ケミカルエッチングについて

硝酸を使ったケミカルエッチングを行っています。
単結晶の酸化亜鉛を使用していますが、
亜鉛面と酸素面によって削れるスピ－ドや深さは違いますか？

No.2 ベストアンサー 回答者： Umada 回答日時： 2001/02/16 17:42

質問はケミカルエッチングなんですからドライエッチングはズレているのではないでしょうか。

「レンブラント」に至っては画家であって、エッチングの研究者じゃないですし。
MiJunさん、あなた質問の趣旨が本当に分かってます?
的外れな回答を投げる一方で「補足要求」にチェックしたのでは質問者が余計困ってしまうだけですよ。

さて本題、亜鉛面と酸素面ではエッチングの挙動は異なると考えてよいと思います。
例えば、GaAsなどの化合物半導体のウェットエッチングでは面方位によっておよそ
　{110}>{111}B>{100}>{111}A
の傾向のようです。もちろん反応律速という条件が付きます。(生駒、河東田、長谷川「ガリウムヒ素」、丸善(1988))　また材料、エッチャント、エッチング条件によって多少の入れ替わりもあるでしょう。
上記の不等式を見るとGa面とAs面でかなり差異があるようですね。表面を覆っている原子の種類が違うということを考えればむしろ違って当然のようにも思えます。

酸化亜鉛の場合にどちらが速いかまでは私は知りませんが、いずれにしてもエッチング速度は違うと予測されます。
結果は少し実験をしてみれば簡単に分かりそうですね。

この回答へのお礼

詳しい解答ありがとうございました。
早速、硝酸エッチングをやってみたいと思います。

お礼日時：2001/02/18 01:13

No.1 回答者： MiJun 回答日時： 2001/02/16 06:22

直接的な回答ではありませんが、以下の参考ＵＲＬサイトは参考になりますでしょうか？

「材料プロセスの反応速度論」
HClガスのようですが・・・？
○http://www.t.u-tokyo.ac.jp/research/content/m.html
（化合物半導体ドライエッチングプロセスの反応機構解析）
これもHClガスのようですが・・・？

更に、以下の成書は如何でしょうか（内容未確認！）
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実用ドライエッチング技術／菅原実／リアライズ社／１９９２．７　
半導体ドライエッチング技術／徳山巍／産業図書／１９９２．１０　
レンブラントエッチング全集／Ｋ．Ｇ．ボーン［他］／三麗社／１９８１．２　
金属エッチング技術／ギュンター・ペツォー…［他］／アグネ／１９７７．９　
金属表面工業全書／１８／青谷薫∥〔等〕編／槙書店／１９７３　
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これらに記載がない場合は文献検索された方が良いと思いますが・・・？

ご参考まで。

参考URL：http://www2.sci.waseda.ac.jp/midas/REPORT/report …