一般的な結晶構造の載っているホームページを探しています。

体心立方格子や面心立方格子とかも含めて、どんなものでもいいです。綺麗な図とかあればいいと思っています。
できれば、NaCl型やCaF2型の結晶構造も知りたいです。

よろしくお願いします。

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A 回答 (3件)

 


  以下のURLは、結晶構造の一般的な図が載っており、結晶系の分類があります:
  http://masuda.zaiko.kyushu-u.ac.jp/Lecture/5/Def …

  以下のURLは、説明はありませんが、代表的な結晶の三次元図があります。図をドラッグすると、回転するので、三次元的に構造が把握できます(なかなか面白いです……「面心最密構造」・「六方最密構造」・「ダイヤモンド構造」・「せん亜鉛鉱構造」・「ウルツ石構造」・「塩化ナトリウム構造」・「塩化セシウム構造」・「体心立方構造」・「ルチル型構造」・「プロブスカイト型構造」・「ヒ化ニッケル構造」・「あられ石構造」の12種類の立体模型図があります): 
  http://masuda.zaiko.kyushu-u.ac.jp/Lecture/5/Cry …
 
  以下のURLは英文ですが、非常に多数の結晶格子構造の模式図があります。大分類があり、それをクリックすると、詳細な分類の模式図のページが開きます:
  http://cst-www.nrl.navy.mil/lattice/
 
----------------------------
 
  以下のURLには、体心立方格子、面心立方格子の動画像があります。mpgファイルで、それぞれ300キロ近くありますので、ダウンに少し時間がかかるのと、再生装置がないと再生できない可能性があります(大丈夫だと思いますが)
  http://www.scc.kyushu-u.ac.jp/library/mol5/mol5. …
 
  以下のURLには、面心立方格子と体心立方格子の模型図があり、説明もあります:
  http://www.interq.or.jp/world/samonn/koushi.html
 
  以下のURLには、体心立方格子と面心立方格子、そして六方最密構造の模式図があり、また化学結合の一般論の説明があります:
  http://www.gogp.co.jp/chemical/secondpage/kouza/ …
 
  以下のURLにも、金属結晶の体心立方格子、面心立方格子、六方最密構造の模式図があり、説明があります:
   http://www2.yamamura.ac.jp/chemistry/chapter1/le …
  
----------------------------

  以下のURLは、体心立方格子、面心立方格子、食塩(NaCl)、ホタル石(CaF2)などの結晶立体模型の作り方のページですが、完成図の写真などがリンクであります。なかなか綺麗です。
  http://www2m.biglobe.ne.jp/~tfuna/model/unitcell …
 
  以下のURLも、体心立方格子、面心立方格子、食塩(NaCl)、ホタル石(CaF2)などの結晶立体模型の作り方のページですが、完成図の写真などがリンクであります。
  http://www2m.biglobe.ne.jp/~tfuna/model/unitcell …
 
  以下のURLには、NaCl型とCsCl型の二つのイオン結晶の模式図があります。
  http://www.nucleng.kyoto-u.ac.jp/People/ikuji/ed …
 
  以下には、模式図はありませんが、光学結晶のタイプの特性表があります:
  http://www.oken.co.jp/jpn_g/tokusei.html
 
  以下は、上の続きのページで、光学結晶の特性表のページです:
  http://www.oken.co.jp/jpn_g/tokusei2.html
 

参考URL:http://masuda.zaiko.kyushu-u.ac.jp/Lecture/5/Cry …
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この回答へのお礼

結晶構造ってかなりたくさんあるんですね。びっくりしました。
ドラッグすると回転するものには驚きました。
とてもご丁寧に調べていただいてありがとうございました。

お礼日時:2001/12/19 08:59

「Crystal World」


Ca2F構造、NaCl構造、その他数種類の結晶構造が図示されています。
http://www.nda.ac.jp/cc/mse/_development/Abe/cry …

「代表的な結晶構造」
http://masuda.zaiko.kyushu-u.ac.jp/Lecture/5/Cry …

参考になりますでしょうか。

参考URL:http://www.nda.ac.jp/cc/mse/_development/Abe/cry …
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この回答へのお礼

