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半導体で使用される LOCOS STI などの素子分離技術とはどういうものなのでしょうか?

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A 回答 (2件)

#1ですが 追加情報です.


LOCOSの参考URLです.
http://wafer.fuis.fukui-u.ac.jp/lsi2/page4-4.htm
TOPページ
http://wafer.fuis.fukui-u.ac.jp/lsi2/top.htm
からめくっていくと, 面白いかも知れません.

またSTIは新しい技術ですが
http://www.labs.fujitsu.com/News/2000/Mar/14.html
問題点もあるようですね.

詳しい方だったらごめんなさい.

もし, もっと詳しい話に興味がおありなら, 補足なさると, (そのレベルを見て)専門の方がご回答くださるかも知れません.

参考URL:http://wafer.fuis.fukui-u.ac.jp/lsi2/page4-4.htm
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内容の詳細についてはご専門の方にお願いします.


用語の参考URLです.
http://www.labs.nec.co.jp/Topics/data/r990910/

参考URL:http://www.labs.nec.co.jp/Topics/data/r990910/
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この回答へのお礼

どうもありがとうございました。参考になりました。今後ともよろしくお願いします.

お礼日時:2002/11/05 11:38

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Siプロセスに関しての質問です。

現在のSi集積回路では、ゲートにポリシリコンを利用して
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そこで質問なのですが、なぜポリシリコンをゲートに用いるのでしょうか?
半導体の教科書でMIS構造を勉強するときには、当然ゲートはメタルです。
なぜSiプロセスでは、ポリシリコンが登場しているのでしょう。
プロセスが大幅に簡単になる、コスト削減、といった理由でしょうか?

ご教授いただけると幸いです。
どうぞ宜しくお願いします。

Aベストアンサー

ゲートを形成した後にも熱をかけたり酸化したりするプロセスがあるからです。ポリシリコンはこれらの後処理に対して金属と比較すると一般に安定なので、後処理に対する制約が少ないのです。 

ただし、ポリシリコンの弱点は比抵抗が高い事で、この弱点を克服するために高融点金属とのシリサイドが使われるようになりました。さらには高融点金属をそのまま使う事ができれば抵抗は下がりますが、この場合は後工程の処理に特別な配慮が必要です。

Qウエルの性質について

全くの理科の事がわからず質問させていただきます。
私は文型なのですが、少し半導体について興味があり本を購入しました。
半導体の本の中で、Pウエル、Nウエルがありその中にP+、N+があるとかいて
いました。このP+とPウエルまたN+とNウエルの違いというのはどういった
ものなのでしょうか?
また、僕の解釈ではP+、N+は導体、PウエルNウエルは絶縁体と解釈しているの
ですがあっているでしょうか?
また、そういった物質の性質に詳しいHPがあれば教えていただきたいと思います。

Aベストアンサー

いろいろホームページを探したのですがなかなか無いですね。
かなり長くなりますが・・・

まず、現在のCMOSはMOS-FETというトランジスタから構成されます。
そのトランジスタはP型トランジスタ、N型トランジスタの2種類があり、
これを直列または並列につなげることによって一つのゲートが作られます。
ゲートというのはインバータやAND、OR回路です。

P型トランジスタは、ゲート端子に0Vを印加すると
P+とP+の間にP-chができて導通します。
N型は5Vを印加するとN+とN+の間にN-chができて導通します。
P-chをつくるのは、基板となるSiがN型である必要があり、
逆にN-chはP型である必要があります。
現在のCMOSロジックLSIではP型トランジスタとN型トランジスタを組み合わせて
ゲートを作るため、Si基板を2つ用意しなければならないという状況に陥ってし
まいます。現状、寄生ダイオードが出来てしまう関係で、P基板を使うのが
主流となっています。しかし、P基板を使うとなると、P型トランジスタの形成
が出来なくなります。ここで、N-Wellという溝を掘って、N基板があるように見
せかけるのです。
このようにしてP型、N型の両トランジスタを両立できるようにしてます。

図があるとわかりやすいのですが、言葉であらわすとこんな感じです。

P、P+、N、N+は、下の方の回答のように不純物の濃さを表します。
P、Nが付けば、それは半導体です。
P-Well、N-Wellは電気の流れから見ればダイオードの逆方向の向きになるよう
作りこみますから、絶縁物と言っても良いかもしれません。

いろいろホームページを探したのですがなかなか無いですね。
かなり長くなりますが・・・

まず、現在のCMOSはMOS-FETというトランジスタから構成されます。
そのトランジスタはP型トランジスタ、N型トランジスタの2種類があり、
これを直列または並列につなげることによって一つのゲートが作られます。
ゲートというのはインバータやAND、OR回路です。

P型トランジスタは、ゲート端子に0Vを印加すると
P+とP+の間にP-chができて導通します。
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半導体製造工程に用いられる保護膜で酸化膜(もちろんチッ化膜が主だと思いますが)があるとおもいますが、熱酸化で作られた酸化膜とCVDで作られた酸化膜とは膜自体の性能といいますか、特性といいますか、やはり違うのですか?
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Aベストアンサー

