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半導体関係に詳しい方でアニールをする目的を教えてください。

A 回答 (3件)

不純物を注入したシリコン断面はバラバラになっており、


それを酸化炉の高温下で不純物を整列される目的だったと思います。

※イオン加速器内で高真空化で電子をイオン化して不純物のガスを注入します。
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一般的には,結晶中の乱れや応力を減らす目的で一定時間高温に保つ工程のことをアニールと言います。

熱エネルギーを与えることで結晶をエネルギー的により安定な状態に近づけようとするわけです。
有名なものにシリコンにおけるイオン打ち込み工程後のアニール,青色発光ダイオードでのp型伝導を得るためのアニールなどがあります。前者では高速イオンの衝撃によって生じた原子配列の乱れを減らします。後者ではp型伝導をじゃまする水素を結晶から追い出すことが目的です。
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 半導体製造のどの工程での話を指しているのか分かりませんが、


一般的には加工時に発生した応力を緩和させるためではないかと
思います。

 
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Q波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式は?

波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式を知っていたら是非とも教えて欲しいのですが。
どうぞよろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

No1 の回答の式より
 E = hc/λ[J]
   = hc/eλ[eV]
となります。
波長が nm 単位なら E = hc×10^9/eλ です。
あとは、
 h = 6.626*10^-34[J・s]
 e = 1.602*10^-19[C]
 c = 2.998*10^8[m/s]
などの値より、
 E≒1240/λ[eV]
となります。

>例えば540nmでは2.33eVになると論文には書いてあるのですが
>合っているのでしょうか?
λに 540[nm] を代入すると
 E = 1240/540 = 2.30[eV]
でちょっとずれてます。
式はあっているはずです。

Q熱アニーリングによる結晶化

被膜などを作製する場合、堆積させる基板の温度、
または作製された被膜を熱処理することで結晶化を得るというのはよく知られていると思います。
しかしその結晶化する理由として、「熱を与えることで被膜中の分子に熱エネルギーが与えられて
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熱を与えることによって結晶化が促進されて理由をもう少し詳しく知りたいので
どなたかご教授願いますm(__)m

Aベストアンサー

アニールや基板温度による結晶化のプロセスには2通り有ります。

1.安定相への移行の促進
 回答1でも述べられているように、本来、室温でエネルギー的に安定な平衡相への移行の促進。手法によっても違いますが、ほとんどの気相法による薄膜作製では、物質は高温状態(蒸気状)から急速に低温(室温)まで急冷(クウェンチ)されます。そのために、本来は室温では不安定なはずの構造(例えばアモルファス構造)のまま凍結されてしまいます。この薄膜に熱を加えることで原子が動きやすくなり、準安定状態に留まっている原子が、その束縛を離れて、もっとエネルギーの低い安定状態の配置へと再配列を行えるわけです。
 基板温度を上げる場合には、上述のクウェンチ速度がゆるめられて、基板到達後の原子がしばらく動き回れるエネルギーを持つので、安定状態の結晶構造を形成しやすくなります。
 回答2の説明に有る、微結晶や表面で融点が低下するのは事実ですが、結晶化のためのアニールには融解までさせる必要は有りません。

2.高温相のクウェンチ
 これは、上の場合とは逆で、室温付近では別の構造が安定な物質に対して、基板温度を上げたり高温アニールして一度高温で安定な結晶構造を形成させた後、室温にクウェンチすることで高温相の結晶構造を保持するケースです。

アニールや基板温度による結晶化のプロセスには2通り有ります。

1.安定相への移行の促進
 回答1でも述べられているように、本来、室温でエネルギー的に安定な平衡相への移行の促進。手法によっても違いますが、ほとんどの気相法による薄膜作製では、物質は高温状態(蒸気状)から急速に低温(室温)まで急冷(クウェンチ)されます。そのために、本来は室温では不安定なはずの構造(例えばアモルファス構造)のまま凍結されてしまいます。この薄膜に熱を加えることで原子が動きやすくなり、準安定状態に...続きを読む

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間の抜けた質問のようで申し訳ないのですが、オーミック接触ってどんな時に重要なのでしょうか?
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Aベストアンサー

半導体と金属を接触(接合)させ、ある処理をするとジャンクション特性が出て来ます。つまり、金属から半導体に電流を流す際の特性と半導体から金属に電流を流す際の特性が変わってきます(簡単に考えるとダイオード特性と思ってください)。また、電圧-電流特性が一次式以外の特性(例えば二次特性)となります。

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Aベストアンサー

こんにちは。

>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。

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>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

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Qエクセルで計算すると2.43E-19などと表示される。Eとは何ですか?

