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無安定マルチバイブレータは、2つのトランジスタをそれぞれTr1、Tr2とすると、Tr1のベース電圧が正になることでTr1のコレクタ電流が増加し、それによってTr2のベース電圧が0になりTr2がoffになる。(説明がおおざっぱすぎるかもしれませんが)これをTr1とTr2で交互に繰り返すことで発振するものだということはわかっているのですが、2つのキャパシタの働きがいまいちわかりません。

わかる人がいれば、できるだけ詳しく教えていただけるとありがたいです。回答よろしくお願いします。

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A 回答 (3件)

1,C1に+5V充電されていて、Tr1がONになった瞬間C1の+側が0Vになることで-側が-5Vになる。


Tr1を単なるスイッチにおきかえれば,R1は除去できて,R2とC1が直列になった回路でC1とTr2のベース・エミッタ間(ダイオード)が並列になっているようなものです.
C1は充電されていたのに,いきなり0Vと接続されてしまうのですから,いわばショートされたようなものですね.C1を電池として考えると
C1(+)=>GND=>電池(-)=>電池(+)=>R2=>C1(-)っていう感じの回路になって,これは2つの電池を輪につないで間に10kΩを挟んでいるようなものです.

2,Tr2がOFFになる。
このときTr2のベース電圧は・・っていうと最初は-5Vくらいまで下がりますけど,C1が放電されていくにつれて次第に電圧が上がってきます.
これがリンク先にあるB2-Eが斜めに上昇している部分のうち0Vより下の部分です.
C1が放電されきって端子間の電圧が0Vになっても止まらず,電池からR2を通して逆向きに充電されていきます.(空のコンデンサをR2と直列にして電池とつないだと考えてください)
これがB2-Eが上昇している部分のうち0Vより上側になっている部分です

充電が進むにつれてC1の-側(R2と繋がっている側)の電圧も上昇してTr2のベース電圧もあがってきます.

これでTr2のベースにほんの僅か電流が流れ始めます(完全にONというほどではない).するとトランジスタの増幅作用で大きなコレクタ電流が流れ,C2が放電,Tr1のベース電圧低下で一気にTr1がOFFします.

Tr1がOFFすると,Tr2のベース部分の回路はR1とC1の直列回路とR2が並列になったような状態になります.これでTr2のベース電圧もポン!と跳ね上がります.
これがB2-Eの電圧が斜めに上昇が終わったところにある,線が切れたように見えている部分です.

C1は0.6Vほどですが逆向き充電されているので,電池とC1が直列になったようになって,この瞬間のベース電圧はいつもより高くなりますし,その後もコンデンサが並列になったことで通常より少しベース電流が多めに流れるので,この間VBEも少し大きめになります.
波形を良く見ると線の切れた直後が,少し上から降りてくるような波形になっているのはこのためです.
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この回答へのお礼

わかりやすく説明していただきありがとうございました。

お礼日時:2009/08/01 21:31

>2つのキャパシタの働きがいまいちわかりません。


交互にTrの出力電圧の立下りの微分波形を相手側のTrのベースに伝え、コンデンサーに電荷がたまってくると、ベースの電位が上がってきて一定時間経つとTrをONにするベース電位に達して相手側のTrをONにし、相手側の出力が一気に低レベルになリます。それを相手側Tr出力の立下りはコンデンサーの微分回路を通してベース電圧を瞬時に低下させTrがOFFになります。
この繰り返しで、コンデンサーは微分回路としてTrの出力の変化を瞬時に伝える働きと、同時にゆっくりした充電でトランジスターのベース電位をコントロールして無安定マルチバイブレーターの発信周期の半分を交互に作り出しています。

詳細は参考URLの解説をご覧下さい。

参考URL:http://www.hi-ho.ne.jp/touchme/PDFFiles/MultiVib …

この回答への補足

回答ありがとうございます。

参考URLを見てみると、
1,C1に+5V充電されていて、Tr1がONになった瞬間C1の+側が0Vになることで-側が-5Vになる。
2,Tr2がOFFになる。
3,Tr1の-側の-5Vが、RB2を通じて0Vに向かっていく。
のはわかりました。ただ、この先がよくわかりません。
この後、Tr2がONになるということは、Tr2のベース電圧が正になるのですよね?ということは、上記の3でC1が充電(放電?)を行って0Vになった後も電圧が増えていくことになるのですか?そうなると、記号の-側が+側より電位が高くなってしまうと思うのですが。この先は、C1はどうなるのでしょうか?

