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タイトルのとおりです。
全く同じ印加電圧で温度のみを変化させた場合、空乏層はどうなるのでしょうか。

A 回答 (2件)

温度が上がるって亊はその分子の振動が激しくなることを意味しますよね。


加速された電子は分子にぶつかって(実際にはぶつからないけど)速度を失います。
分子の振動が激しいほど電子はぶつかり易くなり電子の移動量は少なくなる。
つまり抵抗が大きくなったってこと。
温度特性はドープした不純物の素材、深度、拡散傾向、膜厚で様々、
一般式は教本開いた方がわかりやすいでしょう。
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この回答へのお礼

どうもご親切にありがとうございます。
一般式については参考書を参考にさせていただきます。

お礼日時:2001/01/19 15:48

電荷は温度パラメータに依存しないから空乏層の層そのものは変化無しでは?


分子の振動量が大きくなるのでソースードレイン間の抵抗値は大きくなります。
T-CADでシュミレーションしてみると良いでしょう。
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この回答へのお礼

早速のお返事、ありがとうございます。
しかし何故MOSのオン抵抗の温特について考えてると分かったんですか?
あまりにほしい回答そのものだったんで、驚嘆してしまいました。

ちょっと補足で教えていただきたいことがあるんですけど、具体的にどう言う関係の式でオン抵抗は温特を持つんでしょうか。
できれば、教えていただきたいのですが...

お礼日時:2001/01/18 04:10

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