トランジスターの原理で教えてください。
パワー系などのトランジスターは裏面がドレインで
たとえばNchの場合、Nchの下にP-があり
ゲートONでP-がNになり、サブのNからこのNを通ってソースのNへ流れると思いますが、同時によく
図などではもう1つp-の中に、さらにp+が入っている図を見ます。こちらもソースになるのでしょうか?こちらにコンタクトしても流れるのでしょうか?

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A 回答 (2件)

この動作をするのは、FETすなわち電界効果トランジスタですね。


(バイポーラ)トランジスタとは構造も動作も違うのでユニポーラ(トランジスタ)またはFET(Field Effect Transistor電界効果トランジスタ)と呼びます。
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この回答へのお礼

そうなんですか、、なるほど、
是非、図解入りで解説しているサイトなど
ありましたら教えてください。ありがとうございます
がんばって勉強します。

お礼日時:2005/04/05 22:43

以下のURLが,分かりやすいと思います。

FETについての解説も有ります。

参考URL:http://www.geocities.jp/hiroyuki0620785/k0dennsi …
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QトランジスタとFETについて

トランジスタとFETについて
それぞれの出力(Vo)は
トランジスタ:ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V
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この考えでよろしいのでしょうか?

Aベストアンサー

トランジスタ回路について
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>コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか?

どういう動作をさせたいのかよく解りませんが
スイッチング動作させリレーやLED(負荷)などをON/OFFさせたいのなら、それらは電源とコレクタ間に配置しエミッタはGNDに接続します。

QNchMOSFETでソースからドレインに電流を流す

NchMOSFETの場合、ドレインが電源側でソースがグランド側で、
ゲート-ソース間に閾値電圧を印加すると、ドレインからソースに電流が流れると理解しています。
ただ、MOSFETは対称に出来ていて、ドレインとソースは逆にできると知りました。
以下のページにあるように、ソースからドレインに電流を流せるんですよね。
http://www.necel.com/ja/faq/f_fet.html#0301

この場合、ソースが電源側でドレインがグランド側になると思うのですが、
この場合もゲート-ソース間に電圧を印加するのでしょうか?
それとも、ゲート-ドレイン間でしょうか?

ある回路図で、NchMOSFETのドレインが接地されていて、ソースが電源につながっていました。この回路図の説明には、
「このFETを駆動するには、ゲート-ソース間に電源電圧+閾値電圧を印加する必要がある。」と記載されておりましたが、
理解できなくて、質問させていただきました。
この回路図の説明はあっているのでしょうか?

Aベストアンサー

元々のソースをドレインに読み換え、元々のドレインをソースに読み換えればいいです。

元々は、
ソースがGNDで、ゲートとドレインは、そのGNDに対して電圧を印加。

それを読み換えれば、
ドレインがGNDで、ゲートとソースは、そのGNDに対して電圧を印加
です。


「このFETを駆動するには、ゲート-ソース間に電源電圧+閾値電圧を印加する必要がある。」
のほうは、よく分かりませんが、
閾値電圧が異なるMOSFET同士の電流駆動能力を比較するとき、
通常、ゲート電圧は 電源電圧+閾値電圧 にします。
本来同じ駆動能力でも、同じゲート電圧を印加したのでは、閾値電圧が大きいほど電流が少なくなるというハンディがあるので、平等な比較にならないからです。
そのことと何か関係あるのではないでしょうか。

Q1Mhz~2Mhz程度の周波数で5W~10W程度の出力が可能なトランジスタかFETを探しています。

以前質問したのですが、別冊CQham radioのNO4に掲載の記事を元にして三菱のFETでRD06HVF1を使用して高周波アンプを作りました。 1Mhz~2Mhz程度の周波数での増幅ですが、出力部分のトロイダルコアを変更して(巻き数やコア等)色々と実験しましたがどのコアを使用しても1~5Mhzまでは出力が1.8Wまでしか出ません。

どうもこのFETは周波数帯は135~175MHz帯なので1Mhz帯は無理みたいです。このような条件で使えそうなトランジスタかFETをご存知の方がいたらお教えください。

宜しくお願いします。

Aベストアンサー

ドレイン損失が20W以上あるので1.8Wしか出せないと言うことはないはずです。
ただしインピーダンス設計が狂っていれば1.8Wしか出ない可能性はあります。
高周波用FETが低い周波数で使えないと言うこともありません。
出力が出ない状況はどんな風なのでしょうか。
ゲインが足りないのか、効率が悪いのかなどでチェックポイントが違ってきます。
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QMOSトランジスターのゲートはなぜPolyなのですか?