説明が下手ですが、上記について回答よろしくお願いします。

補足日時:2009/07/30 00:51
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無安定マルチバイブレータのキャパシタはコレクタ側が


+→0になったときその反対側(他方のTRのベース側)に
+を伝えます。
これにより相手側ベース電圧が+になり、CRで定まる一定時間後
相手側TRが、オンになり今度はこちらのTRのコレクタ側が
+→0のなり発振します。

(コレクタ側が0→+でも負の電圧を相手側伝え先ほどの説明と
相乗効果となるのですが、ややこしくなるので省きました。)

この回答への補足

回答ありがとうございます。

参考URLの都合上、回答番号No.2に書かせていただきました補足について、よければ回答お願いします。

補足日時:2009/07/30 00:52
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Aベストアンサー

 
 
>> コンデンサ電荷の変化らしいのはわかった、 しかし交互というのがいまいち <<


 ↓これですね。
http://www.technologystudent.com/images4/multi2.gif


1.
 ↓弛張(しちょう)発振を理解するときの定番のモデルです。
http://www.suginami.ac.jp/club/pcc/hoshino/img/shishi.GIF
中央で静止しないわけは、流れ出す慣性のために重心移動の変化に即応できず、行き過ぎる(水の捨て過ぎと補充し過ぎ)るからです。チョロチョロ流し込む時間が振動の周期になってます。
これを二つ背中合わせにした↓が、マルチバイブレータのモデルです。
http://www.bousaihaku.com/bousaihaku2/images/announce/prevention/18_2.jpg
水は全部こぼれる=徹底した行き過ぎです。 これも下図のように重心移動してます。B側が下がるとBの水が全部こぼれ、Aに注水されるので重心がA側にじわじわ移動、やがてシーソーが反転します。
 |
 |        ┌→→●B
 |A●→→→→┘
  ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄変位
 |
 |     ┌←←←←●B
 |A●←←┘
  ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄変位
 一般に、動きに行き過ぎ(あるいはガタ)がある系なら何でもこのタイプの発振を起こせます。例えば電磁石ベルは鐘を打つハンマーの慣性質量とコイルのインダクタンス(電気的慣性)が共に行き過ぎ役を担当してます。



2.
 ↓回路図
http://tsystemselectronics.com/images/products/astable-multivibrator.jpg
http://www.mononagrove.org/mgonline/electronics%20stuff/talkingelectronics/Page%2017_files/Multivibrator-flash-complete.gif

( 余談ですが念のため; もともとFlipFlopはambiguousな日常語で自走マルチをも含意してます。なのでformalな表現では、端的に bistable circuit 双安定回路 と言います。 )
閑話休題。


 半分の図です。

  電 源 電 圧
  |    │  
  Rc    Rb↓ Rb電流が水チョロチョロ。
  |    |
  |    |   右トランジスタのベース。
  ├─C─┴─┐ ベースは整流器であり
  |       │ 電位は+側に上昇できない。
  \        ▽ しかしマイナス側に下が
  |       | るのは自由。
  ┷       ┷
左側のトランジスタ。
接地したり離したりしている。
上図は離れてるのでCはRcで充電される。
その充電電流はRc→C→ベース→グランド。
Rcは小さくしてあるので充電は素早くて
電位は 短時間に電源電圧まで上昇する。


