トランジスタインバータについて教えてください。
BJTスイッチング特性とは何ですか?
どういったものか教えてください。

労働省系の教育機関で電子技術を教えています。ですから、トランジスタ等の電子部品については知識があります。簡単で結構ですのでお教え下さい。
至急指導しなければならず、とても困っています。

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A 回答 (2件)

インバーターとの事なのでDC-DCインバーターでしょうか?(それともAC-ACインバーター?)



BJTとはバイポーラトランジスターつまり、2SA***,2SB***,2SC***、2SD***のことです。 BJTに対比するTrとしてFETがあります。

BJTのスイッチング特性で考慮すべき点は
コレクタ飽和電圧 Vces
コレクタ耐電圧 Vceo
最大コレクター電流 Icmax
安全動作領域 ASO (SB 二次ブレークダウン特性)
放熱抵抗 Rth
キャリア滅亡時間、少数キャリアによるカットオフ時のスイッチング特性

あたりを考慮し、そのスイッチング周波数に適したTrか否かではないでしょうか?

また、フライホイルダイオードとの相性もありそうです。
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この回答へのお礼

ご丁寧にありがとうございました。

バイポーラ型のトランジスタをBJTと呼ぶことを初めて知りました。
ちょっと、恥ずかしいです。

でも、お世話になりました。
どうもありがとうございました。

お礼日時:2001/02/14 05:51

専門外ですが、以下の参考URLサイトは参考になりますでしょうか?


「SPICEによるトランジスタ回路の設計」

http://vega.ence.kyushu-u.ac.jp/usr/jun/research …
(高速スイッチング素子(BJT、IGBTなど))
http://www.ibm.co.jp/oemj/97V3_N1/mn31008.html
(バイポーラ接合トランジスター(BJT))
http://www.osakac.ac.jp/labs/matsuura/japanese/l …
(bipolar transistorとMOSFETの相違点)
http://audiofan.net/faq/0010.html
(真空管アンプはトランジスターアンプより音が良いですか? FET はどうですか?)

補足お願いします。

参考URL:http://www.cqpub.co.jp/hanbai/eda/select16.htm
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この回答へのお礼

ありがとうございました。
バイポーラ型のトランジスタをBJTと呼ぶことを初めて知りました。
ちょっと、恥ずかしいです。

でも、お世話になりました。
どうもありがとうございました。

お礼日時:2001/02/14 05:48

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Aベストアンサー

IGBTの使い方はこの資料が詳しいです.
http://www.onsemi.jp/pub_link/Collateral/HBD871-D.PDF

何も書かれていないんですが,ここのp.374の図3双方向スイッチのような使い方をしたいんですよね.
逆阻止IGBTを使えばオン電圧が半分になるから,そちらが良いかも.
逆阻止IGBTはパワー半導体で有名なIXYSでも作ってます.
http://www.ixys.com/ProductPortfolio/PowerDevices.aspx
http://ixapps.ixys.com/DataSheet/IXRH40N120.pdf

2個逆直列にする場合は,上記図3双方向スイッチのようにコレクタを接続するのがほとんどで,エミッタを接続するのは見かけません.
スイッチング速度のものすごく遅い光MOSリレーではソースを接続しているのに不思議ですね.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=ja&pid=TLP220J
従って,
1.2組使っても良いんですが,コレクタ間に入れれば1組で済みます.
2.よくわかりませんが,やってみたらどうでしょう(無責任モードです).
3.IGBTの内蔵ダイオードはMOSFETと違って構造的にできる寄生ダイオードではありません.MOSFETの場合は遅すぎることもありますが,IGBTは回生用に内蔵されたものだから,使っても問題ないでしょう.

