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cell lineからcDNAライブラリーを作ってみたいと
思うのですが、何か参考になるサイトや本があれば
教えてください。
作り方を詳しくしりたいです。お願い致します。

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A 回答 (1件)

作製キットのマニュアルがメーカーのホームページから入手できますので、熟読をお勧めします

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QゲノムDNAライブラリーとcDNAライブラリーの違い

ゲノムDNAライブラリーとcDNAライブラリーの違いって何でしょうか?

また、これらのライブラリー中にクローン化されている遺伝子の構造の大きな違いって?

よろしくお願いします

Aベストアンサー

まず、DNA=遺伝子ではないということと、「遺伝子<ゲノム」なのを考えればわかると思いますが、ゲノムライブラリーは、ゲノムを制限酵素で切断したもの全てをライブラリー化したものです。つまり、遺伝子だけでなく、遺伝子ではない部分も取り込みます。
それに対してcDNAライブラリーは、mRNAからcDNAを合成し、ライブラリー化するので、そこには、遺伝子のみが含まれます。
つまり、遺伝子のタンパク発現・機能解析を行いたい時に、cDNAライブラリーを用いる場合が多いです。
クローン化されているものに、違いはありませんよ。ミューテーションを除いて、全く同じものが複製されます。

QLambert-beer則 高濃度領域での誤差

 Lambert-beerの法則を用いて、吸光係数を求める実験をしました。実験はうまくいったのですが、濃度と吸光度の関係のグラフが試料溶液が高濃度の領域では直線にならず、曲がります(吸光度が低くなります)。一般的にこのようになるようですが、なぜなのでしょうか?理由、理論のわかる方、教えて頂けないでしょうか☆

Aベストアンサー

分光光度計は、試料が高濃度の場合の吸光度を正しく測定できないのだと思います。
(Absが2.000とか、それ以上になると正しく測定しない場合が多い(?))

Q薬理活性物資について

薬理活性物質について知りたいんですが、検索サイトで検索してもそれ自体の意味や説明がなかなか見つけられません。どなたか薬理活性物質について知識がある方が居りましたら、それの概要や応用例などを教えてください。

Aベストアンサー

薬理活性物質とは薬理活性を持っているものという意味ですから、薬理活性を考えればよいわけです。
薬理活性を発揮するためにはその対象が必要なわけで、「何にたいする薬理活性」なのか、この質問自体曖昧かつ大雑把過ぎるのです。だから誰も回答できないのです。
薬理学を勉強すればだいたいが把握できると思います。
もうすこし質問内容を検討されてみてはいかがでしょうか。

参考URL:http://akimichi.homeunix.net/~emile/aki/medical/pharmacology/pharmacology-note.html

Q活量係数が大きい/小さいとどうなりますか?

活量係数が大きい物質と小さい物質では、反応速度などはどうなりますか?
活量係数が大きいほど反応が進みやすいというわけではないのでしょうか?

Aベストアンサー

活量は通常「平衡系」での「実質濃度」を表す数字です。
硫酸など濃度が高いと解離していませんので、水素イオン濃度([H+])は硫酸の濃度から直接求まる訳ではなく、解離した理想状態の濃度C(mol/L)に活量計数γを乗じγCが実際に存在する水素イオン濃度になります。
ですから、他の物質でも無限希釈でない場合、完全解離していないイオン等での反応はそのイオン種の溶解量から求めた濃度に活量計数を乗じた値が反応速度式に用いられるべきでしょう。

Q標準自由エネルギー変化について教えてください。

お願いします。
基礎中の基礎です。しかし混乱してます
標準自由エネルギー変化ΔG゜と自由エネルギー変化ΔGの違いが分かりません。

まず標準自由エネルギー変化ですが
aA+bB⇔cC+dDと言う反応があると
ΔG゜=各物質の生成ΔGfの合計=[c×ΔGfC]+[d×ΔGfD]-[a×ΔGfA]-[b×ΔGfB]だと思うのですが・・・
質問1:ΔG゜<0ですと反応は右に進まないはず。でもなぜ?
質問2:ΔG゜とはそもそも何を表しているのですか?(僕自身の薄学では生成側にそれだけエネルギーが偏っている?)
質問3:ΔG゜=-AとするとAが大きいほど反応は進みやすのでしょうか?(これ本当に分かりません・・)