  ↓ そのあと左トランジスタがオンすると、


  電 源 電 圧
  |    │  
  Rc    Rb↓ Rb電流は水チョロチョロ。
  |    |
  |    |   
  ├─C─┴─┐ ベースは整流器であり
  |       │ 電位は+に上昇できないが
  |        ▽ マイナス側に下がるのは
  |       | 自由。
  ┷       ┷
左トランジスタがオンすると、
(*)
コレクタの電圧が電源電圧からグランドに急降下す
るので Cを通じて 右のベース電位も同じく急降下する。
今までプラス電位ギリギリだったのがマイナス電位に
急降下するので右トランジスタはオフする。
その後、
ししおどしの水チョロチョロと同じく CはRbでチョロ
チョロ充電される。ベースの電位が回復すると今度は
右トランジスタがオンして 上記の(*)の所に戻り、
左右の立場が入れ替わって繰り返す。


 以上です、電子回路に慣れてない人にとっては、Cが縦になってないだけで もうワケワカかも知れませんが。




3.
上記の「電圧が急変化するとCを通じて反対側も同じ変化が…」の理由の説明。
キャパシタ両端の電位差 V と蓄積電荷量 Q は単純に比例関係です。
  V ∝ Q
時間微分して
  dV/dt ∝ dQ/dt = 電荷の変化速度
右辺はキャパシタを通り抜ける電流であることはおわかりと思います。
  dV ∝ (通る電流)dt  …(3.3)
式を 『 もし通る電流が一定な状況ならば、変化時間dtが小さいほど電圧変化dVは小さい 』 と読みます。
 これによれば、
トランジスタが急激にオンして急降下する電圧波形が キャパシタの片端に加わると (両端の電圧は殆ど変化しないので) 反対端にほとんど同じ急降下波形が現れる、となります。 その際の「通る電流」は 急降下電圧振幅と キャパシタの反対側に居るRbで決まります。 端的に言うと「キャパシタは変化分だけを通す、直流は通さない」です。


 ということで、
意外でしょうが この瞬間のキャパシタ電荷は殆ど不変ですので、電荷∝水量 のアナロジーは成り立ちません。そのアナロジーにこだわると正しい理解に至れませんので要注意です。
 「しし脅しの水量」に対応してるのは「キャパシタの電荷」じゃなくて「キャパシタ片側をグランド基準に見た電位」なのです。その正負に応じてトランジスタスイッチがオン/オフします。 また、「水が全部こぼれる行き過ぎ」に対応してるのは「ベースの電位が負に大きく急降下する」ところです。




4.以下余談

トランジスタのスイッチ動作は、
部屋の壁に付いてる電灯のスイッチに似てまして、
http://www.411homerepair.com/ideas/Electrical_Wiring/pic/wallSwitch.gif
http://eed.stef.teicrete.gr/labs/epsl/site%20pic/clipart_wallswitch.jpg
指で上下させる出っ張りがベースの電位のようなものです。
  グランドより上だと接点がつながる。
  グランドより下だと接点が離れる。
と、
単純なものです。


 発振回路のタイプは、
バネと質量の共鳴振動を利用する Harmonic Oscillator、
行き過ぎや弛(たる)みを利用する Relaxation Oscillator
に大きく二分されます。
前者の代表例は水晶。原子レベルの結晶格子の振動そのものではなくマクロな形状の共振です。
後者の和名は 弛張(しちょう)発振で、代表例がこのマルチバイブレータです。


 マルチバイブレータ回路は「最初の一撃」がないと動き始めません。それは電源の素早い立ち上がりです。もし電源電圧がゆっくり上昇すると起動しません。そのプロセスは;
 電源の上昇による d(電源電圧)/dt の電流がキャパシタを通って両トランジスタのベースに流れ込み、両トランジスタは普通のアンプの状態になります。こうなれる程度にベース電流がないと、つまり電源電圧変化が速くないと、起動できません。
 で、アンプなので両方とも相手から来たのを反転拡大して相手に渡します(コンデンサは変化するものはそれなりに通します)ので、些細な動きが加速的に拡大されて、大きな動き つまりどっちか片方が完全オンで他方が負けて完全オフになります。これが起動です。
 この「些細な動きの急拡大」は反転のたびに起きます。

