こんばんは。半導体の買い付けの仕事をしているものです。
もともと文系なので、いろいろと苦労しています...

ところで、最近GaAsが使われてきた分野で、SiGeの採用が大きく延びているようです。
そのメリットは何なのでしょうか?聞いている話では、下記のようなものがある
らしいのですが、その格差と、その理由は何故でしょうか?
また、デメリットはあるのでしょうか?
知識をお持ちの方、是非ご教示ください。

1.従来のSi用の生産ラインが使用可能であること
 → Wafer単価&Wafer口径の違い?
2.GaAsに比べ安価であること
 → GaAsと比較し、大口径のWaferを使用可能だから?
3.GaAsに比べ消費電力が大幅に低減できること
 → GaAsと比較し、より微細なデザインルールを適用できるから?

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A 回答 (1件)

私もSiGeは詳しくないのですが、どなたからも回答がないようなので参考までに・・・。



Siのウェーハは、直径が8~12インチ(200~300mm)用の物が使えますが、GaAsはせいぜい直径3~4インチのウェーハしか生産ラインで使用できません。なぜかというと、Siと比較してGaAsはやわらかいためです。もし、GaAsの8インチウェーハをピンセットで持てば、下手をすると自重で割れてしまうと思います(もちろんSiウェーハでそのようなことはありません)。SiGeはSiと同じサイズのウェーハをつくり、ラインで使用できたはずです。foryさんが書かれている通り、大きいウェーハがラインで使えれば、一度にたくさん作れますから、製品の単価を下げることができるでしょう(SiGeウェーハの単価は知りませんが、人件費は減らせる)。

GaAsに比べ消費電力が大幅に低減できるかちょっと知りません。ごめんなさい。ただ、GaAsがSiより良い特性が出るとわかっていたにも関わらず、量産に入るのが遅かったのは、「GaAsは放熱が悪いために使えない」と考えられたためだったと思います。(この辺は、富士通の化合物半導体を扱っているところをみるといいかも知れません。)SiGeでGaAsより良いというのであれば、そういったことが絡んでいる可能性があると思います。

余談ですが、最近はSi半導体でも性能的にGaAs半導体に負けてないかも・・・。頑張れ化合物半導体。ラインであまり高温を加えられないは、軟くて扱いづらいはじゃあねぇ。
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この回答へのお礼

Chisayaさん、回答ありがとうございます!この件については自分でも調査中ですので、何かわかったら報告します...

お礼日時:2002/01/26 23:21

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高校化学IIの気体の分野で『蒸気圧』というのが出てきました。教科書を何度も読んだのですが漠然とした書き方でよく理解できませんでした。蒸気圧とはどんな圧力なのですか?具体的に教えてください。

Aベストアンサー

蒸気圧というのは、主として常温付近で一部が気体になるような物質について用いられる言葉です。

液体の物質の場合に、よく沸点という言葉を使います。
物質の蒸気圧が大気圧と同じになったときに沸騰が起こります。
つまり、沸点というのは飽和蒸気圧が大気圧と同じになる温度のことを言います。
しかし、沸点以下でも蒸気圧は0ではありません。たとえば、水が蒸発するのは、常温でも水にはある程度の大きさ(おおよそ、0.02気圧程度)の蒸気圧があるためにゆっくりと気化していくためであると説明できます。
また、油が蒸発しにくいのは油の蒸気圧が非常に低いためであると説明できます。

さきほど、常温での水の飽和蒸気圧が0.02気圧であると述べましたが、これはどういう意味かと言えば、大気圧の内の、2%が水蒸気によるものだということになります。
気体の分圧は気体中の分子の数に比例しますので、空気を構成する分子の内の2%が水の分子であることを意味します。残りの98%のうちの約5分の4が窒素で、約5分の1が酸素ということになります。

ただし、上で述べたのは湿度が100%の場合であり、仮に湿度が60%だとすれば、水の蒸気圧は0.2x0.6=0.012気圧ということになります。

蒸気圧というのは、主として常温付近で一部が気体になるような物質について用いられる言葉です。

液体の物質の場合に、よく沸点という言葉を使います。
物質の蒸気圧が大気圧と同じになったときに沸騰が起こります。
つまり、沸点というのは飽和蒸気圧が大気圧と同じになる温度のことを言います。
しかし、沸点以下でも蒸気圧は0ではありません。たとえば、水が蒸発するのは、常温でも水にはある程度の大きさ(おおよそ、0.02気圧程度)の蒸気圧があるためにゆっくりと気化していくためであると説明できま...続きを読む

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単結晶シリコンウェハには(100)、(110)、(111)面の面方位のウェハがありますが、例えば(100)面のウェハの方向指数?<100>、<110>方向(原子から原子までの距離の違い?)がわかる方法というのはあるのでしょうか?
また、(110)、(111)面のウェハでも方向指数がわかる方法はあるでしょうか?
できれば、教えていただきたいです。
参考になるサイトなどがあればURLでも結構です。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

Si単結晶のX線回折測定といっても色々な種類があります。
行いたい測定によって、必要とされる装置も異なってきます、メールからは読み取りにくいので一般論で書いてみます。

1、単純に今お手持ちのウエハの面方位を知りたいのでしたら、通常のXRDでも測定可能です。
管球がCuでしたら2θを、(100)でしたら69.2°(110)なら47.3°(111)なら28.5°に固定し、DSは出来るだけ細くして、RSとSSはOPENにして、θ単独スキャン測定を行います。
測定角度は上記2θ角の半分±5°位で良いと思います(例えば(100)なら29.6°~39.6°等)
設定した2θ角とサンプルの面方位が合っていればピークが得られますし、合ってなければピークは何も出ません。
ただしSiウエハには4°OFFという種類のウエハがあり、このタイプの場合サンプルを90°づつ回して測定しないと、ピークが得られない事があります。

2、例えば(100)サンプルを使用して、(110)や(111)の反射を測定したいということになりますと、サンプルをあおり方向や回転方向に動かさないと、ピークが得られませんので(軸たてと言います)、前後あおり回転方向に移動制御可能な試料ステージが必要になります。

3、(100)サンプルの(110)や(111)反射が、理論的にどの方向に出るかが判ればよろしいのでしたら、ステレオ投影図と言うものがあります、印刷されたものの他にフリーソフトなどもあるようです。

4、ウエハの結晶性やエピ層の評価をしたいとなりますと、通常のXRDでは無理で、薄膜測定専用の装置が必要になってしまいます。

5、Si半導体メーカーは、通常のXRDのような汎用機では無く、ラインのそれぞれの工程ごとに、専用のX線装置を何種類も持っていて、方位や角度ズレを測定をして管理しています。

Si単結晶のX線回折測定といっても色々な種類があります。
行いたい測定によって、必要とされる装置も異なってきます、メールからは読み取りにくいので一般論で書いてみます。

1、単純に今お手持ちのウエハの面方位を知りたいのでしたら、通常のXRDでも測定可能です。
管球がCuでしたら2θを、(100)でしたら69.2°(110)なら47.3°(111)なら28.5°に固定し、DSは出来るだけ細くして、RSとSSはOPENにして、θ単独スキャン測定を行います。
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