半導体に詳しい方教えてください。
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Aベストアンサー

ちょっと前に同じ質問に答えました。
http://oshiete1.goo.ne.jp/qa5044364.html
PolySiだとセルフアライン(マスクの位置あわせ不要)っていうのが一番大きい理由ですかね。あと、適当にドーピングすることで、仕事関数をけっこう自由に変えられるってのも大きい理由ですかね。

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Qトランジスタ回路やFET回路は何パラメータ?

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この計算方法は参考書やネットなどで非常によく書かれているものですが、どうも上記のパラメータに分類されないような気がします。

唯一似ているものとしてGパラメータがありましたが、G12=(iin/iout)vin=0 がエミッタ接地回路でも∞になってしまい、正解値hfeとはかけ離れてしまっています。

トランジスタやFET回路の場合このように計算する、という決まりなのでしょうか?

ご回答よろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

>Z,Y,H,G,Fパラメータのうち何パラメータで表されるのでしょうか?
Z,Y,H,G,Fパラメータは、相互に変換できるのでどれを使っても良いのです。
どのパラメータを使用するのかは、応用のし易さ、測定のし易さで選べばいいのです。

例えば、二つの2端子対回路が有って、一つの回路の出力を次の回路につなげた時の全体のパラメータを計算する時にはFパラメータを使用すると計算が簡単になります。
例えば、ローパスフィルタの出力にハイパスフィルタを接続して、全体でバンドパスフィルタとする時などに応用できます。
この様な接続方法を縦続接続と呼びます。
こちらを参考に、
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E4%BA%8C%E7%AB%AF%E5%AD%90%E5%AF%BE%E5%9B%9E%E8%B7%AF

低周波でバイポーラトランジスタのパラメータを求める時は、Hパラメータが良く使用されます。
それは、測定が容易になるからです。
エミッタ接地のベースをポート1、コレクタをポート2とした場合、ポート1のインピーダンスは低く、ポート2のインピーダンスは高くなります。
Z11の場合、Z11=V1/I1(ただし、I2=0)で測定しますが、I2=0とする為には測定の為にポート2(コレクタ)に接続するテスト回路のインピーダンスをポート2のインピーダンスよりも大きくする必要が有ります。(大きくないとI2=0にならない)
ポート2のインピーダンスは大きいのでテスト回路のインピーダンスはとても大きい値にする必要が有って実用的なものになりません。
H11の場合は、H11=V1/I1(ただし、V2=0)ですので、低インピーダンスのテスト回路で実現できます。
H22の場合は、H22=I2/V2(ただし、I1=0)なので、ベースのテスト回路を定電流回路で実現できます。

FETの場合、入出力ともにインピーダンスが高いので測定条件としてV1=0、V2=0で測定するYパラメータが使用されます。

高周波の場合は、ほとんどの場合にSパラメータが使用されます。
http://ja.wikipedia.org/wiki/S%E3%83%91%E3%83%A9%E3%83%A1%E3%83%BC%E3%82%BF
それは、V1=0、V2=0やI1=0、I2=0の条件がを実現するのが困難になるからです。
V1=0とする為には低インピーダンスの回路でショートする必要が有りますが、ほんのわずかの電線でもインピーダンスを持つ為完全なショートを実現するのは困難です。
また、I1=0のほうは、全ての部品がキャパシタンスを持つのでインピーダンスを無限大にするのは困難です。

>Z,Y,H,G,Fパラメータのうち何パラメータで表されるのでしょうか?
Z,Y,H,G,Fパラメータは、相互に変換できるのでどれを使っても良いのです。
どのパラメータを使用するのかは、応用のし易さ、測定のし易さで選べばいいのです。

例えば、二つの2端子対回路が有って、一つの回路の出力を次の回路につなげた時の全体のパラメータを計算する時にはFパラメータを使用すると計算が簡単になります。
例えば、ローパスフィルタの出力にハイパスフィルタを接続して、全体でバンドパスフィルタとする時などに応用できま...続きを読む

Q水のp-h線図

各種冷媒ガス(アンモニア、R22,R410Aなどの代替フロンガス)の
p-h線図(モリエル線図とも呼ばれるらしい)はよく目にしますが、
水を冷媒として使った場合、水のp-h線図なるものはあるのでしょうか?
どなたかご存知の方教えてください。

Aベストアンサー

こちらにありました。

http://www.x-eng.com/Download_XSteam.htm
ページの下のほうにpdfがあります。

QFET 電解効果トランジスタについて

電解効果トランジスタのチェック方法が知りたくて困っています

普通トランジスタのように
アナログテスタで簡単にチェックできるようなものなのでしょうか・・・?