 抵抗値が 十分に Rc<Rb であることも必要です。
そのわけは、オフ時の Rc充電が終わる前にオンになると コレクタ振幅が小さい。 続くRb充電の時間内に前回よりRc充電が不足だと、次回の振幅がさらに減り、やがて発振が止まってしまうからです。

 なお、「最初の一撃」が無くても立ち上がれる弛張型もあります。


 エレクトロニクス的な解説は検索すれば豊富にありますが不肖私の回答の中から;
↓周波数の詳細を話してたようで。
http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=692084&rev=1
↓「木を語るのか森を語るのか」
http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=1386547&rev=1
 
 

 
 
>> コンデンサ電荷の変化らしいのはわかった、 しかし交互というのがいまいち <<


 ↓これですね。
http://www.technologystudent.com/images4/multi2.gif


1.
 ↓弛張(しちょう)発振を理解するときの定番のモデルです。
http://www.suginami.ac.jp/club/pcc/hoshino/img/shishi.GIF
中央で静止しないわけは、流れ出す慣性のために重心移動の変化に即応できず、行き過ぎる(水の捨て過ぎと補充し過ぎ)るからです。チョロチョロ流し込む時間が振動の周期になってます。
これを二つ背中合...続きを読む

Q非安定マルチバイブレータのR1,R4について…

この質問を見てくださった方、ありがとうございます。
非安定マルチバイブレータを使って発振回路を作りたいのですが、
R1,R2,R3,R4を、全て1kΩ、
C1,C2どちらも0.47µF
で、回路を組んだのですが、全く周波数が現れません。
それどころか、3Vの入力も、数mVでしか出てきません。

トランジスタは2SC1815です。
R1とR4の値が間違っているのでしょうか。
どなたか教えてください!!><

Aベストアンサー

回答NO.5の続きです。

コレクタの抵抗R1とR4を100Ωに小さくした時の回路図とシミュレーション結果を添付します。

 添付図の波形を見ればベース電圧がマイナスの値から0.7V程度まで上昇するより大分前にコレクタ電圧は電源電圧の3Vに達していることが分かると思います。その結果、コレクタ電圧のピークが少しずつ下がる現象も起きません。結果安定に発振が継続します。

追記>ここではコレクタ抵抗R1とR4を1/10に小さくしましたが、逆にベース側の抵抗R2とR3を10倍にしても対策になります。この場合、コンデンサC1とC2は1/10にしないと発振周波数が同じにはなりません。

Qマルチバイブレータのパルスについて

単安定マルチバイブレータ(コレクタ・ベース結合)のパルス式

τ=0.7CR

があります。これの由来?何故この様な式になるのかがわかりません。詳しく教えて頂ければ幸いです。

Aベストアンサー

 
 
 (以下はマルチバイブレータの過去回答からの抜粋改編です。)


 マルチバイブレータの単段。回路的には固定バイアス方式のコンデンサ結合増幅回路ですが、大振幅のスイッチング動作をします。 単安定型では右側トランジスタのコレクタから左側Trのベースに直流的に(単に抵抗で)結ばれます。 無安定型では図と同様のコンデンサとRbによって結ばれます。


      ┯     ┯Vcc
      |     |
      Rc     Rb  
      |     |   C…
      C──C─┴──B
     …B          E
      E           ┷
       ┷

(図が折り返らないように画面幅を広くして見てください。)


..................................................................... Vcc
   ↑
   |
 Vcc-Vbe
   |
   |                Vbe(on)約0.65V
 _↓___          __↓
........↑..........│......................../..................グランド
   |     │      /    ↑
   |     |     /
Vcc-Vce(s) |    / 
   |     | /   Vccに向かって指数変化 
   ↓     |/   時定数τ=CRb