よろしくお願いします。
エクセルの回帰分析をすると有意水準で2.43E-19などと表示されますが
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回帰分析でR2(決定係数)しかみていないのですが
どうすれば回帰分析が分かるようになるのでしょうか?
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教えてください。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
・になります。ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるための指数表記のことですよ。
・よって、『2.43E-19』とは?
 2.43×1/(10の19乗)で、
 2.43×1/10000000000000000000となり、
 2.43×0.0000000000000000001だから、
 0.000000000000000000243という数値を意味します。

補足:
・E+数値は 10、100、1000 という大きい数を表します。
・E-数値は 0.1、0.01、0.001 という小さい数を表します。
・数学では『2.43×10』の次に、小さい数字で上に『19』と表示します。→http://ja.wikipedia.org/wiki/%E6%8C%87%E6%95%B0%E8%A1%A8%E8%A8%98
・最後に『回帰分析』とは何?下の『参考URL』をどうぞ。→『数学』カテゴリで質問してみては?

参考URL:http://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%9B%9E%E5%B8%B0%E5%88%86%E6%9E%90

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
・になります。ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるた...続きを読む

QX線のKαって何を意味するのでしょう?

タイトルのまんまですが、XRD、XPSなどで使われる特性X線のCu-Kα線、Mg-Kα線のKαってなにを意味するものなのでしょうか?
ちょっと気になった程度のことなので、ご覧のとおり困り度は1ですが、回答もきっとそんなに長くならないんじゃないかと思うのでだれか暇な人教えて下さい。

Aベストアンサー

ちょっとうろ覚えなんですが。。。

X線は、フィラメント(主にタングステン(W)が用いられている)から電子を取り出し(加熱で)、それをX線を発生するターゲット(アルミニウム(Al)やマグネシウム(Mg)や銅(Cu))などに電子を衝突させて発生させます。
ターゲットとなる材料の電子軌道はそのエネルギ-準位がとびとびでかつ元素によって特有の値を持ちます。電子衝突によって飛び出した電子が仮にK殻の電子であったとします。K殻は他の殻(LやM)に比べて低いエネルギーにあるので、L殻やM殻の電子は安定した状態を保とうと、K殻へ落ち込みます。このとき(K殻のエネルギー)-(L殻のエネルギー)に相当するエネルギーがあまるので、これがX線となりこのエネルギーをもつX線が発生します。

そこで、potemkineさんの質問にあるとおり、Kαとかの命名法ですが、Kに相当するものは電子が衝突して飛び出した殻を示し、αは飛び出した殻に対していくつ外側の殻から電子が飛び出したのかを示すもので、1つ上からならα、2つ上ならβ。3つ上ならγといったようにあらわします。
例えば、K殻の電子が飛び出し、そこをM殻が埋めた場合(2つ上の準位)はKβ、L殻の電子が飛び出しそこをM殻が埋めた場合はLα
ちなみに下からK殻、L殻、M殻、N殻の順番です。

エネルギーや半値幅(エネルギーの広がり)の面から一般に用いられてるX線は、AlKα、CuKα、MgKαなどです。

ちょっとうろ覚えなんですが。。。

X線は、フィラメント(主にタングステン(W)が用いられている)から電子を取り出し(加熱で)、それをX線を発生するターゲット(アルミニウム(Al)やマグネシウム(Mg)や銅(Cu))などに電子を衝突させて発生させます。
ターゲットとなる材料の電子軌道はそのエネルギ-準位がとびとびでかつ元素によって特有の値を持ちます。電子衝突によって飛び出した電子が仮にK殻の電子であったとします。K殻は他の殻(LやM)に比べて低いエネルギーにあるので、L殻や...続きを読む

Q「ご連絡いたします」は敬語として正しい?