IGBTの使い方はこの資料が詳しいです.
http://www.onsemi.jp/pub_link/Collateral/HBD871-D.PDF

何も書かれていないんですが,ここのp.374の図3双方向スイッチのような使い方をしたいんですよね.
逆阻止IGBTを使えばオン電圧が半分になるから,そちらが良いかも.
逆阻止IGBTはパワー半導体で有名なIXYSでも作ってます.
http://www.ixys.com/ProductPortfolio/PowerDevices.aspx
http://ixapps.ixys.com/DataSheet/IXRH40N120.pdf

2個逆直列にする場合は,上記図3双方向スイッチのようにコレクタを接続するの...続きを読む

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(↓wiki)
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E9%9B%BB%E5%AD%90%E9%83%A8%E5%93%81
(↓goo)
http://oshiete.goo.ne.jp/qa/4242.html
ですが、電気部品がよくわかりません。
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Aベストアンサー

専門的に電子と電気の違いを考えると分かります。
電気は、交流の100Vや200V以上を主に取り扱うものを示します。
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Aベストアンサー

負荷による電圧降下を考える必要が有ります。
負荷が10Ωの抵抗だとすると、10Aの電流が流れると100Vの電圧効果が発生しIGBTにかかる電圧はゼロになります。(実際にはIGBTのVCE(sat)分が残ります。)
この場合は、10msで50Aまで流せる事になります。

ただし、これは単発のパルスの場合なので、実際の場合では次のような事を考える必要が有ります。
放熱が悪いとジャンクションの温度が上昇するので流す事の出来る電流は少なくなる。
負荷が純抵抗で無い場合にはリアクタンスの影響を考える必要がある。
例えば、負荷にコンデンサが含まれる時にはラッシュカレントが流れて規格をオーバーする場合が有ります。
負荷にインダクタンスが含まれる時にはリンギングが発生して電圧が規格をオーバーする事が有ります。
負荷が純抵抗だと思っていても、配線などが原因でリアクタンス分を含むので前述の事に注意する必要が有ります。


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例えば、
http://www2.tek.com/cmsreplive/psrep/13415/HighVoltageDef-Probe_51Z-11195-7_2012.08.30.19.34.34_13415_JA.pdf
このプローブに対応したオシロスコープで無い場合は「TPA-BNC型変換アダプタ」が必要になります。

負荷による電圧降下を考える必要が有ります。
負荷が10Ωの抵抗だとすると、10Aの電流が流れると100Vの電圧効果が発生しIGBTにかかる電圧はゼロになります。(実際にはIGBTのVCE(sat)分が残ります。)
この場合は、10msで50Aまで流せる事になります。

ただし、これは単発のパルスの場合なので、実際の場合では次のような事を考える必要が有ります。
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Aベストアンサー

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特性を知りたければ、製造メーカーの製品特性を
例えば
http://www.semic.sanyo.co.jp/

検索で、増幅  アンプなどと入力で探して見てください。

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上側アームを5u[sec]オン → 1m[sec]のデッドタイム → 下側アームを5usecオン → 1m[sec]のデッドタイム の繰り返し動作です。
負荷はトランスです。

上記のような回路でIGBTをドライブする場合には、どのような方法をとるべきでしょうか?
稚拙な説明でわかりづらいかもしれませんが、よろしくお願いします。


※利用するIGBTは入手のしやすさからRSコンポーネンツで販売されている
SKM 200GB176D
http://www.bjrtd.com/pdf/skm200gb176d.pdf
を考えています。

Aベストアンサー

No.1 tanceです。

高電圧の回路で能動素子を直列にするのは、すご~く難しい
ですよ。電圧を均等にかけることを考えると、とんでもない
無駄な電力を分圧抵抗に喰わせなくてはならず、とくに
高速では寄生容量に打ち勝つ抵抗を用意するのは至難の
技です。

そこで、パルスが短いことを利用して、高電圧のクランプを
するという考え方をお奨めします。極端な話、ツェナーで
高電圧がFETにかからないようにするわけです。実際は多少の
工夫が必要です。瞬間パワーが大きくなるのでZNRのような
素子を使う必要がありますが、これは寄生容量も大きいので
これを分離する方法を考えなくてはなりません。

とっておきの方法をお教えしましょう。(昔雑誌に発表
したのでご存じかもしれませんが)ZNRと直列に高耐圧の
ダイオードを入れるんです。ZNRは寄生容量が大きいことを
逆手に取って、ZNRを高圧の電池として使います。

なかなか詳しく説明すると大変ですが、さらに情報が必要
なら次は図を描かないと判りにくいでしょう。

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