結構わかりやすいホームページを教えていただいてありがとうございました。凄く絵がきれいだったのでなんか嬉しかったです。

お礼日時:2001/12/19 08:57

素人には、ここを見つけるのが精一杯です。



参考URL:http://www.cc.yamaguchi-u.ac.jp/~naka/nakahrem.h …
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この回答へのお礼

わざわざ調べていただいてありがとうございました。

お礼日時:2001/12/19 08:56

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Qミラー指数:面間隔bを求める公式について

隣接する2つの原子面の面間隔dは、ミラー指数hklと格子定数の関数である。立方晶の対称性をもつ結晶では

d=a/√(h^2 + k^2 + l^2) ・・・(1)

となる。

質問:「(1)式を証明せよ」と言われたのですが、どうすれば言いかわかりません。やり方を教えてもらえませんか_| ̄|○

Aベストアンサー

「格子定数」「ミラー指数」などと出てくると構えてしまいますが、この問題の本質は3次元空間での簡単な幾何であり、高校生の数学の範囲で解くことができます。

固体物理の本では大抵、ミラー指数を「ある面が結晶のx軸、y軸、z軸を切る点の座標を(a/h, b/k, c/l)とし、(h, k, l)の組をミラー指数という(*1)」といった具合に説明しています。なぜわざわざ逆数にするの?という辺りから話がこんがらがることがしばしばです。
大雑把に言えばミラー指数は法線ベクトルのようなものです。特に立方晶であれば法線ベクトルと全く同じになります。すなわち立方晶の(111)面の法線ベクトルは(1,1,1)ですし、(100)面の法線ベクトルは(1,0,0)です。法線ベクトルなら「ミラー指数」よりずっと親しみがあり解けそうな気分になると思います。

さて(hkl)面に相当する平面の方程式を一つ考えてみましょう。一番簡単なものとして
hx + ky + lz=0  (1)
があります。(0,0,0)を通る平面で法線ベクトルは(h,k,l)です。
これに平行な、隣の平面の式はどうでしょうか。
hx + ky + lz = a  (2a)
hx + ky + lz = -a  (2b)
のいずれかです。これがすぐ隣の平面である理由(そのまた間に他の平面が存在しない理由)は脚注*2に補足しておきました。
点と直線の距離の公式を使えば、題意の面間隔dは原点(0,0,0)と平面(2a)の間隔としてすぐに
d=a/√(h^2+k^2+l^2)  (3)
と求められます。

点と直線の距離の公式を使わなくとも、次のようにすれば求められます。
原点Oから法線ベクトル(h,k,l)の方向に進み、平面(2a)とぶつかった点をA(p,q,r)とします。
OAは法線ベクトルに平行ですから、新たなパラメータtを用いて
p=ht, q=kt, r=lt  (4)
の関係があります。
Aは平面(2a)上の点でもありますから、(4)を(2a)に代入すると
t(h^2+k^2+l^2)=a
t=a/(h^2+k^2+l^2)  (5)
を得ます。
ここにOAの長さは√(p^2+q^2+r^2)=|t|√(h^2+k^2+l^2)なので、これを(5)に代入して
|a|/√(h^2+k^2+l^2)  (6)
を得ます。OAの長さは面間隔dにほかならないので、(3)式が得られたことになります。

bokoboko777さん、これでいかがでしょうか。

*1 (h, k, l)の組が共通因数を持つ場合には、共通因数で割り互いに素になるようにします。例えば(111)面とは言いますが(222)面なる表現は使いません。
*2 左辺はhx+ky+lzでよいとして、なぜ右辺がaまたは-aと決まるのか(0.37aや5aにならないのは何故か)は以下のように説明されます。
平面をhx+ky+lz = C (Cはある定数)と置きます。この平面は少なくとも一つの格子点を通過する必要があります。その点を(x0,y0,z0)とします。
h,k,lはミラー指数の定義から整数です。またx0,y0,z0はいずれもaの整数倍である必要があります(∵格子点だから)。すると右辺のCも少なくともaの整数倍でなければなりません。
次に右辺の最小値ですが、最小の正整数は1ですから平面hx + ky + lz = aが格子点を通るかどうかを調べ、これが通るなら隣の平面はhx + ky + lz = aであると言えます。このことは次の命題と等価です。
<命題>p,qが互いに素な整数である場合、pm+qn=1を満たす整数の組(m,n)が少なくとも一つ存在する
<証明>p,qは正かつp>qと仮定して一般性を失わない。
p, 2p, 3p,...,(q-1)pをqで順に割った際の余りを考えてみる。
pをqで割った際の余りをr[1](整数)とする。同様に2pで割った際の余りをr[2]・・・とする。
これらの余りの集合{r[n]}(1≦n≦(q-1))からは、どの二つを選んで差をとってもそれはqの倍数とは成り得ない(もし倍数となるのならpとqが互いに素である条件に反する)。よって{r[n]}の要素はすべて異なる数である。ところで{r[n]}は互いに異なる(q-1)個の要素から成りかつ要素は(q-1)以下の正整数という条件があるので、その中に必ず1が含まれる。よって命題は成り立つ。

