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こんにちは、XPSに関して質問があります。

pやd軌道からのピークになると、1/2,3/2といった
添え字がつき、ピークも比較的近接した二つに分離されています。
この1/2や、3/2って一体なんなのでしょう?
d軌道やf軌道になると、5/2,7/2といったふうに分子が
大きいものまであるようですが、どういう意味を持っている
のか分かりません。
電子のスピンと関係があるのでしょうか?
分からずに困っています。ご教授宜しくお願いします。

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A 回答 (4件)

#1ですが、まだ締め切られていないようなので。



スピン・軌道相互作用についてわかりやすく(というか古典的に)説明してみようと思います。(教科書に書いてあったのを引用するだけです。正確には相対論的量子論とかディラック方程式が必要になるようです。)

http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=1735309
で薦めた「スピンはめぐる」という本にもたしか書いてありました。

まず軌道角運動量とスピン角運動量ですが、軌道角運動量は、その角運動量で電子は原子核の周りを回っていると例えられます。電子から見れば原子核が回っているように見えますが、ビオサバールの法則により磁場ができます。

一方、スピン角運動量とは電子の自転の角運動量に例えられますが、電子というのは小さな磁石で、その磁場の向きを表します。

原子核が作った磁場(実際には電子の軌道角運動量による磁場)に対して、電子のスピンによる磁場がどちらを向くかでエネルギーが変わってくるので、そのエネルギーがスピン・軌道相互作用です。

一応ウィキペディアのURLも書いておきます。

それから、、、
> 平行と反並行で、反並行の状態が結合としては安定なので、反並行のピーク位置は、高エネルギー側に現れる訳ですね。

これは厳密には誤りですね。例えばGa2p軌道の6つの電子のエネルギーはすべて縮退していて、平行も反平行もありません。そこから電子を1つ取り出すのに、取り出し方で取り出した後の終状態のエネルギーが変わってくるのです。ややこしいですが、、、

参考URL:http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%82%B9%E3%83%94% …
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この回答へのお礼

再度ありがとうございます。
スピン・軌道相互作用の定性的なイメージは掴めました。
古典的な説明は理解するのに助かります。
これでまた少し理解がクリアになった気がします。
また理解できないものがあった際には、質問させていただこうと
思います。丁寧にありがとうございました。

お礼日時:2005/11/04 09:46

No.1です。

間違いがあったので訂正。
d軌道はl=2なので、平行でj=2+1/2=5/2、反平行で2-1/2=3/2の間違いでした。7/2と5/2はl=3のf軌道の場合です。

それから強度比もこの値から見積もることができて、縮重度2j+1の比になります。(理想的には)
p軌道なら3/2と1/2で縮重度は、3/2*2+1=4と1/2*2+1=2になるので、2p3/2と2p1/2のピークの強度比は2:1。同様に、3d5/2と3d3/2の強度比は3:2、4f7/2と4f5/2なら4:3となっているはずです。
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この回答へのお礼

遅くなりすみません。
丁寧に回答いただきありがとうございますm(__)m
自分はあまりスピン・軌道相互作用に対する知識がないので、
それをまず勉強すべきのようですね。
スピン-スピン相互作用など、名前はよく聞くのですが…。
なんにせよ、この分数の意味がだいぶ分かりました。
平行と反並行で、反並行の状態が結合としては安定なので、
反並行のピーク位置は、高エネルギー側に現れる訳ですね。
回答ありがとうございました。

お礼日時:2005/10/31 17:49

分数の表示形式



m/(電子:スピン磁気モーメント数)

ここで、分子のm=磁気量子数

を表しているようですね。

参考URL:http://www.tdk.co.jp/techmag/ferrite/grain_2/flm …
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この回答へのお礼