連絡するのは、自分なのだから、「ご」を付けるのは
おかしいのではないか、と思うのですが。
「ご連絡いたします。」「ご報告します。」
ていうのは正しい敬語なのでしょうか?

Aベストアンサー

「お(ご)~する(いたす)」は、自分側の動作をへりくだる謙譲語です。
「ご連絡致します」も「ご報告致します」も、正しいです。

文法上は参考URLをご覧ください。

参考URL:http://www.nihongokyoshi.co.jp/manbou_data/a5524170.html

Q【半導体】熱処理(拡散)で処理するデポとドライブインについて・・

こんにちは。お世話になります。。
では唐突ながらお尋ねします。

★熱処理(拡散)で処理するデポとドライブインについてなのですが、
不純物を混入する工程で
アニールで満遍なく・・

★縦型炉より横型炉のほうが温度が高くなる性質がある・・

★横型炉にウエハを入れる場合、時間をかけないとウエハ自体、変形してしまう。

★高純度の石英ガラスを使う・・

ということを専門書で知りました。
ご存知の方
くわしくご教授おしえてくださいませ。。

Aベストアンサー

詳しくは説明できませんが・・・。

デポジッション:所定の不純物濃度をシリコン表面に付着させる工程。
ドライブイン:所定の不純物分布と拡散深さを得るための工程。
ですよね。つまりデポで不純物の量を決定し、ドライブインで拡散深さを決める。

初期は横型を使用してました。理由は処理枚数の多さとウェハーは垂直配置の為、自重による応力にも強かったため。しかし、大気の巻き込みや炉内雰囲気や断面灼熱の制御の困難性がネックとなり、改善の為に縦型が開発されました。ロードロックシステムを採用し、大気の巻き込みを防止し、石英チューブとボードの間隔の縮小でコンパクト化が可能になりました。しかし、ウェハー保持を端部の3,4点で支持するために応力を受けやすく、低温化で改善を進めている。ゆえに横型の方が高くなると言うよりも、横型を低くしないと影響を受けやすいからだと思います。

また高純度の石英ではなく、低純度の石英の場合、雰囲気で反応してしまうからだと思います。

Q結晶の面方位について

結晶の面方位(111)(110)(0001)などの表し方の基本を説明している書籍・サイトがあれば教えてください

Aベストアンサー

結晶構造の(abc)面の意味は、資料 [1] が参考になります(図の緑色の面がその面)。このサイトで結晶構造に関する質問 [2], [3] が過去にありますので、その回答の参考URLも参照してみてください( sanori さんと重複してないかな)。面方位は面指数とかミラー指数とも言います。

[1] ミラー指数 http://www.f-denshi.com/000okite/300crstl/304cry.html
[2] 結晶構造 http://oshiete1.goo.ne.jp/qa661938.html
[3] X線回析の結果から分からない言葉が・・ http://oshiete1.goo.ne.jp/qa1976049.html

Q化合物半導体の用語で『リセス』の意味を教えて下さい。

はじめまして。化合物半導体業界で使われています用語で『リセス』って言葉があると思いますが、これは何を指しているのですか?ゲートの周りをエッチングする事を『リセス』と言うのですか?それは、何の為にするのでしょうか?

Aベストアンサー

わたしもWEBで調べただけなので、「自信無し」ですが、「ソースとドレイン間の溝」と書いてあります。
RECESS:休憩、奥まったところ、くぼみ

もう一つの参考URLもどうぞ。
http://www.toshiba.co.jp/tech/review/1996/07/f02/ff02z1_j.htm

これはおまけですが、綴りが書いてありました。
http://www2s.biglobe.ne.jp/~m_nori/

参考URL:http://www.nec.co.jp/japanese/today/newsrel/9505/1102.html


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