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No.1
- 回答日時:
こんにちは。
下記は、学生さんの論文のようですが、
教科書のごとく、要点をきれいに整理しています。
http://www.kochi-tech.ac.jp/library/ron/2004/200 …
「2.1.3 バイアス電圧によるMOS 構造の状態変化」を参照してください。
(半導体がp型で、ゲート電圧が負になっていますが、ご質問のケースとは極性が違うだけで、話は同じです。)
以上、ご参考になりましたら。
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