遅くなりすみません。
回答ありがとうございましたm(__)m
参考URLのほうも見て、復習したいと思います。
ありがとうございます。

お礼日時:2005/10/31 17:40

スピン・軌道相互作用による分裂です。


Ga2p軌道は6つの電子で詰まっていますが、そこから電子を取り出すとホールが1つできます。そのホールの軌道角運動量とスピン角運動量の相互作用により、両者が平行か反平行かによりエネルギーが変わってきます。

平行か反平行かは、軌道とスピンを合成した全角運動量で表せ、p軌道の場合は、軌道角運動量の量子数l=1、スピン角運動量の量子数s=1/2で、全角運動量の量子数は平行の場合、j=1+1/2=3/2、反平行の場合j=1-1/2=1/2になります。

d軌道の場合はl=2なので、平行でj=7/2、反平行でj=5/2になりますね。s軌道ではl=0なのでこのしくみでは分裂しません。価電子のスピンとの相互作用で分裂することもありますが。

ちなみに、軌道とスピンが平行の方が(終状態の)エネルギーが低くなるので、結合エネルギーで小さい方が軌道とスピンが平行(p軌道の場合2p3/2)、大きい方が反平行(2p1/2)になっているはすです。
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Q波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式は?

波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式を知っていたら是非とも教えて欲しいのですが。
どうぞよろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

No1 の回答の式より
 E = hc/λ[J]
   = hc/eλ[eV]
となります。
波長が nm 単位なら E = hc×10^9/eλ です。
あとは、
 h = 6.626*10^-34[J・s]
 e = 1.602*10^-19[C]
 c = 2.998*10^8[m/s]
などの値より、
 E≒1240/λ[eV]
となります。

>例えば540nmでは2.33eVになると論文には書いてあるのですが
>合っているのでしょうか?
λに 540[nm] を代入すると
 E = 1240/540 = 2.30[eV]
でちょっとずれてます。
式はあっているはずです。

QX線のKαって何を意味するのでしょう?

タイトルのまんまですが、XRD、XPSなどで使われる特性X線のCu-Kα線、Mg-Kα線のKαってなにを意味するものなのでしょうか?
ちょっと気になった程度のことなので、ご覧のとおり困り度は1ですが、回答もきっとそんなに長くならないんじゃないかと思うのでだれか暇な人教えて下さい。

Aベストアンサー

ちょっとうろ覚えなんですが。。。

X線は、フィラメント(主にタングステン(W)が用いられている)から電子を取り出し(加熱で)、それをX線を発生するターゲット(アルミニウム(Al)やマグネシウム(Mg)や銅(Cu))などに電子を衝突させて発生させます。
ターゲットとなる材料の電子軌道はそのエネルギ-準位がとびとびでかつ元素によって特有の値を持ちます。電子衝突によって飛び出した電子が仮にK殻の電子であったとします。K殻は他の殻(LやM)に比べて低いエネルギーにあるので、L殻やM殻の電子は安定した状態を保とうと、K殻へ落ち込みます。このとき(K殻のエネルギー)-(L殻のエネルギー)に相当するエネルギーがあまるので、これがX線となりこのエネルギーをもつX線が発生します。

そこで、potemkineさんの質問にあるとおり、Kαとかの命名法ですが、Kに相当するものは電子が衝突して飛び出した殻を示し、αは飛び出した殻に対していくつ外側の殻から電子が飛び出したのかを示すもので、1つ上からならα、2つ上ならβ。3つ上ならγといったようにあらわします。
例えば、K殻の電子が飛び出し、そこをM殻が埋めた場合(2つ上の準位)はKβ、L殻の電子が飛び出しそこをM殻が埋めた場合はLα
ちなみに下からK殻、L殻、M殻、N殻の順番です。

