No.2ベストアンサー
- 回答日時:
> 反転領域の電荷が減り、反転がとける?
MOSダイオードの場合、反転層の電子は基板から湧き出るイメージでいいかもしれませんが(正確さには欠けるかも)、MOSトランジスタの場合、反転層の電子はソースから供給されます。だからゲート/絶縁膜/半導体のみを考えてはだめです。
> なぜ基板バイアスを印加すると電子が流入しにくくなるのでしょうか?
文章では説明は難しいのですが、
ソースと反転層の堺(電子の供給点)をSとして、ソース(n型)/S/基板(p型)の電位を計算してみてください(空乏層は二つの2次関数、ソースはフラット)。
次にゲート/絶縁膜/S/半導体の電位を計算してみてください(空乏層は一つの2次関数、絶縁膜は1次関数)。
このグラフを重ねるとソース/基板のバイアスが深いほど、ゲート電圧を大きくしないと電子が流入しないことが理解できると思うのですが...(わかりにくいですよね。うまく説明できなくてごめんなさい)
やっとわかりました。
図を描いてじっくり考えるとsaikoroさんの言っていることがわかりました。
どうもご回答ありがとうございました。
No.1
- 回答日時:
基板バイアス効果は単なるMOS構造だけではなく、ソース(トランジスタの)まで考えなくてはだめです。
MOSトランジスタではソースから電子が流入するときのVgsがVtです。
Vsb>0の場合ソースから電子が流入しにくくなります。
したがって、Vtは高くなります。
p基板に対して、ソース(n)/基板(p)と、ゲート/絶縁膜/基板(p)のポテンシャルを計算して、基板電位を変えながら比較すると理解しやすいと思います。
この回答への補足
ご回答ありがとうございます。
なぜ基板バイアスを印加すると電子が流入しにくくなるのでしょうか?
一晩考えて、空乏層が広がるので反転領域の電荷が減り、反転がとける?
と考えたのですが。どうなのでしょうか?
よろしければご回答お願いいたします。
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