タイトルのとおりです。
全く同じ印加電圧で温度のみを変化させた場合、空乏層はどうなるのでしょうか。

A 回答 (2件)

温度が上がるって亊はその分子の振動が激しくなることを意味しますよね。


加速された電子は分子にぶつかって(実際にはぶつからないけど)速度を失います。
分子の振動が激しいほど電子はぶつかり易くなり電子の移動量は少なくなる。
つまり抵抗が大きくなったってこと。
温度特性はドープした不純物の素材、深度、拡散傾向、膜厚で様々、
一般式は教本開いた方がわかりやすいでしょう。
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この回答へのお礼

どうもご親切にありがとうございます。
一般式については参考書を参考にさせていただきます。

お礼日時:2001/01/19 15:48

電荷は温度パラメータに依存しないから空乏層の層そのものは変化無しでは?


分子の振動量が大きくなるのでソースードレイン間の抵抗値は大きくなります。
T-CADでシュミレーションしてみると良いでしょう。
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この回答へのお礼

早速のお返事、ありがとうございます。
しかし何故MOSのオン抵抗の温特について考えてると分かったんですか?
あまりにほしい回答そのものだったんで、驚嘆してしまいました。

ちょっと補足で教えていただきたいことがあるんですけど、具体的にどう言う関係の式でオン抵抗は温特を持つんでしょうか。
できれば、教えていただきたいのですが...

お礼日時:2001/01/18 04:10

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どこかのサイトにありそうな気がするのですが、中々見つかりません。
宜しくお願い致します。

Aベストアンサー

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http://www.ecoq21.jp/ecoheart/cat04/ecoheart04-2.html
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http://www.kishou.go.jp/know/kansoku_guide/tebiki.pdf

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 この場合、教科書に乗っている階段接合や傾斜接合では解けないのではないかと考えています。
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よろしくお願いします。

Aベストアンサー

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一般には使わないですが、35mm換算のF値というのはあります。また換算した場合デジタルの方が暗くなります(CCDが35mmよりも小さい場合)。

焦点距離の35mm換算の話しは有名ですよね。しかしよく考えて見ると、いくらCCDが小さいからと言って、実際にはレンズの焦点距離が変わる訳ありません。単にトリミングをしているだけの話しです。ですがあたかも"焦点距離が1.5倍"と言う感じでレンズの焦点距離が変わっているかのように言われていますよ。これはご存知の通り撮影画像の「画角」を基準にしての換算になり...続きを読む

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http://ja.wikipedia.org/wiki/Pn%E6%8E%A5%E5%90%88

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どうしたら簡単にできるでしょうか?
宜しくお願いします。

参考
LM60データーシート
http://akizukidenshi.com/pdf/ns/LM60.pdf

Aベストアンサー

オペアンプを使って測定温度範囲を変える回路の一例を以下に紹介します。

 2.7V~10V   Vout  オペアンプ
  │┏━━━┓ ↓
  │┃ LM60 ┃┌───┤+\
  │┗┯┯┯┛│     |   >┬─ Vin ( AD入力 )
  └─┤└ ) ─┤   ┌┤- / │
      C  │  │   ├── R3 ┘   C = 0.1μF(積層セラミック)
  GND ┴─┤  C   R1
        │  │   ├─┬ R4 ── Vref
        │  │   R2  C
        └─┴──┴─┴───-- GND ( 0V )

計算方法は省略しますが、LM60の出力電圧を Vout [V] としたとき、オペアンプの出力電圧(AD変換の入力電圧) Vin [V] は
   Vin = [ { ( R1 + R3 )*( 1 + R4/R2 ) + R4 }*Vout - R3*Vref ]/{ R1 + R4*( 1 + R1/R2 ) }
で表わされます。Vref は基準電圧で、これは外部から与える電圧です。Vout は、温度を t [℃] としたとき
   Vout = 0.424 + 0.00625*t --- (1)
です。

