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MOS-FETではゲートからドレイン&ソース側へ電流が流れる事は無いと認識しています。この性質を利用して下記のような使い方をされる事はあるでしょうか?

・2つの回路をMOS-FETを介して接続する。
・ゲート側回路(以下、G側回路)からドレイン&ソース側回路(以下 DS側回路)への電流の流入を無くす。
・ゲート電圧だけを利用してDS側回路へゲート電圧を印加する。

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A 回答 (2件)

>・2つの回路をMOS-FETを介して接続する。


ディスクリートのMOSFETはほとんど使われていませんが,IC内のMOSFETはアナログスイッチとして使われています.
http://japan.maxim-ic.com/products/switches/
なぜ,ディスクリートのMOSFETが使われていないのかとゆうと寄生容量が大きすぎて,交流的にはチャンとオフできないからです.
もちろん大電力を扱う場合はディスクリートのMOSFETを使います(APV1122 シリーズ).
http://www.mew.co.jp/ac/control/relay/photomos/w …

>・ゲート側回路(以下、G側回路)からドレイン&ソース側回路(以下 DS側回路)への電流の流入を無くす。
ゲート側回路(以下、G側回路)ではなくて,ゲート&ソース側回路(以下、GS側回路)が正しいです.
電圧の基準はソースですから.
GS側回路からDS側回路への電流Igd流入は,ここのゲート・ドレイン間電荷量Qgdを見るとわかるようにあります.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ …
ご存じだと思いますが,Qgd = ∫(Igd)dt です.

>・ゲート電圧だけを利用してDS側回路へゲート電圧を印加する。
私には,書かれていることが理解できません.
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この回答へのお礼

御回答ありがとうございました。勉強になりました。

御紹介の東芝のカタログには、電荷量がQg,Qgs,Qgdの3つ定義されていて、Qg=Qgs+Qgdなのですね。本当にたくさんのパラメータがありますね。カタログを読めるようになるだけでも大変そうです(汗)

お礼日時:2008/09/29 23:30

こんばんは。


LSIのことしか知らないので、それ関連だけを書きますね。

1.2つの回路をMOS-FETを介して接続する。

SRAMのメモリーセルは、フリップフロップと、
そのフリップフロップ2つのノードに各々接続されているn-MOSFETによって構成されています。
これらのn-MOSFETはスイッチの役割をし、
それらがONしたときに、信号の読み書きができるようになっています。

また、最も単純な例としては、DRAMのメモリーセルが挙げられます。
記憶の役割をしているのは1つのコンデンサですが、
それにスイッチのn-MOSFETが接続されており、
ONしたときに、信号の読み書きができるようになっています。


2.ゲート側回路(以下、G側回路)からドレイン&ソース側回路(以下 DS側回路)への電流の流入を無くす。

これについては、私はわかりません。


3.ゲート電圧だけを利用してDS側回路へゲート電圧を印加する。

DとSを短絡してGNDにつなぎ、コンデンサ(MOSキャパシタと呼びます)として用いることがあります。


以上、ご参考になりましたら。
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この回答へのお礼

御回答ありがとうございました。興味深く読ませて頂きました。

1.DRAMなどのLSIは、n-MOSFETやフリップフロップetcの組合せで作ら  れているんですよね…。LSIのような多数の素子を使用した回路の  設計をされている方は本当にすごいなと思います。

3.ゲートである金属部と半導体部をコンデンサのようにして使用する  ということでしょうか?色々な使い方があるんですね。

お礼日時:2008/09/29 23:15

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QNchMOSFETでソースからドレインに電流を流す

NchMOSFETの場合、ドレインが電源側でソースがグランド側で、
ゲート-ソース間に閾値電圧を印加すると、ドレインからソースに電流が流れると理解しています。
ただ、MOSFETは対称に出来ていて、ドレインとソースは逆にできると知りました。
以下のページにあるように、ソースからドレインに電流を流せるんですよね。
http://www.necel.com/ja/faq/f_fet.html#0301

この場合、ソースが電源側でドレインがグランド側になると思うのですが、
この場合もゲート-ソース間に電圧を印加するのでしょうか?
それとも、ゲート-ドレイン間でしょうか?

ある回路図で、NchMOSFETのドレインが接地されていて、ソースが電源につながっていました。この回路図の説明には、
「このFETを駆動するには、ゲート-ソース間に電源電圧+閾値電圧を印加する必要がある。」と記載されておりましたが、
理解できなくて、質問させていただきました。
この回路図の説明はあっているのでしょうか?

Aベストアンサー

元々のソースをドレインに読み換え、元々のドレインをソースに読み換えればいいです。

元々は、
ソースがGNDで、ゲートとドレインは、そのGNDに対して電圧を印加。

それを読み換えれば、
ドレインがGNDで、ゲートとソースは、そのGNDに対して電圧を印加
です。


「このFETを駆動するには、ゲート-ソース間に電源電圧+閾値電圧を印加する必要がある。」
のほうは、よく分かりませんが、
閾値電圧が異なるMOSFET同士の電流駆動能力を比較するとき、
通常、ゲート電圧は 電源電圧+閾値電圧 にします。
本来同じ駆動能力でも、同じゲート電圧を印加したのでは、閾値電圧が大きいほど電流が少なくなるというハンディがあるので、平等な比較にならないからです。
そのことと何か関係あるのではないでしょうか。


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