High=5vの時、nmos側のソースゲート間の電圧は5vになりますよね。しかしこの時、出力は反転されVout=Low=0vになるため、ゲートドレイン間で5vの電圧降下が起きるということでしょうか

No.1 ベストアンサー 回答者： d9win 回答日時： 2022/01/03 10:16

なりません。

ゲートは制御電極として働きます。具体的には、ゲート電圧によってその下の(ドレインとソースの間の)領域に存在する自由電子あるいは正孔の密度を変える働きをします。
MOSFETのゲート電極(Metal)と半導体(Semiconductor)の間には絶縁膜(酸化膜:Oxide)が存在しますので、ゲート電圧がドレインやソースの電位に直接影響することはありません。

CMOSのゲートをHighにした時は、ドレインとソースの間が電荷担体の高密度領域で連結された状況となるので、両者の間の電位差がほぼ0になります。5Vの電圧降下は外部負荷で起きます｡