自由エネルギー変化ΔGについてです
ΔG=ΔG゜+RTlnK
aA+bB⇔cC+dDと言う反応ではモル分圧平衡定数とするとK=([P_C]^c・[P_D])^d÷([P_A]^a・[P_B]^b)
です。
質問4:そもそもΔGとは何を表現しているのですか?平衡だとΔG=0となる。これはどういうこと?
質問5:ΔG゜=-RTlnKですが、通常ΔGというとみんなこの方法で算出してしまいます。ここで標準自由エネルギー変化ΔG゜と自由エネルギー変化ΔGをごっちゃにするとエライ事になりそうですが・・・
質問6:ΔG=ΔG゜+RTln([P_C]^c・[P_D])^d÷([P_A]^a・[P_B]^b)でよく25℃、1atmの濃度や分圧を入れてΔGを出してますが、これはどう解釈したらよいのでしょうか?その濃度や分圧のときの自由エネルギーということ?でもそれなら25℃、1atmの生成ΔGfから算出したΔG゜とΔGが同じにならないとおかしくありませんか?
質問:そもそも上記の考え方にどこかおかしいから悩んでいるので、指摘していただけたら幸いです。

お願いします。
基礎中の基礎です。しかし混乱してます
標準自由エネルギー変化ΔG゜と自由エネルギー変化ΔGの違いが分かりません。

まず標準自由エネルギー変化ですが
aA+bB⇔cC+dDと言う反応があると
ΔG゜=各物質の生成ΔGfの合計=[c×ΔGfC]+[d×ΔGfD]-[a×ΔGfA]-[b×ΔGfB]だと思うのですが・・・
質問1:ΔG゜<0ですと反応は右に進まないはず。でもなぜ?
質問2:ΔG゜とはそもそも何を表しているのですか?(僕自身の薄学では生成側にそれだけエネルギーが偏っている?)
質問3:ΔG゜=-Aとすると...続きを読む

Aベストアンサー

>平衡になったときのモル分率やモル濃度を入れると、当然RTlnKは
>-ΔG゜と同じになるはずですよね?

ΔG=ΔG゜+RTlnKですよね。平衡状態ではΔG=0なので、
RTlnK=-ΔG゜ または -RTlnK=ΔG゜で間違いないと思います。

>一般的にΔG゜って各物質の生成ΔGfの合計から算出するじゃないですか?

違うと思います。
ΔG゜=ΣΔGf゜(生成物)- ΣΔGf゜(反応物) だと思います。

標準生成自由エネルギーと自由エネルギー変化を混同しては行けません。
自由エネルギーやエンタルピーの絶対値を調べるのは大変なので
変化量を指標に用いていることは同じですが、標準生成自由エネルギーは、すべての元素が標準状態にあるとき自由エネルギーを0として、それらの単体から生成される化合物を上記の式を使って計算した物です。

反応が自発的に進むためにはΔGがマイナスでなければなりません。
ΔGは自由エネルギー変化です。
標準生成自由エネルギーΔG゜とは違います。
-RTlnK=ΔG゜ という関係から ΔG゜が負の時はKが1よりも大きい事を意味し、正の時には、その反応が進まないということではなくKが1よりも小さいことだけを意味します。
ΔG゜が大きな正の値をとるとKは著しく小さくなり、平衡点は原系の方に極端に片寄ることを意味しています。
ΔG゜=0ならばK=1ということです。

>平衡になったときのモル分率やモル濃度を入れると、当然RTlnKは
>-ΔG゜と同じになるはずですよね?

ΔG=ΔG゜+RTlnKですよね。平衡状態ではΔG=0なので、
RTlnK=-ΔG゜ または -RTlnK=ΔG゜で間違いないと思います。

>一般的にΔG゜って各物質の生成ΔGfの合計から算出するじゃないですか?