エネルギーや半値幅(エネルギーの広がり)の面から一般に用いられてるX線は、AlKα、CuKα、MgKαなどです。

ちょっとうろ覚えなんですが。。。

X線は、フィラメント(主にタングステン(W)が用いられている)から電子を取り出し(加熱で)、それをX線を発生するターゲット(アルミニウム(Al)やマグネシウム(Mg)や銅(Cu))などに電子を衝突させて発生させます。
ターゲットとなる材料の電子軌道はそのエネルギ-準位がとびとびでかつ元素によって特有の値を持ちます。電子衝突によって飛び出した電子が仮にK殻の電子であったとします。K殻は他の殻(LやM)に比べて低いエネルギーにあるので、L殻や...続きを読む

QX線光電子分光法(XPS)について

こんにちは。
XPSについてお尋ねさせてください。

自分は、化学系の大学院を出ていまして、
就職してより現在まで5年ほどXPSで分析を行っています。
なので、XPSについては、それなりに理解はしているつもりです。
(量子論とかは素人なので、あくまで、「それなり」ですが・・・・^^;)

ただ、先日いくつか尋ねられたことについて、明確に答えられなかったので
ここで質問させてください。

◆━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
1.たとえば、炭素(C)や酸素(O)はよく測定する元素種ですが
これらは通常、内殻軌道である1s軌道を評価しますが、
なぜ、2s軌道や2p軌道じゃないのでしょうか?
他原子との結合エネルギーを評価しようとするとき、
こちら(O2s,O2p)でも良いんじゃないか? といった質問でした。

⇒ この質問について、
確かに、XPSでは価電子帯の電子状態に関する情報も得られるが、
価電子帯の電子の束縛エネルギーは低いため、多原子系においては
内殻準位に比較して評価が難しい。
・・・・などど曖昧な(しかも間違っている?)形で答えてしまいました。

これは違うような気もするのですが、
正しい理由をご存知の方がおりましたらお教えください。

◆━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
2.「1.」の問いに関連していますが、
原子が大きくなると、XPSで評価する電子軌道も変わってきます。
たとえば、銀(Ag)= 3d、金(Au)= 4f などですね。

酸素や炭素などの小さな原子は1s軌道で評価するのに、
原子が大きくなるほど、2p→3d→4f・・・となっていくのは何故なのか?
といった質問でした。

⇒ これについては次のように答えています。
原子が大きくなるほど、より内殻側の電子ほど束縛エネルギーが大きくなってしまうので、
固定された照射X線のエネルギーではその電子を光電子として弾き飛ばすことが出来ない。
なので、原子が大きくなるほど、2p→3d→4f・・・となっていく。
と、自分では理解しているのですが、これは正しいでしょうか?

◆━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
3.たとえば、金(Au)などは、4f軌道の評価が一般的だと思うのですが
実際にはAuは4s~5dまでのスペクトルが観測されるようです。
このうちで、なぜ、4f軌道なのでしょうか?

「一番強度が得られる軌道だから」というのは簡単ですが
ひとつの元素について軌道毎に強度が異なる理由があるのでしょうか?
内殻ほど電子密度が高くなって、その分強度が得られるじゃないかとも思うのですが、それは違うのでしょうか。

http://www.sugalab.mp.es.osaka-u.ac.jp/~sekiyama/PES1/kaisetu1_3.html
こちらのサイトでは、そのAuのスペクトルが提示されていますが
4fを境に内殻へいくほど強度が減っています。

電子軌道によって、光電子強度が変わるという理由について教えてください。
もしかして、軌道によって光電子の発生確率が変わるのかな?とも思うのですが
このあたりに関する記述が見つけられませんでした。

XPSに関する書籍でも、「内殻電子を評価する手法」とひとくくりに書かれてしまっているので、詳しいところが不明でした。

◆━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

以上ですが、もしお詳しい方がいらっしゃいましたら
ご教授いただきますようお願いいたします。

宜しくお願いいたします。

こんにちは。
XPSについてお尋ねさせてください。

自分は、化学系の大学院を出ていまして、
就職してより現在まで5年ほどXPSで分析を行っています。
なので、XPSについては、それなりに理解はしているつもりです。
(量子論とかは素人なので、あくまで、「それなり」ですが・・・・^^;)

