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半導体のウェットエッチングで、DHFとBHF(BOE)を同じ槽で処理することは可能ですか?材質はPTFEです。液の交換では、純水で洗浄するぐらいですが・・・。

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A 回答 (2件)

量産だと規模にもよりますが、


1)いちいち交換していられない、
2)ライフを管理する必要がある(コスト!)
ということで、可能か不可能化の前に最初から別槽を考えるべきですよ。
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この回答へのお礼

遅くなり、申し訳ございません。
ありがとうございました。

お礼日時:2007/04/16 12:53

これは実験/試作レベルということですよね?


どちらかの処理後にちゃんと純水洗浄すれば問題ないと思いますよ。

この回答への補足

回答ありがとうございます。そうです。試作レベルです。ただ、量産レベルだと、問題ありますか?

補足日時:2007/03/21 19:29
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端的には「高pH化により、SiO2溶解反応が緩和される」ということだと思います。
http://www.stella-chemifa.co.jp/product/bhfsa.html


二酸化珪素がフッ化水素酸によって溶解される場合、まず酸素原子へのプロトン
付加が起こり、次に脱水、そしてSi-F結合の形成、という順序で反応が進むものと
思われます。
従って、pHが低い(=プロトン濃度が高い)ほど溶解反応は活発になり、逆にpHが高いと
溶解反応は穏やかになる、と考えられます。


  O
  |
-Si-OH + H^+
  |

   ↑↓  ←平衡反応 : H^+が多い(=pHが低い)ほど、反応が下に進みやすくなる

  O
  |  +
-Si-OH2
  |

   ↑↓

  O
  |
-Si^+
  |

   ↓ + F^-

  O
  |
-Si^-F
  |

  ↓

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http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%95%E3%83%83%E5%8C%96%E6%B0%B4%E7%B4%A0

端的には「高pH化により、SiO2溶解反応が緩和される」ということだと思います。
http://www.stella-chemifa.co.jp/product/bhfsa.html


二酸化珪素がフッ化水素酸によって溶解される場合、まず酸素原子へのプロトン
付加が起こり、次に脱水、そしてSi-F結合の形成、という順序で反応が進むものと
思われます。
従って、pHが低い(=プロトン濃度が高い)ほど溶解反応は活発になり、逆にpHが高いと
溶解反応は穏やかになる、と考えられます。


  O
  |
-Si-OH + H^+
  |

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RECESS:休憩、奥まったところ、くぼみ

もう一つの参考URLもどうぞ。
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これはおまけですが、綴りが書いてありました。
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参考URL:http://encyclobeamia.solarbotics.net/articles/vxx.html


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