これから隣の平面はhx + ky + lz = aであると証明できます。ただここまで詳しく説明する必要はないでしょう。証明抜きで単に「隣の平面はhx + ky + lz = aである」と書くだけでよいと思います。

参考ページ:
ミラー指数を図なしで説明してしまいましたが、図が必要でしたら例えば
http://133.1.207.21/education/materdesign/
をどうぞ。「講義資料」から「テキスト 第3章」をダウンロードして読んでみてください。(pdfファイルです)

参考URL:http://133.1.207.21/education/materdesign/

「格子定数」「ミラー指数」などと出てくると構えてしまいますが、この問題の本質は3次元空間での簡単な幾何であり、高校生の数学の範囲で解くことができます。

固体物理の本では大抵、ミラー指数を「ある面が結晶のx軸、y軸、z軸を切る点の座標を(a/h, b/k, c/l)とし、(h, k, l)の組をミラー指数という(*1)」といった具合に説明しています。なぜわざわざ逆数にするの?という辺りから話がこんがらがることがしばしばです。
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Q格子定数の求め方教えてください!!

こんにちは。
僕は、結晶学を勉強している大学生です。
現在、斜方晶構造の格子定数を算出しようと勉強しているのですが格子定数a, b, cを求める式を作ることができません。ご存知の方教えて教えて下さい。
斜方晶の関係式は以下のようになります。
1/d^2 = h^2/a^2 + k^2/b^2 + l^2/c^2
d, h, k, lの値は既知でa=,b=,c=の式を教えていただきたいです。
また、格子定数を簡単に求められるソフトなどをお知りであれば教えて下さい。
どうかよろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

> 格子定数a, b, cを求める式を作ることができません。

これは初等数学の教えるとおり,線形独立な(=異なる面方位の)3つ以上の関係がない限り,どうやっても求まりません。線形独立な式が3つあるなら,三元一次連立方程式を解けばよいだけです。

> 斜方晶の関係式は以下のようになります。

斜方晶だけでなく,正方晶でも立方晶でも成り立ちます。

> 格子定数を簡単に求められるソフト

XRD などのブラッグの回折パターンから格子定数を精密に求めるには,通常,リートベルト解析という計算を行います。RIETAN というソフトが有名です。ただ,大雑把で良くて,点群が分かっていて面指数まで分かっているなら,電卓で十分計算できると思います。

Q金属、半導体の抵抗の温度変化について

金属は温度が高くなると抵抗が大きくなり、半導体は温度が高くなると抵抗が小さくなるということで、理論的にどうしてそうなるのでしょうか。
金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?
半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。
あと自分で調べていたところ「バンド理論」というのを目にしました。
関係があるようでしたらこれも教えて頂くとありがたいです。

Aベストアンサー

こんにちは。

>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。

半導体の中において金属の自由電子に相当するものは、電子とホールです。この2つは電流を担う粒子ですので、「キャリア」(運ぶ人)と言います。
ホールは、半導体物理学においてプラスの電子のように扱われますが、その実体は、電子が欠けた場所のことを表す「穴」のことであって、おとぎ話の登場人物です。
電子の濃度とホールの濃度に違いがあったとしても、一定の温度においては、両者の濃度の積は一定です。
これは、水溶液において、H+ と OH- の濃度の積が一定(10^(-14)mol^2/L^2)であるのと実は同じことなのです。

中性の水溶液の温度が高くなると、H2O が H+ と OH- とに解離しやすくなり、H2O に戻る反応が劣勢になります。
それと同様に、真性半導体においても、温度が上がると電子とホールが発生しやすくなるのに比べて、両者が出合って対消滅する反応が劣勢になるため、両者の濃度の積は増えます。
キャリアが増えるので、電流は流れやすくなります。

こんにちは。

>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。

半導体...続きを読む

Q正四面体のイオン半径比

四配位の、つまり正四面体のイオン半径比ってどう考えて求めるんですか?
考え方が思い浮かばないんですが、どなたか知ってる人いますか?

