磁化特性について教えてください。お願いします。

A 回答 (1件)

「磁化特性について」だけでは漠然としていて何をお答えすればいいのか困ってしまいます。

何か具体的な物質の磁化の特性のことをお尋ねなのか、あるいは用語の一般的な意味をお尋ねなのか、それ以外か、等々、補足の情報をお知らせ下さい。
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Qこの数値で特性曲線のグラフを書いてくれませんか?お願いします。

この数値で特性曲線のグラフを書いてくれませんか?お願いします。

Aベストアンサー

せめてエクセルかワードに。
読めません。

Qわかる方1問目を教えてください。 お願いします。 万有引力です。

わかる方1問目を教えてください。
お願いします。
万有引力です。

Aベストアンサー

(1)ここでは「仕事」(力 × 距離)で求めるのでしょうね。
 地球中心からの距離 r における重力
  F = GMm/r²
を、Δrだけ持ち上げるのに必要は仕事は
  ΔW = (GMm/r²)Δr
 これをR~(R + h) で積分すると
  W = ∫[R~R+h](GMm/r²)dr
   = -[GMm/r][R~R+h]
   = -GMm/(R+h) + GMm/R
   = GMmh/[(R+h)*R]

 従って、
  ΔU = GMmh/[(R+h)*R]   (A)

(2)打ち上げた速さを v とすると、運動エネルギーは
   Ek = (1/2)mv²

 これが、最高地点での(A)の位置エネルギーに等しいのて、
   (1/2)mv2 = GMmh/[(R+h)*R]
 よって
   v = √2GMh/[(R+h)*R]

(3)上記(A)の式で、
  ΔU = GMmh/[(R+h)*R]
    = GMmh/[(1 + h/R)*R²]
    ≒ GMmh/R²     ← 1 >> h/R による

  よって
   GM = gR²
 を使えば
   ΔU ≒ mgh

(1)ここでは「仕事」(力 × 距離)で求めるのでしょうね。
 地球中心からの距離 r における重力
  F = GMm/r²
を、Δrだけ持ち上げるのに必要は仕事は
  ΔW = (GMm/r²)Δr
 これをR~(R + h) で積分すると
  W = ∫[R~R+h](GMm/r²)dr
   = -[GMm/r][R~R+h]
   = -GMm/(R+h) + GMm/R
   = GMmh/[(R+h)*R]

 従って、
  ΔU = GMmh/[(R+h)*R]   (A)

(2)打ち上げた速さを v とすると、運動エネルギーは
   Ek = (1/2)mv²

 これが、最高地点での(A)の位置エネルギーに等しいのて、...続きを読む

Q教えて下さい。宜しくお願いします。

教えて下さい。宜しくお願いします。
対義語ですが、発熱反応と吸熱反応を検索して読みますと
もし触れる物でしたらどちらも暖かく感じ同じ意味に思います。
国語辞典の字のごとくでしたなら発熱は暖かく感じ吸熱は熱を吸う、
ですから冷たく感じるのかと勘違いするのですが。
小学生に分かるように説明するとすればどのように説明すればいいでしょうか。
教えて下さい宜しくお願いします。

Aベストアンサー

#4様に同感です。

発熱反応、吸熱反応

親がわからないものを子供に教える必要はありません。

>国語辞典の字のごとくでしたなら発熱は暖かく感じ吸熱は熱を吸う、
ですから冷たく感じるのかと勘違いするのですが。

「発熱は暖かく感じて、吸熱は冷たく感じる」
でいいのです。
どうしてそう感じるのが「感違い」なのですか。

発熱か吸熱かは物質を基準にしています。
物質から周囲に熱が出てくれば発熱、周囲から物質に熱が入っていけば吸熱です。

素直に考えていいのです。

変化の前後でのエネルギーを比較しての言葉です。そのエネルギーをどういう形で供給しているかとは関係のない言葉です。熱く感じるというのは人が出てきた熱を受け取る場合です。冷たく感じるというのは人が変化に必要な熱を供給する立場になっているときです。
吸熱反応の起こっているものに手を触れて暖かく感じるということはありません。
もし暖かく感じたとしたらその反応を起こさせるために使っている「外部の熱源」のためです。

熱以外のエネルギーを使っていても発熱、吸熱という言葉を使います。その場合は熱い、冷たいという感覚に対応しません。
水の電気分解は電気エネルギーを供給して水を水素と酸素に分けていますから吸熱反応です。
逆に水素と酸素が反応すれば熱が出てきます。水素の燃焼と同じことです。燃料電池では熱ではなくて電気の形でこのエネルギーを利用しています。
バッテリーの充電、放電にたいしても吸熱反応、発熱反応という言葉を使うことはできます。

吸熱反応は周りから熱を吸収します。
でもその熱を加熱によって供給しなければいけないというわけではありません。
混ぜるだけで起こるというものもあります。
その場合は周りから熱を奪う形になりますから温度が下がります。
普通冷たく感じるというのはこの場合に当てはまります。
(物質と人との関係で見なければいけません。別の熱源があれば物質が冷たくなっているという判断はできなくなります。)

硫酸や水酸化ナトリウムを水に溶かすときは発熱します。
食塩を水に溶かすときの変化は吸熱です。
塩化アンモニウムを水に溶かす時の時の方が大きな吸熱ですから分かりやすいでしょう。
かなり冷たく感じるはずです。尿素を水に溶かすという場合の吸熱は冷却剤に利用されているようです。

水の蒸発は加熱すると起こります。
でも加熱しなくても起こります。水蒸気の存在する空間を大きくすればいいのです。
その場合は無理に周りから熱を奪う形になります。
濡れたら寒くなるというのはこの場合です。