違うと思います。
ΔG゜=ΣΔGf゜(生成物)- ΣΔGf゜(反応物) だと思います。

標準生成自由エネルギーと自由エネルギー変化を混同しては行けません。
自由エネルギーやエンタルピーの絶対値を調べる...続きを読む

Q金属、半導体の抵抗の温度変化について

金属は温度が高くなると抵抗が大きくなり、半導体は温度が高くなると抵抗が小さくなるということで、理論的にどうしてそうなるのでしょうか。
金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?
半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。
あと自分で調べていたところ「バンド理論」というのを目にしました。
関係があるようでしたらこれも教えて頂くとありがたいです。

Aベストアンサー

こんにちは。

>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。

半導体の中において金属の自由電子に相当するものは、電子とホールです。この2つは電流を担う粒子ですので、「キャリア」(運ぶ人)と言います。
ホールは、半導体物理学においてプラスの電子のように扱われますが、その実体は、電子が欠けた場所のことを表す「穴」のことであって、おとぎ話の登場人物です。
電子の濃度とホールの濃度に違いがあったとしても、一定の温度においては、両者の濃度の積は一定です。
これは、水溶液において、H+ と OH- の濃度の積が一定(10^(-14)mol^2/L^2)であるのと実は同じことなのです。

中性の水溶液の温度が高くなると、H2O が H+ と OH- とに解離しやすくなり、H2O に戻る反応が劣勢になります。
それと同様に、真性半導体においても、温度が上がると電子とホールが発生しやすくなるのに比べて、両者が出合って対消滅する反応が劣勢になるため、両者の濃度の積は増えます。
キャリアが増えるので、電流は流れやすくなります。

こんにちは。

>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。

半導体...続きを読む

QE2、SN2、E1、SN1反応の脱離基について

E2、SN2、E1、SN1反応の脱離基についてですが、
H2OやROHは、SN1やE1反応で良い脱離基になるのは何故でしょうか(H+がある場合だけ?)?
また、エーテルは酸または塩基触媒下で、SN2やE2反応で良い脱離基になるのは何故でしょうか?
エトキシドイオンのような強い共役塩基はSN2反応ではよい脱離基でないのは何故ですか?
OH-は良い脱離基でしょうか?

どなたか、詳しく解説して頂けないでしょうか?宜しくお願い致します。

Aベストアンサー

半分だけ答えますので、後は他の方のお答えか自分で教科書をお調べ下さい。教科書は英語原著かその訳の分厚い物しか役に立たないでしょう。

>H2OやROHは、SN1やE1反応で良い脱離基になるのは何故でしょうか(H+がある場合だけ?)?
これらは、まず「中性」です。E2、SN2、E1、SN1反応の中心炭素(でないこともあるが今は無視しましょう)は反応中間体で陽性です。脱離基が陽性ならば最善ですが中性なら問題ありません。もちろんあなたが気づいたように「H+がある場合」には水はヒドロニウムイオン(H3O^+)にアルコールもRH2O^+を形成しますので、中性であるよりさらに陽性の中心から離れ易くなります。

エーテルも酸(ルイス酸でも良い)存在下でR2OH^+を生じますので、脱離基として好適です。
エーテルが塩基存在下で好適な脱離基になるという例は覚えていません。

>エトキシドイオンのような強い共役塩基はSN2反応ではよい脱離基でないのは何故ですか?
これはあなた様の文章の中に答えが隠れています。強塩基≡好親核試剤ではありませんが、傾向は一致しています。好親核試剤は脱離試剤としては貧弱です。HO^-についても同じことが言えます。

半分だけ答えますので、後は他の方のお答えか自分で教科書をお調べ下さい。教科書は英語原著かその訳の分厚い物しか役に立たないでしょう。

>H2OやROHは、SN1やE1反応で良い脱離基になるのは何故でしょうか(H+がある場合だけ?)?
これらは、まず「中性」です。E2、SN2、E1、SN1反応の中心炭素(でないこともあるが今は無視しましょう)は反応中間体で陽性です。脱離基が陽性ならば最善ですが中性なら問題ありません。もちろんあなたが気づいたように「H+がある場合」には水はヒドロニウムイオン(H3O^+)にアルコ...続きを読む


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