Aベストアンサー

ちょっと前に同じ質問をしました。参考URLを見てください。よく分かると思います。ちなみにカチオンを陽イオン、アニオンを陰イオンと読み替えてください

参考URL:http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=66585

Qカチオンとアニオンの半径比について

今上記のことを勉強していて、正四面体の中心にあるカチオンと正四面体の各頂点にあるアニオンの半径比を計算で求めようとしていますが分かりません 正四面体の各辺を2とおいて(つまりアニオンの半径が1)やっているのですが・・・   ちなみに答えは、アニオンの半径を1にするとカチオンは0.225らしいです 図形を使う問題なので答えるのは難しいと思いますが宜しくお願いします

Aベストアンサー

立体図形は断面で考えるのが一番ですね。

正四面体A-BCDを考えます。Aが頂点でBCDを底面としましょう。
CDの中点をEとします。
頂点A, B, C, Dを中心としてアニオンが配置されているとします。

面ABEで、イオンごと切断した面を考えましょう。
この面(AE=BEの2等辺三角形)内にはまず、
点Aを中心とする半径1のアニオンの断面・・・切断面では円になりますが・・・があります。
同じく点Bを中心として、半径1のアニオンがあります。

題意のカチオンの中心Oは面ABE内に位置するはずですが、
(1)カチオンを表す円は上記の二つの円と接している
(2)頂点Aから辺BEにおろした垂線を考えると、Oはその線上にある(対称性から)
の2つでカチオン(の断面)を表す円は一意に決まります。

以下はOを定めるための数学テクニック上のお話です。
(2)の垂線の足をHとすると、Hは底面BCDの重心になります。
また頂点Bから面ACDにおろした垂線の足をH'とすると、同様にH'は△ACDの重心で、
かつOは線分BH'上に存在します。

この先は力づくでもなんでも解けるのですが、中学校の数学まででやるとすると、
(1)面ABE内で、Hを通りBH'に平行な補助線を引く。この補助線がAEと交わる点をFとおく。
(2)三角形BH'Eと三角形HFEの相似を考え、H'F:FE =2:1と求められる。
(3)これより、AO:OH=3:1と求まる。

AHの長さですが、正四面体の一辺の長さを2とするならピタゴラスの定理より2√6/3と求められます。
AOの長さはその3/4ですから √6/2 です。
これから、Aを中心とするアニオンの半径1を引き算すればよいので
(2.44949..../2)-1=0.22474...

と求まります。
これでいかがでしょう?

立体図形は断面で考えるのが一番ですね。

正四面体A-BCDを考えます。Aが頂点でBCDを底面としましょう。
CDの中点をEとします。
頂点A, B, C, Dを中心としてアニオンが配置されているとします。

面ABEで、イオンごと切断した面を考えましょう。
この面(AE=BEの2等辺三角形)内にはまず、
点Aを中心とする半径1のアニオンの断面・・・切断面では円になりますが・・・があります。
同じく点Bを中心として、半径1のアニオンがあります。

題意のカチオンの中心Oは面ABE内に位置するはずですが、
(1)カチ...続きを読む

Q標準自由エネルギー変化について教えてください。

お願いします。
基礎中の基礎です。しかし混乱してます
標準自由エネルギー変化ΔG゜と自由エネルギー変化ΔGの違いが分かりません。

まず標準自由エネルギー変化ですが
aA+bB⇔cC+dDと言う反応があると
ΔG゜=各物質の生成ΔGfの合計=[c×ΔGfC]+[d×ΔGfD]-[a×ΔGfA]-[b×ΔGfB]だと思うのですが・・・
質問1:ΔG゜<0ですと反応は右に進まないはず。でもなぜ?
質問2:ΔG゜とはそもそも何を表しているのですか?(僕自身の薄学では生成側にそれだけエネルギーが偏っている?)
質問3:ΔG゜=-AとするとAが大きいほど反応は進みやすのでしょうか?(これ本当に分かりません・・)

