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シリコン(001)面上にErSi2ナノワイヤーを成長したものを多探針STMで電気導電測定を行った論文を読みました。
それによるとErSi2の電気抵抗値は1.2MΩ/nmとなっていたのですが、
金属にしては非常に高い値ではないかと疑問を持ちました。
この電気抵抗値は金属素材に由来するものなのか また ナノオーダーのサイズをもつためなのか? 
 なにか情報をお持ちの方よろしくお願いいたします。

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A 回答 (2件)

量子効果については、(元)経験者です。

最近は、ごぶさたです。

私は、直接、青野さんの論文を読んだわけではないのですが、以下のURLに青野さん(たぶん)のコメントがあります。ところで、論文内で、ディスカッションしてませんでしたか?

参考URL:http://www.riken.go.jp/r-world/info/release/news …
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この回答へのお礼

解答いただきありがとうございました。
参考URLを見させていただきました。理論値よりも高い抵抗値なんですね。以前、ナノワイヤーは抵抗値が高いとちらっと聞いたことがあったのですが、きっとこの研究の内容だと納得しました。

質問した段階では、論文のアブストのようなPDFファイルをインターネット上でみただけでしたので、論文を探して読んでみようと思います。

お礼日時:2003/01/20 07:00

論文中の電気抵抗値の単位は、MΩ/nmとなっていたのでしょうか?


通常、電気抵抗の単位はΩ、電気抵抗率はΩ・mです。
単位が正しいとすると、その単位はナノワイヤー1nm当たりの電気抵抗で、
通常の電気抵抗率(又は電気抵抗)にするにはナノワイヤーの断面積(+長さ)
が必要になります。
論文中には断面積の値が記載されていたでしょうか?
断面積が1nm^2とすると電気抵抗率は1.2×10^(-3)Ω・m程度ですから
シリコンと同レベル程度では?
(計算が間違っていたら、御免なさい)

この回答への補足

回答いただきましてありがとうございます。
まず単位のことですが、MΩ/nmでまちがいありません。
すると、断面積が必要になるのですか・・なるほど
断面積は1nm2-10nm2のようなので、おっしゃる程度の電気抵抗率になるようです。
論文にはシリコン基板より優先的に電流を流すとのべられているのですが、数値的には大きな違いはないということでしょうか。

補足日時:2003/01/16 18:15
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