ただ、先日いくつか尋ねられたことについて、明確に答えられなかったので
ここで質問させてください。

◆━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
1.たとえば、炭素(C)や酸素(O)はよく測定する元素種で...続きを読む

Aベストアンサー

私もXPSを使用したことがあるので、私の考えを述べてみます。

1について、私も同じ考えです。例えば窒素について2sや2pで議論しない理由は、価電子帯の電子由来のピークは炭素や酸素と近い位置にでるため見分けるのが面倒 or これは質問2とも共通するのですが、2s2p軌道の光イオン化断面積が小さいためピーク強度が低くなってしまうからと考えています。

2、3についてもおっしゃられているとおり内殻の電子は光電子として出てこなければ検出できません。出てくる光電子の内、光イオン化断面積の大きな軌道からのピークをみるのが普通だと思います。

QX線回折(XRD)分析の半値幅について

現在粉末用のXRD装置を使用しているのですが、半値幅に含まれる情報に関して教えてください!
参考書などを呼んでいると、結晶性のピークに着目した場合、ピークの半値幅が大きくなるほど結晶子サイズは小さいことを意味すると書いてあり、これはなんとなくわかりました。
しかし、非結晶性のものを測定すると一般的にはブロードピークとなるものが多いかと思うのですが、相互関係がわかりません・・・。非結晶性のものは結晶子サイズが小さいということではないですよね?

段々結晶子サイズが小さくなっていった時に、少しづつピークはブロードに近づくとは思うのですが、
・結晶子サイズが小さくなっている
というのと、
・非結晶性のものである
というものの区別はどうやって判断したらよいのですか?ある程度は半値幅を超えたら非結晶性のものとかいう基準があるのでしょうか?

Aベストアンサー

半値幅から微結晶サイズを求めるシェラーの式は、固体中にある
微結晶のサイズを求めるための式です。適用できる微結晶サイズは
nmオーダから0.1μmまでの範囲です。この点に注意してください。

さて微結晶サイズが小さくなると半値幅はサイズに反比例して拡がり、
ピークはだんだん鈍くなります。さらに小さくなるとブロードで
ガラス等による散乱パターンに似たものになることも有ります。

ピークの拡がりは、1)結晶が十分な大きさで無いこと、2)結晶に
欠陥があるか、または空間的な規則性が低いか、3)装置による制約
から来ます。
原因3)は基準物質を使い補正計算をしてある程度除去することが
できます。
原因1)の影響を考慮したのがシェラーの式ですが、常に原因2)の寄与
も含まれています。
原因2)は小さくても結晶で有れば散乱強度を決める構造因子は定まります。
ここで構造因子に欠陥や小さくなることで発生した構造の乱れを組込めば
非晶性の広がったハローを再現できるかも知れません。
しかし、非晶性物質では構造の乱れは大きすぎ、結晶学的な構造因子は
もう決められません。
その代わりに、原子の相互配置を確率的に表した動径分布関数が散乱強度
の計算に導入されます。
一つの物質からの散乱強度の計算に、ここまでは構造因子方式、ここからは
動径分布関数方式という使い分けはされていません。

したがって、結晶子サイズが小さくなっているというのと、非結晶性の
ものであるということの明確な境界は無いように見えます。
当然、ある半値幅を超えたら非結晶性のものとかいう基準は有りません。

溶融体を急冷して結晶化させようとした場合、できたモノを欠陥だらけの
極微細結晶からなるとするか、非晶質になったと解釈するかは半値幅だけ
からはできないと思います。

半値幅から微結晶サイズを求めるシェラーの式は、固体中にある
微結晶のサイズを求めるための式です。適用できる微結晶サイズは
nmオーダから0.1μmまでの範囲です。この点に注意してください。