自由エネルギー変化ΔGについてです
ΔG=ΔG゜+RTlnK
aA+bB⇔cC+dDと言う反応ではモル分圧平衡定数とするとK=([P_C]^c・[P_D])^d÷([P_A]^a・[P_B]^b)
です。
質問4:そもそもΔGとは何を表現しているのですか?平衡だとΔG=0となる。これはどういうこと?
質問5:ΔG゜=-RTlnKですが、通常ΔGというとみんなこの方法で算出してしまいます。ここで標準自由エネルギー変化ΔG゜と自由エネルギー変化ΔGをごっちゃにするとエライ事になりそうですが・・・
質問6:ΔG=ΔG゜+RTln([P_C]^c・[P_D])^d÷([P_A]^a・[P_B]^b)でよく25℃、1atmの濃度や分圧を入れてΔGを出してますが、これはどう解釈したらよいのでしょうか?その濃度や分圧のときの自由エネルギーということ?でもそれなら25℃、1atmの生成ΔGfから算出したΔG゜とΔGが同じにならないとおかしくありませんか?
質問:そもそも上記の考え方にどこかおかしいから悩んでいるので、指摘していただけたら幸いです。

お願いします。
基礎中の基礎です。しかし混乱してます
標準自由エネルギー変化ΔG゜と自由エネルギー変化ΔGの違いが分かりません。

まず標準自由エネルギー変化ですが
aA+bB⇔cC+dDと言う反応があると
ΔG゜=各物質の生成ΔGfの合計=[c×ΔGfC]+[d×ΔGfD]-[a×ΔGfA]-[b×ΔGfB]だと思うのですが・・・
質問1:ΔG゜<0ですと反応は右に進まないはず。でもなぜ?
質問2:ΔG゜とはそもそも何を表しているのですか?(僕自身の薄学では生成側にそれだけエネルギーが偏っている?)
質問3:ΔG゜=-Aとすると...続きを読む

Aベストアンサー

>平衡になったときのモル分率やモル濃度を入れると、当然RTlnKは
>-ΔG゜と同じになるはずですよね?

ΔG=ΔG゜+RTlnKですよね。平衡状態ではΔG=0なので、
RTlnK=-ΔG゜ または -RTlnK=ΔG゜で間違いないと思います。

>一般的にΔG゜って各物質の生成ΔGfの合計から算出するじゃないですか?

違うと思います。
ΔG゜=ΣΔGf゜(生成物)- ΣΔGf゜(反応物) だと思います。

標準生成自由エネルギーと自由エネルギー変化を混同しては行けません。
自由エネルギーやエンタルピーの絶対値を調べるのは大変なので
変化量を指標に用いていることは同じですが、標準生成自由エネルギーは、すべての元素が標準状態にあるとき自由エネルギーを0として、それらの単体から生成される化合物を上記の式を使って計算した物です。

反応が自発的に進むためにはΔGがマイナスでなければなりません。
ΔGは自由エネルギー変化です。
標準生成自由エネルギーΔG゜とは違います。
-RTlnK=ΔG゜ という関係から ΔG゜が負の時はKが1よりも大きい事を意味し、正の時には、その反応が進まないということではなくKが1よりも小さいことだけを意味します。
ΔG゜が大きな正の値をとるとKは著しく小さくなり、平衡点は原系の方に極端に片寄ることを意味しています。
ΔG゜=0ならばK=1ということです。

>平衡になったときのモル分率やモル濃度を入れると、当然RTlnKは
>-ΔG゜と同じになるはずですよね?

ΔG=ΔG゜+RTlnKですよね。平衡状態ではΔG=0なので、
RTlnK=-ΔG゜ または -RTlnK=ΔG゜で間違いないと思います。

>一般的にΔG゜って各物質の生成ΔGfの合計から算出するじゃないですか?