前回答者と一部重複しておりますが、私の認識している範囲で。

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Aベストアンサー

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QRF(高周波)電源の原理

発振周波数13.56MHzの自励発振方式の高周波電源を用いてプラズマを発生させ、プラズマ重合というものにより薄膜を形成する実験を行っているのですが、自励発振方式、進行波、反射波、マッチングBOXなどわからないものが盛りだくさんです。高周波電源、RF電源で検索にかけてもヒットするものはなく、図書館でもキーワード「高周波電源」では本が出てこないです。高周波電源の原理に関する文献などありましたら紹介してください。よろしくお願いします。
(装置のマニュアルにも原理はありませんでした)

Aベストアンサー

No.2のymmasayanです。

「自励発振」という言葉と「高周波電源の原理」という言葉に惑わされて
的外れの回答をしてしまったようです。

発振方式には自励式と水晶式、PLL式などがあり、一方電源としては自励式と他励式が
あります。
同じ自励式という言葉でも意味がぜんぜん違います。発振周波数13.56MHzということは
水晶発振による自励式電源ですね。
ここでいう自励式電源とは発振回路を内蔵している電源のことです。
他励式というのは他の装置(発振回路)から信号をもらって増幅器だけを持つものを
いいます。

>高周波電源、RF電源で検索にかけてもヒットするものはなく

Googleで「高周波電源」で約1300件、「高周波電源 マッチング」で
約120件ヒットします。1例を参考URLに記載します。

「進行波、反射波、マッチング」は無線機とケーブルとアンテナに関するものが
詳しいと思います。又No.2の参考URLで紹介した書籍にも第1章に載っています。

少し難しいですが下記URL
http://www.mogami-wire.co.jp/paper/tline/tline-01.html
の 5. 定在波 6. リターンロスと反射損失
のところにも「進行波、反射波、マッチング」の話が載っています。

参考URL:http://www.thp.co.jp/rf_pro/matching.htm

No.2のymmasayanです。

「自励発振」という言葉と「高周波電源の原理」という言葉に惑わされて
的外れの回答をしてしまったようです。

発振方式には自励式と水晶式、PLL式などがあり、一方電源としては自励式と他励式が
あります。
同じ自励式という言葉でも意味がぜんぜん違います。発振周波数13.56MHzということは
水晶発振による自励式電源ですね。
ここでいう自励式電源とは発振回路を内蔵している電源のことです。
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Q半導体のウェットエッチングでDHFとBHFを同じ槽で処理は可能?

半導体のウェットエッチングで、DHFとBHF(BOE)を同じ槽で処理することは可能ですか?材質はPTFEです。液の交換では、純水で洗浄するぐらいですが・・・。

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また、(110)、(111)面のウェハでも方向指数がわかる方法はあるでしょうか?
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よろしくお願いします。

Aベストアンサー

Si単結晶のX線回折測定といっても色々な種類があります。
行いたい測定によって、必要とされる装置も異なってきます、メールからは読み取りにくいので一般論で書いてみます。

1、単純に今お手持ちのウエハの面方位を知りたいのでしたら、通常のXRDでも測定可能です。
管球がCuでしたら2θを、(100)でしたら69.2°(110)なら47.3°(111)なら28.5°に固定し、DSは出来るだけ細くして、RSとSSはOPENにして、θ単独スキャン測定を行います。
測定角度は上記2θ角の半分±5°位で良いと思います(例えば(100)なら29.6°~39.6°等)
設定した2θ角とサンプルの面方位が合っていればピークが得られますし、合ってなければピークは何も出ません。
ただしSiウエハには4°OFFという種類のウエハがあり、このタイプの場合サンプルを90°づつ回して測定しないと、ピークが得られない事があります。

2、例えば(100)サンプルを使用して、(110)や(111)の反射を測定したいということになりますと、サンプルをあおり方向や回転方向に動かさないと、ピークが得られませんので(軸たてと言います)、前後あおり回転方向に移動制御可能な試料ステージが必要になります。

3、(100)サンプルの(110)や(111)反射が、理論的にどの方向に出るかが判ればよろしいのでしたら、ステレオ投影図と言うものがあります、印刷されたものの他にフリーソフトなどもあるようです。

4、ウエハの結晶性やエピ層の評価をしたいとなりますと、通常のXRDでは無理で、薄膜測定専用の装置が必要になってしまいます。

5、Si半導体メーカーは、通常のXRDのような汎用機では無く、ラインのそれぞれの工程ごとに、専用のX線装置を何種類も持っていて、方位や角度ズレを測定をして管理しています。

Si単結晶のX線回折測定といっても色々な種類があります。
行いたい測定によって、必要とされる装置も異なってきます、メールからは読み取りにくいので一般論で書いてみます。

1、単純に今お手持ちのウエハの面方位を知りたいのでしたら、通常のXRDでも測定可能です。
管球がCuでしたら2θを、(100)でしたら69.2°(110)なら47.3°(111)なら28.5°に固定し、DSは出来るだけ細くして、RSとSSはOPENにして、θ単独スキャン測定を行います。
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