半導体製造工程でウェハーを切断する時にダイシングしますが、この時にウェハーを固定しているUVテープは切断されてしまうのですか?それとも、ウェハーとUVテープの境目で切断しているのですか?
ダイシングの後にUVテープを広げて、ICチップを取りやすくすると思うのですが、ウェハーが切断されていないと、UVテープを広げても、チップは広がらないと思うし、かと言って、ウェハーとテープの境目で切断するのも、かなり厳しいかと素人考えで思ってしまいます。
どなたか、教えて下さい。

A 回答 (1件)

通常、ウェハーと一緒に、UVテープの厚みの半分ぐらいまで切っています。

UVテープの厚みが70~80ミクロン(モノによりますが)ですので、かなりの高精度での機械制御になりますが、今時の精密電子部品製造用の装置としては、あまり驚くべき技術では無いのも事実です。
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この回答へのお礼

胸のつっかえが取れました。でも、テープの厚み半分40μmって髪の毛より細いですよね・・・。そこで切断・制御するって、素人的にはやっぱりすごい技術のように思えてしまいます。ありがとうございます。

お礼日時:2002/04/02 09:25

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よろしくお願いします。

Aベストアンサー

昔、半導体デバイスの研究をしていました。といっても化合物半導体ですが。
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なにしろ、先ず最初の表面酸化膜形成は確か1200℃くらいの筈ですから。
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https://youtu.be/Piu8-FC8kd0
参照はこの問題です。

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Aベストアンサー

>コンデンサは大きさの違う極板同士の場合、
>向かい合わせになっている面積のみが
>コンデンサになるのではないでしょうか。
>(向かい合わせになっていない部分は電界が発生しないので)

そんな単純にはいかないのです。
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Q半導体ー半導体界面

p型半導体とn型半導体の界面を次のように表現した図がありました。
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界面では2つの半導体のhomo lumoは連続になるのではないでしょうか。なぜこんなにバンドベンディングが起こっているのでしょうか。

Aベストアンサー

HOMO、LUMOということは、これは有機物半導体ですね。
(HOMO、LUMOは逆だと思いますが)。
私は有機屋でないので無機の半導体の知識がそのまま通用するかは判りませんが、無機の半導体ヘテロ接合ではよくあることです。
有機半導体のP型、N型をどうやって作るのかも知りませんが、この図では、左右どちらの層もフェルミレベルはHOMO-LUMOギャップの中央付近にあって、左側の電子親和力が小さい(準位が上)の層と右側の電子親和力が大きい(準位が下)の層とをヘテロ接合させた図に見えます。

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金属の準位は変わらないので、金属との界面が盛り上がった形となります。
逆に右側の層には電子が流入してフェルミレベルが引き上げられますが、やはり金属の準位は変わらないので、金属との界面は下に曲がります。

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