さて微結晶サイズが小さくなると半値幅はサイズに反比例して拡がり、
ピークはだんだん鈍くなります。さらに小さくなるとブロードで
ガラス等による散乱パターンに似たものになることも有ります。

ピークの拡がりは、1)結晶が十分な大きさで無いこと、2)結晶に
欠陥があるか、または空間的な規則性が低...続きを読む

QXPSグラフのピークのシフトについて

IGZO-TFTを異なる温度で熱処理したときの、IGZO膜の組成分析をXPSで行っている論文を読んだのですが、「以下のXPSのグラフ(O 1s)のピークが高エネルギー方向に遷移しているのは、酸素空孔の増加を意味している」と書いてありました。

なぜこのようなことが言えるのでしょうか?ピークが高エネルギー方向へシフトするのは、電子密度が下がったときですよね?

Aベストアンサー

酸素空孔が増える→その分、相対的に系全体の電子密度は低下する→酸素のXPSピークが高エネルギーにシフト
という理解で良いかと思ったのですがどうでしょう?
酸素空孔が増える→残った酸素イオンは、まわりの金属イオンにより強くバインドされる→酸素のXPSピークは高エネルギーシフト
の方が分子科学的にはわかりやすいですが。

Q内殻準位の化学シフトと電荷密度の関係(XPS/ESCA)

こんにちは。XPSに表れる化学シフトについて質問させてください。

XPSの化学シフトには分子内の化学的環境が反映されていて、励起対象である原子周辺の結合状態の違い(電荷密度の違い)によって内殻のイオン化ポテンシャルが変化することがその原因であると聞いています。電荷密度の違いによって、外殻電子による内殻電子に対する遮蔽が異ってくるために、内殻電子の束縛エネルギーが変化する、という説明を受けました。

そこで質問なのですが、なぜ電荷密度と内殻イオン化ポテンシャルにそういった関係が表れるのか、よく理解できないでいるのです。そもそも、この説明を正しい理解と考えていいのか疑問があるのです。

例えばアセトン分子CH3C(O)CH3の炭素内殻領域のXPSを考えます。
アセトンには化学的環境の異なる2種の炭素原子(仮にC1とC2)があって、化学シフトが表れると思います。
確かに、隣接原子の電気陰性度の違いから、上述の電荷密度変化によるモデルを用いて説明はできます。

しかし、イオン化ポテンシャルの値が“基底状態とイオン化状態の全エネルギー差(下記の式)”によって計算されることを考えると、(基底状態はどの炭素をイオン化する場合でも同じだから、)それぞれのイオン化状態の安定性がカギになると思うのです。

  IP = E(C1をイオン化) - E(基底)
  IP = E(C2をイオン化) - E(基底)  ←E(基底)はどちらも当然同じはず・・

なので、基底状態における電荷密度の違いが化学シフトに関係するということは、それがイオン化状態の安定性にも影響を与えるということになると思います。

質問をまとめると、まず、

・電荷密度の違いに起因する外殻電子の遮蔽の違いが内殻の束縛エネルギーを変化させるという説明はあくまでごく定性的なもので、正しい理解ではないのではないか。
・基底状態の電荷密度とイオン化状態の安定性にはどのような関係が考えられるのか。

ということです。
そして、いろいろと書きましたが、教えていただきたいのはつまり

・XPSの化学シフトは何が原因で起こるのか

ということに尽きます。。
若輩者ゆえ全く的外れな考えをしているかもしれませんが、何卒ご容赦ください。
それでは、些細なことでも結構ですので回答、アドバイスをよろしくお願いいたします。

こんにちは。XPSに表れる化学シフトについて質問させてください。

XPSの化学シフトには分子内の化学的環境が反映されていて、励起対象である原子周辺の結合状態の違い(電荷密度の違い)によって内殻のイオン化ポテンシャルが変化することがその原因であると聞いています。電荷密度の違いによって、外殻電子による内殻電子に対する遮蔽が異ってくるために、内殻電子の束縛エネルギーが変化する、という説明を受けました。

