結晶系と比較して光の吸収率がよいので薄くても同等?の変換効率が得られるのは
理解したのですが、それを厚く作ったらどうなるのでしょうか?変換効率はあがる
のでしょうか?自分でそれなりに本などを読んだのですがこのことについては触れ
られていないので誰かご存知でしたら教えてください。

このQ&Aに関連する最新のQ&A

A 回答 (2件)

例えばタンデム構造で膜厚さを厚くすることで,変換効率を上げることができます。

一番上の層から,バンドギャップ(エネルギーギャップ)の大きいものから順に小さくして,膜を厚くすれば効率は上がると思います。(光のエネルギーが膜の奥深くまで届くため。)
    • good
    • 0
この回答へのお礼

回答ありがとうございます。
タンデム構造というのは、たしかpinの組み合わせを二層にする方法のことですよね。
私が知りたいのは単純にpinの一層で膜厚を厚くするとどうなるのかということなのです。
質問の言葉が少し足りなくてすみません。
もしご存知でしたらご教授ください。

お礼日時:2002/01/24 16:57

 詳しくはないのですが、吸収率の高い物質は膜厚方向の遠い所まで光が届かないので有効に働かない。


 固有抵抗が災いして、電流が取り出せない・・・などが理由で効率的に最適膜厚があるのではないでしょうか。
    • good
    • 0
この回答へのお礼

回答ありがとうございました。
もう少し勉強してみます。

お礼日時:2002/01/23 10:35

お探しのQ&Aが見つからない時は、教えて!gooで質問しましょう!

このQ&Aと関連する良く見られている質問

Q太陽電池の測定方法(変換効率の求め方)カテゴリーを間違えたので再登録です(生物→物理)。

太陽電池の変換効率を求める際、短絡電流と開放電圧のグラフI-V特性を求めるのですが、この短絡電流と開放電圧をどのように測定すればいいのかわかりません。回路を作るときどうすれば短絡電流が導きだされ、どのようなことをすれば開放電圧が出るのでしょうか?できれば回路や使う器具など詳しく説明いただければ有難いです。よろしくお願いします。

Aベストアンサー

短絡電流・・・負荷を取り除き電流計で短絡する。
開放電圧・・・負荷を取り除き電圧計で電圧測定する。

Q単結晶シリコンの結晶方位

単結晶シリコンウエハは片面鏡面や両面鏡面のものがあります。また、その一部には、結晶方位をそろえるための(オリエンテーション)フラットやノッチというものがつけられています。
そこまではわかるのですが、それはどの方向についているのでしょうか?ケースを見ても軸が<100>などと書かれていますが軸って何でしょうか?
できれば、教えていただきたいです。
参考になるサイトなどがあればURLでも結構です。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

こんにちは

通称「オリフラ(Orientation Flat)」なんて言います
基板メーカーのよってどの向きにオリフラを切ってあるか
またはその基板の面方位によっても大きく違うと思います
自分の使用している基板メーカーのHPなどが参考になるかと

大体オリフラは基板表面の面方位(→(100)面とか)に対して
直交する二つの方位を選ぶものです(オリフラが二つあるある場合)
基板面方位が<100>なら<0-11>と<0-1-1>とか
じゃあなぜわざわざ方位の目印を付ける意味があるかというと
その上に何かを堆積した時に異方性が出たりする場合があるからです
ある方位にのみ長く伸びた構造ができるなどなど・・・

結晶軸に関しては教科書に任せます(そっちの方が詳しいので)

Q励起子吸収と自由キャリア吸収の違いについて。

励起子吸収と自由キャリア吸収の違いについて教えてください。
今ある自分の中のイメージは

○励起子吸収
・半導体における光の吸収。
・励起子とは価電子帯のホールと伝導帯の電子の対。なのでエネルギー的には禁止帯を挟んだ結びつき。
・励起子を生成する可能性がある場合の光吸収スペクトルはエネルギーギャップEgの値より低いところに出る。(Egより小さなエネルギーで励起子を生成できる)