ちなみにK30Aです

Aベストアンサー

2SK30はゼロバイアスでも電流が流れますので、DC的なスイッチ特性をテストするにもマイナス電源が必要になります。
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ゲートとソースは接続しておきます。
この状態では比較的低い抵抗値を示すと思います。
次に、
ソースに乾電池の+を、ゲートに乾電池の-を接続するとテスターで測る抵抗値は高くなるはずです。

実際にDC特性に合致しているかどうかはドレイン-ソース間抵抗ではなく電流を測らないといけませんので、更に電源が必要になります。

Q抵抗の値が5Ωである電球Pと、3Ωである電球Qを図1、図2のようにつな

抵抗の値が5Ωである電球Pと、3Ωである電球Qを図1、図2のようにつないだ。

図1で、電流計A1、A2、A3には、それぞれI1、I2、I3の電流が流れた。I1、I2、I3を不等号を利用して小さい順に並べなさい。

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Aベストアンサー

電流はどんな分岐をしても電池から出てきた電流=電池へ戻る電流なので
I1=I2+I3
つまり、I2とI3を足したものがI1なので最も大きい電流はI1
次に、オームの法則を適用すると電流は抵抗が小さいほど大きくなる(抵抗に反比例する)という法則があるので抵抗値の小さい電球Qに流れる電流の方が電球Pに流れる電流よりも大きくなります
なのでI2の方がI3より大きい電流が流れます

よって
I3<I2<I1

Qトランジスター2SC3355が不良で取り替えるのにどう言うトランジスタ

トランジスター2SC3355が不良で取り替えるのにどう言うトランジスターを使えば良いのでしようか。教えて下さい

Aベストアンサー

トランジスタ互換表によれば2SC3355は2SC5230,2SC2671(F)と互換となっております。
規格表は2006/2007版なので参考までに。

QMOSFETのゲートソース間電圧をかける向きについて

ディプレッション型nチャネルMOSFETと
エンハンス型nチャネルMOSFETで
ゲートソース間にかける電圧の向きを
反対にする理由を教えてください。
特に、ディプレッション型nチャネルMOSFETについて、
ゲートソース間にかける電圧の向きを
エンハンス型nチャネルMOSFETと逆にした場合、
ゲートソース間電圧を大きくするほど
nチャネルは狭くなってドレイン電流量が
小さくなるような気がしてしまいます。
でも、特性図を見ると私の考えが
間違っているようです。
初歩的な質問ですいませんが
よろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

蛇足かも知れませんが・・・

エンハンスメント型はノーマリイOFF(入力を与えない:Vgs=0でOFF)
Vgsにしきい値(Vgsth)以上を与えるとD(ドレイン)-S(ソース)間が導通(ON)します。
スイッチング動作の場合はOFFさせたいときはVgs=0,ONさせたいときはVgsth以上の電圧を与えます。
アンプに使用する場合はVgsは0~Vgsthの間にバイアス電圧を設定します。
殆どのMOSFETはこのタイプです。

デプレッションタイプはノーマリィON(Vgs=0でON:D-S間導通)
Vgsにしきい値を越えた電圧を与えてD-S)間が非導通(OFF)となります。
スイッチング動作の場合,ONさせたいときはG-S間を同電位とし,OFFさせたいときはゲート電位を大きくドレイン電位と反対方向に引きます。
アンプで使用する場合はVgsは0~Vgsthの間にバイアス電圧を設定します。
殆どのJFET(ジャンクションFET)はこのタイプで,かつてはしきい値電圧VgsthをVp(ピンチオフ電圧)と云っていました。(世代が知れるかも・・)
尚,一部のFET専門メーカーでは回路図記号でもエンハンスメント/デプレッション両タイプを識別出きるように又,ドレイン/ソースの識別できるようにシンボルを定めています。(興味が有れば自分で調べてください,JISでの表記はどうなっていたか覚えていません)

参考まで

蛇足かも知れませんが・・・

エンハンスメント型はノーマリイOFF(入力を与えない:Vgs=0でOFF)
Vgsにしきい値(Vgsth)以上を与えるとD(ドレイン)-S(ソース)間が導通(ON)します。
スイッチング動作の場合はOFFさせたいときはVgs=0,ONさせたいときはVgsth以上の電圧を与えます。
アンプに使用する場合はVgsは0~Vgsthの間にバイアス電圧を設定します。
殆どのMOSFETはこのタイプです。

デプレッションタイプはノーマリィON(Vgs=0でON:D-S間導通)
Vgsにしきい値を越えた電圧を与えてD-S)間が非導通(OFF...続きを読む


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