そこで質問なのですが、なぜ電荷密度と内殻イオン化ポテンシャルにそういった関係が...続きを読む

Aベストアンサー

私の専門外の話題なので、はずしているかも知れませんけど、参考文献と教科書を。

N. M?tensson, A Nilsson "On the origin of core-level binding energy shifts" J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 75, 209-223 (1995).
http://dx.doi.org/10.1016/0368-2048(95)02532-4

日本表面科学会編,X線光電子分光法 7章 状態分析
http://webcatplus-equal.nii.ac.jp/libportal/DocDetail?txt_docid=NCID%3ABA3663278X

Qスペクトルの Fitting について

XPSを用いて測定したスペクトルの
Fitting がうまくいきません。

光イオン化断面積の大きな準位の
比較的対称なピークさえ、
うまくフィットすることができません…
Gauss関数を用いたFittingではうまくいかないものなのでしょうか?

ピークの形に影響を及ぼす要因は
いくつか考えられるのですが
ピークフィットするにあたり
それぞれの要因に対して、どのように重みをつけるべきなのか
全く分かりません

ピークフィットするにあたってよい方法があれば教えてください

Aベストアンサー

#1です。 
◇弾性散乱が主要因です。
お問い合わせの参考資料として、下記HPのNo.1679
XPSにおいて発生分布の非対称に与える弾性散乱効果の検討
佐藤 仁美、田中 彰博、一村 信吾、城 昌利、田沼 繁夫、吉原 一紘
などは kuwamanmaさんのご希望に添える回答として如何でしょうか?

実際、XPS分析にて波形分離すると非対称性入力項がありますネ。

PS;これから出張なので、暫く回答出来ませんが申し訳ございません。

参考URL:http://www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sssj/Vol17/Vol17_08.htm

QXPSについて教えてください。

どうもこんにちは。初めて質問します。
今XPSについていろいろ調べています。
XPSの結果を見ると”atom %”が示してあります。
これは"relative area"から求められているのですが、
この"relative area"とは何なのでしょうか?
そして"area"とどう違うのでしょうか?
ぜひ教えてください。

Aベストアンサー

XPSはX線光電子分光法の略で、ESCAという呼び方もありますので、
こちらでも調べてみてください。

さて、実際に装置で分析をしてみたことがありますでしょうか?
XPSは名前の通り、試料にX線をあて、出てきた電子のエネルギーを
調べます。
X線のエネルギー - 電子のエネルギー = その電子が飛び出してくるのに必要なエネルギー
ということで、それがわかれば、元素がわかるし、その量の割合がわかれば、
各元素の比”atom %”がわかる訳です。

ただ、同じ量のX線をあてても、出てくる電子の量は違います。これを補正するのが、
Sensitivity Factorで、分析装置のPCの中にデータが入っているはずです。
それから、もともと微量だったり、電子の出にくい元素の場合、強度が弱くなるので、
分析回数を増やしたりします。

まず、生データは横軸エネルギーで縦軸は強度ですよね。この面積が"area"。
これに分析回数などの分析条件を考慮に入れる必要があります。
例えば、強度が弱いから他の元素の10倍の回数分析すれば、実際はareaを10で
割ってやる必要があるということです。そして、それにSensitivity Factorを
掛けた(割った?)ものが、"relative area"。そして、その"relative area"
から”atom %”が計算されるのです。

以上

XPSはX線光電子分光法の略で、ESCAという呼び方もありますので、
こちらでも調べてみてください。

さて、実際に装置で分析をしてみたことがありますでしょうか?
XPSは名前の通り、試料にX線をあて、出てきた電子のエネルギーを
調べます。
X線のエネルギー - 電子のエネルギー = その電子が飛び出してくるのに必要なエネルギー
ということで、それがわかれば、元素がわかるし、その量の割合がわかれば、
各元素の比”atom %”がわかる訳です。

ただ、同じ量のX線をあてても、出てくる電子の量は違いま...続きを読む

QXPSの分析結果における強度比とは?