○自由キャリア吸収
・金属における光の吸収。
・自由キャリアとは電子またはホールそのもの。

なのですが、合っているでしょうか。また、他に特徴があればお教えください。

Aベストアンサー

励起子吸収はこれでいいような気がします。

自由キャリヤ吸収は、2つの意味があり、この場合、どっちを意図しているのか、ちょっと分りかねます。

ひとつの意味は、励起子効果が無視できる場合の半導体のバンド間遷移を自由キャリヤ吸収と呼びます。

また赤外域でのキャリヤのバンド内の遷移(つまりバンドギャップを飛び越えていない)で光が吸収される現象です。
これは金属でも半導体でも起こります。この現象も自由キャリヤ吸収と呼ばれます。

Q電気めっきで製品の端っこがめっき厚が厚くなる法則

電気めっきで、製品の端っこが、製品の中央部分より、めっき厚が厚くなるのは、何と言う法則に基づくのでしょうか? その法則の名前を教えて頂ければ幸甚です。

Aベストアンサー

電場(電界)が、平面部分では均一であるのに対して、端部では「ゆがむ」ことによります。

電場で見るより、「電気力線」で見た方が分かりやすいでしょうね。
下記の p-6 の左下の絵でも見てください。電気力線の間隔が「詰まって」いますよね。それでメッキの金属が多く付きます。
https://www.sss.fukushima-u.ac.jp/~kami/Lecture/EM/3.pdf

この「不均一さ」を「法則」で呼ぶなら「ガウスの法則」でしょうか。
上のリンク先の後の方に説明が載っています。
(現象を指すものではなく、計算方法の法則のようなものですが)

Q熱処理すると結晶性?結晶配合?が良くなるというのはどういうことでしょうか?

タイトルの通りなんですがどなたか分かりやすいご説明願います。何故熱処理すると結晶性がよくなるのでしょう。結晶方向が揃うってきくんですが意味が(どうなる&どうしてそうなるのか)よくわかりません。よろしくお願いします

Aベストアンサー

アニールしても、結晶全体の結晶性が向上するとは限りません。
熱エネルギーによって、固相の原子が動き、原子配列が整う可能性はありますが、同時に結晶欠陥(転位等)も動きます。
粒界は巨大な結晶欠陥です。
ここに粒界内部の欠陥が動くと、集まってきます(引力があるわけではなく、確率的にという意味です)。
巨大な欠陥の方が動きにくいのです。
もちろん粒界に欠陥が集中すればするほど、エッチングされやすくなります。
また、転位同士が合体することもあります。
この場合は転移が巨大になり、積層欠陥などに発達する可能性もあります。
熱処理では転位等はなくならないというのが一般的な理解ではないかと思います。
但し、合体すれば転位密度は低下するので、結晶性が部分的には向上する可能性があります。
合体すれば数が減りますが、その合体して巨大化した転移が用途に対して望ましいかどうかで熱処理が有効とされるかどうかが決まります。
つまり合体前は転位密度が高いですが、合体後は転位密度は下がります。
しかし、合体前は各転位は相対的に小さいですし、合体後は相対的に大きくなります。
どちらがより望ましいかは用途によるのではないかという意味です。
また、表面を少し溶融させ、再結晶化させると、運がよければ結晶品質が改善するかもしれません。
なお、点欠陥については、ある割合で存在する方が結晶のエネルギーが低下するため、アニールはほとんど効果がないと思います。

アニールしても、結晶全体の結晶性が向上するとは限りません。
熱エネルギーによって、固相の原子が動き、原子配列が整う可能性はありますが、同時に結晶欠陥(転位等)も動きます。
粒界は巨大な結晶欠陥です。
ここに粒界内部の欠陥が動くと、集まってきます(引力があるわけではなく、確率的にという意味です)。
巨大な欠陥の方が動きにくいのです。
もちろん粒界に欠陥が集中すればするほど、エッチングされやすくなります。
また、転位同士が合体することもあります。
この場合は転移が巨大になり、積層...続きを読む


人気Q&Aランキング

おすすめ情報