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屈折率の実部と虚部を使って光の侵入長を計算できると聞いているのですが、どのようにして計算するのでしょうか?
またGaNの屈折率の実部と虚部が掲載されているデータベース、もご存知でしたら合わせて教えていただきたいです。
よろしくお願いいたします。

gooドクター

A 回答 (2件)

#1さんの答えで考え方はいいのですが、多くの場合、実際に測定されるのは電場Eではなく、その二乗のE^2の光強度Iです。



I=E^2なので、光強度の減衰長は電場の減衰長の1/2倍になる。

GaNということなので、可視紫外域であれば、光の侵入長よりもその逆数である吸収係数αの方が一般的では?

α=2ωk/c  kが虚部、cは光速
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この回答へのお礼

その後自分でも調べてみたところ、leo-ultraさんのご指摘のとおりでした。ありがとうございました。

お礼日時:2007/11/19 15:39

n=nR+nI (nRは実部、nIは虚部)とすると、


x方向の電場の強さは、
Ex=Eo×EXP(iω×(t-nz/c))
と表され、nを代入して、振幅の項を取り出すと、
Ex=Eo×EXP(-ω×nI×z/c)
となり、進行方向zに対するExの減衰を求めることができます。
ファインマン物理学4巻に書いてありました。
侵入長という言葉は出てこない(表皮厚さという言葉が出てくる)ので、ご参考まで。
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