[XPSの分析結果におけるO1s/C1s強度比(測定角80度)の変化]という記述があるのですが、強度比と測定角について教えてください。強度比だけでも結構なので宜しくお願い致します。

Aベストアンサー

強度比とありますが、恐らく生データの強度を比べても意味がないので、
原子数比を行っていると思います。その求め方は参考URLで説明
していますので、見て下さい。

測定角も重要なポイントです。まず、X線の入射ですが、X線は試料の
表面からμmのオーダーで侵入します。で、出てくるのが光電子ですが、
こちらは脱出深さが高々数nm程度です。測定角とは、取り出し角とも言って、
検出器を表面に対してどの角度にするかということです。
Take off angle(TOA)とも書きます。表面に対し何度かで定義する
こともあるし、法線に対しの場合も有るので、注意してください。
仮に、表面からだとすると、 80度というと垂直に近いので、
脱出深さそのものの深さからの情報を見ていることになります。
一方、例えば測定角15度とか、浅い取り出し角の場合、Sinθをかけて、
つまりごく表面の情報だけを見ていることになります。
測定角を振って調べることにより、その元素が表面だけにあるのか、
奥の方にもあるのかといった議論ができます。

以上

参考URL:http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=405544

強度比とありますが、恐らく生データの強度を比べても意味がないので、
原子数比を行っていると思います。その求め方は参考URLで説明
していますので、見て下さい。

測定角も重要なポイントです。まず、X線の入射ですが、X線は試料の
表面からμmのオーダーで侵入します。で、出てくるのが光電子ですが、
こちらは脱出深さが高々数nm程度です。測定角とは、取り出し角とも言って、
検出器を表面に対してどの角度にするかということです。
Take off angle(TOA)とも書きます。表面に対し何度かで定義する
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Q“ in situ ” とはどういう意味ですか

科学の雑誌等で、“ in situ ” という言葉を見ますが、これはどういう意味でしょうか。
辞書では、「本来の場所で」、「もとの位置に」などと意味が書いてありますが、その訳語を入れても意味が通りません。
分かりやすく意味を教えていただけないでしょうか。

Aベストアンサー

「その場所で」というラテン語です(斜体で書くのが一般的です)。

in vitroとかin vivoと同じように、日本語のなかでも訳さないでそのまま「イン シチュ」あるいは「イン サイチュ」というのが普通でそのほうがとおりがいいです。うまい訳語がないですし。

生物学では、in situ hybridizationでおなじみです。この意味は、染色体DNAやRNAを抽出、精製したものを試験管内、あるいはメンブレンにブロットしたものに対してプローブをhybridizationさせるのに対比して、組織切片や組織のwhole mount標本に対してプローブをhybridizationすることをさします。
これによって、染色体上で特定のDNA配列を検出したり、組織標本上で特定のRNAを発現する細胞を検出したりできます。生体内の局在を保った状態でターゲットを検出するということです。

化学反応、酵素反応などでは、溶液中の反応のように、すべての役者が自由に動き回れるような系ではなく、役者のうちどれかがマトリックスに固着していて、その表面だけで反応がおこるようなケースが思い浮かびます。

「その場所で」というラテン語です(斜体で書くのが一般的です)。

in vitroとかin vivoと同じように、日本語のなかでも訳さないでそのまま「イン シチュ」あるいは「イン サイチュ」というのが普通でそのほうがとおりがいいです。うまい訳語がないですし。

生物学では、in situ hybridizationでおなじみです。この意味は、染色体DNAやRNAを抽出、精製したものを試験管内、あるいはメンブレンにブロットしたものに対してプローブをhybridizationさせるのに対比して、組織切片や組織のwhole mount標本に対...続きを読む


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