違うと思います。
ΔG゜=ΣΔGf゜(生成物)- ΣΔGf゜(反応物) だと思います。

標準生成自由エネルギーと自由エネルギー変化を混同しては行けません。
自由エネルギーやエンタルピーの絶対値を調べる...続きを読む

Q体心立方の四面体空隙

格子定数aの体心立方構造の四面体空隙に入る最大の剛体球の求め方を教えてください。

Aベストアンサー

1.体心立方の構成球の最大半径を求める。
立方体の対角線。
2.四面体空隙の重心はわかっているようだから、ここから各頂点までの距離を求める。すべて等しいはず。
ピタゴラス。
3.この距離から構成球の半径を引けば、四面体空隙に入る最大の剛体球の半径が求まるのじゃないか。

Q面間隔の意味がわかりません

面間隔の意味がわかりません
立方格子の結晶面(hkl)の面間隔=a/√(h^2+k^2+l^2)(式(1))だと習いました.
この式の説明として「面間隔は原点から面までの距離」ということが出てきました.
僕は面間隔の説明として「ある面の面間隔は,その隣りの立方格子の同じ位置にある結晶面までの距離」だと思っていました.

ここで思ったことがあります.
結晶面(020)の面間隔を求めるとします.

この数値式(1)に代入するとd=a/2となります.
これが正しいなら「面間隔は原点から面までの距離」と言う説明があっているような気がします.

しかし,(020)は最もかんたんな整数比に直すと(010)となり,面間隔d=aとなります.
これが正しいなら「ある面の面間隔は,その隣りの立方格子の同じ位置にある結晶面までの距離」が合っている気がします.

どちらが面間隔の説明として正しいのですか?

Aベストアンサー

結晶模型を組んで横から見てください。
1つの面上に格子点が並んでいる面がいくつか見えます。
こういう面があるということがまず出発点です。

>面間隔は原点から面までの距離

原点は数学的な原点ではありません。格子点の1つです。
立方格子の1つの格子点を原点にとっているのです。
この原点を通る面も同じようにあるのです。
「原点から面までの距離」というのは
「原点を通る面とその隣の面までの距離」と言っていることと同じです。

立方格子の結晶模型といっても立方格子を作る6つの格子点だけでできた模型を考えている場合が多いです。体心立方格子ならその中にもうひとつ格子点を入れます。
これでは面を考えるのには不足です。
10個ぐらい立方体が繋がっている模型を作って考えてみてください。

Qダイヤモンドの構造因子

ダイヤモンドの構造因子を求めると
f{1+exp(-πi(h+k))+exp(-πi(k+l))+exp(-πi(l+h))+exp((-πi/2)(h+k+l))+exp((-πi/2)(3h+3k+l))+exp((-πi/2)(3h+k+3l))+exp((-πi/2)(h+3k+3l))}
となったのですが、この構造因子が0になる指数がうまく求められません。どのように考えればよいでしょうか。

Aベストアンサー

面心立方の原子位置は

(0,0,0) (1/2,1/2,0) (1/2,0,1/2) (0, 1/2, 1/2)

これをベクトルでri (i=1-4)と書くことにします.

ダイアモンド格子はこの座標に(1/4,1/4,1/4)を加えた位置に同種原子を置くことで構成されます.そこで(1/4,1/4,1/4)をベクトルdと書くことにすると,追加した原子の位置ベクトルはd+ri (i=1-4).したがって,逆格子ベクトルをGとして構造因子は

S = f Σ[i=1-4] { e^{-2πi G・ri} + e^{-2πi G・(d+ri)}
= f (1 + e^{-2πi G・d} ) (Σ[i=1-4] e^{-2πi G・ri})
= (1 + e^{-2πi・(h+k+l)/4}) S(FCC)

従って消滅則はFCCの消滅則に加えて前の()が0になる条件として

2π(h+k+l)/4 = (2n+1)π 従って h+k+l = 4n+2

が追加になります.

QXRDの2θ/θ法について教えてください。

XRDの2θ/θ法とはいったいなんなのですか。

よろしくお願いします。

Aベストアンサー

X線を試料水平方向に対してθの角度で入射させ、
試料から反射して出てくるX線のうち、
入射X線に対して2θの角度のX線を検出し、
θに対するその強度変化を調べる手法。
(入射X線源は固定して、試料をθ動かし、検出器を2θ動かす)

このとき、θを細かく変えて(例えば20°から70°)その強度変化を調べると、Bragg条件
2d sin(θ) = nλ (λはX線の波長、dは結晶の原子面間隔。nは整数)
を満たすときにX線強度が強まるので、Braggの式から面間隔がわかり、最終的には試料の結晶構造がわかります。

詳しくは専門書をご覧ください。例えば
カリティ著「X線回折要論」(アグネ)
はわかりやすい気がします。


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