測定温度範囲が tmin ~ tmax のとき、Vin の範囲が 0V ~ Vref となるようにするには
   R1 = { 0.00625*R3*( tmax - tmin ) - R2*( Vref - 0.00625*tmax - 0.424 ) }/{ Vref - 0.00625*( tmax - tmin ) }
   R4 = R2*( Vref - 0.00625*tmax - 0.424 )/( 0.00625*tmin + 0.424 )
とします。例えば、tmin = -20℃、tmax = 82.3℃(温度分解能 = 0.1℃)とするには
   Vref = 2.5V ならば R1 =3.352kΩ、R2 = 100Ω、R3 = 10kΩ、R4 = 522.3Ω
   Vref = 5V ならば  R1 = 1.373kΩ、R2 = 100Ω、R3 = 10kΩ、R4 = 1.358kΩ
とします。AD変換の一方の基準電圧 Vref+ を Vref に接続し、もう一方の基準電圧 Vref- をGNDに接続すれば、AD変換の電圧測定範囲は 0V ~ Vref になります。Vref は、できれば基準電圧発生用のIC(たとえば [1] )を使って安定化された電圧にしてください。PICのプログラムで、内部で Vref+ = Vdd、Vref- = Vss とすることも可能ですが、電源電圧安定していなかったりノイズが乗っていると測定値が安定しません。

R1 と R4 の値は中途半端になりますので、固定抵抗と半固定抵抗を組み合わせて所望の抵抗値を作ります(基板に実装する前にテスターで抵抗を測定しながら調整するといいでしょう)。その後、以下の手順で最終的な調整を行うのがいいでしょう。
  (1) LM60を接続しないで、Vout の部分に、最低温度に相当する Vout の電圧を印加する(式(1)で計算)
  (2) R4 を調整して、Vin が 0V ( <数mV)となるようにする
  (3) Vout の部分に、最高温度に相当する Vout の電圧を印加する
  (4) R1 を調整して、Vin の電圧が Vref に等しくなるようにする(Vin - Vref 間の電圧を測定して0 になるようにする)
  (5) (1)~(4)を繰り返す

なお、オペアンプの電源電圧と Vref が近い場合(どちらも5Vの場合など)、オペアンプによっては出力電圧が Vref まで出ない場合があります。オペアンプの電源電圧と Vref が近い場合は、出力電圧が電源電圧いっぱいに振れるレールトゥレール出力のオペアンプ(例えば [2] )を使ってください。オペアンプの入力電圧は最大1.2V程度なので入力側は問題ありません。

[1] 基準電圧IC LM336-2.5
     価格  http://akizukidenshi.com/catalog/items2.php?q=%22I-00459%22&s=popularity&p=1&r=1&page=0&cl=1
     データシート http://akizukidenshi.com/pdf/ns/LM336-2.5.pdf
[2] レールトゥレール出力のオペアンプ(LMC662CN)
     価格 http://akizukidenshi.com/catalog/items2.php?q=%22I-00067%22&s=score&p=1&r=1&page=
     データシート http://akizukidenshi.com/pdf/ns/LMC662.pdf
[3] PIC16F818/819データシート http://akizukidenshi.com/pdf/pic/pic16f818_819.pdf

オペアンプを使って測定温度範囲を変える回路の一例を以下に紹介します。

 2.7V~10V   Vout  オペアンプ
  │┏━━━┓ ↓
  │┃ LM60 ┃┌───┤+\
  │┗┯┯┯┛│     |   >┬─ Vin ( AD入力 )
  └─┤└ ) ─┤   ┌┤- / │
      C  │  │   ├── R3 ┘   C = 0.1μF(積層セラミック)
  GND ┴─┤  C   R1
        │  │   ├─┬ R4 ── Vref
        │  │   R2  C
        └─┴──┴─┴───-- GND ( 0V )

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Q金属に電圧を印加すれば原子核は変形するのでしょうか?

こんにちは、

金属の場合、結合している力は、数100MeV以下のはずなので、それに該当する電圧を印加させれば、少しだけ原子核は変形するのでしょうか?
それとも、電子が流れるだけで、電子核は格子振動が増し変形はしないのでしょうか?

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すみません。重水素だと陽子がひとつなのでシールドにはなりませんね。
申し訳ありません。でもご興味がありましたら、もっとも簡単な例として
何が起こるか考えてみても良いかもしれません。


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