寒剤(氷水に塩を入れると温度が下がる)の仕組みは単なる溶解ではありませんが、混ぜるだけで温度が下がるということで言うと吸熱のイメージを取るのにはいいかもしれません。

#4様に同感です。

発熱反応、吸熱反応

親がわからないものを子供に教える必要はありません。

>国語辞典の字のごとくでしたなら発熱は暖かく感じ吸熱は熱を吸う、
ですから冷たく感じるのかと勘違いするのですが。

「発熱は暖かく感じて、吸熱は冷たく感じる」
でいいのです。
どうしてそう感じるのが「感違い」なのですか。

発熱か吸熱かは物質を基準にしています。
物質から周囲に熱が出てくれば発熱、周囲から物質に熱が入っていけば吸熱です。

素直に考えていいのです。

変化の前後でのエネルギーを...続きを読む

Qトランジスタの静特性と動特性

トランジスタの静特性と動特性の違いがよくわかりません。
また、静特性と動特性との間にはどんな関係があるのですか?

「静特性」や「動特性」で調べてみても、その言葉自体が既にわかっている前提で書かれているページばかりで困っています。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

静特性とはDC特性と言われるものです。
特性ですので、何かのパラメータを変数として、その結果何かの出力なりが変わると言うものです。DC特性ですので、時間軸を持たない特性になります。
例えばある任意のTrについて、IC-Vbe特性やVbeの温度特性などが良い例ですね。Icが変化したらVbeはどうなるか。温度が変化したら、Vbeはどうなるか。時間は問われていません。
逆に動特性とは過渡特性とも言えます。TrがOnからOffになるときの動作や、入力を振った場合の出力の変化など。これらはOn-Offや入力のスピードにも依存します。よって時間という概念も問われます。よって動特性と言います。

Qトランジスタの静特性 Ic-Vce特性

実験で原因がよくわからない結果が出て悩んでいます。
↓結果
http://hmw3.ee.ous.ac.jp/tran.bmp

Ic-VCE特性を測定したんですが普通ならVceがもっと低い電圧で
鋭く立ち上がると思うんですが、非常に緩やかな立ち上がりになりました。こういった特性のトランジスタが存在するんでしょうか?
それともただの故障してるだけなんでしょうか?
よろしくお願い致します

Aベストアンサー

>Vceがもっと低い電圧で鋭く立ち上がると思うんですが

電流増幅率の小さいトランジスタの場合、活性領域(Ic が Vce によらず一定となる部分)でのコレクタ電流がもともと小さいので、飽和領域(Ic が Vce に比例して増える部分)の傾斜は当然小さくなります。普通、飽和領域の抵抗(Vce/Ic)は10Ω程度ですが、このトランジスタは100Ωと大きいようです。飽和領域の幅(Vceの幅)が大きいのは、そのトランジスタが増幅できる電流の限界に近づいているからだと思います( ib が大きいほど飽和領域が広くなってくる)。以下に書きましたが、実験のコレクタ電流 Ic の範囲で、電流増幅率が Ic とともに低下しているので、特性の上限に近い部分で動作しているものと思われます。実験で使ったトランジスタの型番が分かれば正常かどうか分かると思いますが、これだけでは何とも判断しかねます。ただ、添付図(http://hmw3.ee.ous.ac.jp/tran.bmp)を見たろ、気づいた点が2つあります。

(1) Vce<1V の領域で特性が重なっている
Vc が小さい領域では電流増幅率が下がってくるので、Ic-Vce特性は原点(Ic = 0、Vce = 0) を通る直線状になりますが、緩やかに下がるので特性が重なることはないはずです。重なるというのは ib を増やしても Ic が増えない → 電流増幅率がゼロ?

(2) Vce = 10V のとき、ib を増やすほど電流増幅率が低下している
     ib = 200uA のとき Ic = 10mA → Ic/ib = 50
     ib = 400uA のとき Ic = 15mA → Ic/ib = 38
     ib = 600uA のとき Ic = 17mA → Ic/ib = 28
2SC1815などの小信号用トランジスタは、Vce が10Vと高ければ、広範囲の Ic にわたって電流増幅率が一定です。資料 [1] にある 2SC1815 の hfe-Ic 特性のように、Ic = 0.1mA~100mA まで hfe はほぼ一定です。ただ、高耐圧トランジスタは、Ic の増加と共に hfe が下がる傾向があります。資料 [2] にある 2SC3138 の hfe-Ic 特性は Ic が 15mA を超えると hfe が急減します。これは同ページの上にある Ic-Vce特性からも分かるように、上側ほど特性がつまってきています( ib を増やしてもそれに比例して Ic が増えない)。実験で使ったトランジスタがどういうものか分かりませんが、高耐圧用(Vcboが150V以上)ならばそういう傾向があるかもしれません。

[1] 2SC1815データシート(2ページ hfe-Ic特性) http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ja/Transistor/2SC1815_ja_datasheet_071101.pdf
[2] 2SC3138データシート(3ページ hfe-Ic特性) http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ja/Transistor/2SC3138_ja_datasheet_071101.pdf

>Vceがもっと低い電圧で鋭く立ち上がると思うんですが

電流増幅率の小さいトランジスタの場合、活性領域(Ic が Vce によらず一定となる部分)でのコレクタ電流がもともと小さいので、飽和領域(Ic が Vce に比例して増える部分)の傾斜は当然小さくなります。普通、飽和領域の抵抗(Vce/Ic)は10Ω程度ですが、このトランジスタは100Ωと大きいようです。飽和領域の幅(Vceの幅)が大きいのは、そのトランジスタが増幅できる電流の限界に近づいているからだと思います( ib が大きいほど飽和領域が広くなってく...続きを読む


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