 左側の駆動役のトランジスタのコレクタ波形は、オフではVcc、オンではVces(sは飽和)ゆえ、振幅はVcc-Vcesです。 この振幅がコンデンサを素通り的に渡って右側トランジスタのベースを負に引き下げます。べースは今までオンしていた電圧 Vbe(0.65V程度)であったのが、そこから急激に負に振られます。
その直後からRb経由で充電が始まります。コンデンサの充放電の式は、お馴染みの
  V=Vo・exp(-t/τ)
です。(*)
初期値Voに相当する電圧は、充電の最終到達値はVccなので それとの差を図から読めば簡単です。
  Vo = Vcc-Vbe + Vcc-Vces = 2Vcc-(Vbe+Vces)
です。
右トランジスタのベースが再びオンになる電圧は、これも最終値Vccから測って Vcc-Vbe ゆえ、これらを充放電の式に入れると、
  Vcc-vbe=(2Vcc-Vbe-Vces)・exp(-t/τ)
となります。
この式を満たすtが、トランジスタがオフしてるパルス幅です。それをtwと書くと

  exp(-tw/τ)=(Vcc-Vbe)/(2Vcc-Vbe-Vces)
  tw =τlog{(2Vcc-Vbe-Vces)/(Vcc-Vbe)}
logは自然対数。
単安定の場合はこれがそのまま出力パルスの幅です。
無安定の場合の周波数は
  f=1/(2tw)

 ところでシリコンの小信号Trでは Vbe≒0.65V、Vces≒0.2V 程度です。古風な12V電源とか5V電源の場合はこれらをゼロとした近似式がよく用いられます。すなわち。
  tw≒τlog(2)
  f≒1/( 2τlog(2) )



(*)
これがコツ。
最終状態から測れば、式は常に exp(-t/τ)になるのです。
(1-exp(-t/τ))は使わなくともよいのです。




↓抜粋もと
http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=692084&rev=1
 
 

 
 
 (以下はマルチバイブレータの過去回答からの抜粋改編です。)


 マルチバイブレータの単段。回路的には固定バイアス方式のコンデンサ結合増幅回路ですが、大振幅のスイッチング動作をします。 単安定型では右側トランジスタのコレクタから左側Trのベースに直流的に(単に抵抗で)結ばれます。 無安定型では図と同様のコンデンサとRbによって結ばれます。


      ┯     ┯Vcc
      |     |
      Rc     Rb  
      |     |   C…
...続きを読む

Q無安定マルチバイブレータ

非安定マルチバイブレータについて勉強中なのですが、これはコンデンサの特徴だと思うのですが、コンデンサが充電された状態で、+側の電圧が0になったとき、ベース電圧がマイナスの電位から始まるのはなぜですか?それと、このLED点滅回路の仕組みを初心者に分かりやすく教えてください。

回路は↓のような感じです。
http://www.cqpub.co.jp/hanbai/PDF/34481/3448_8syo.pdf


本当に困っています。よろしくお願いします。

Aベストアンサー

 
 
>> -5Vから充電されてスレッシュホールド電圧の0.7Vになったら、相手のトランジスタがONになるということでいいのでしょうか?これだと、ー5Vになる=放電であるということになると思うのですが <<

 帰ったら素早いレスが付いてて驚きました!(数日放置が普通なのでw )
コンデンサの両端電圧に着目して語ると、おっしゃる通り -5V から 0V まで「放電」してから引き続き +0.7V に「充電」され、反転過程では保存され、反転後はコレクタ抵抗経由で充電され…となります。
 一方、「回路の振る舞い」を話すとき、電圧が(1-exp(-t/τ)的に上がる波形や操作を「充電」、exp(t/τ)的に下がる波形や操作を「放電」と形容することが少なくありません。(充放電とはコンデンサの事だと決めてしまうと conflict するでしょうが。) お示しのpdfの文もこの用法で「充電」と書いてたので私もすんなり書きました、通じてなかったらご免なさいです。今後この分野の資料を読むときの参考にしてください。(専門用語は専門的になるほど素朴な意味から拡張=別な意味や逆の意味をも吸収合併=することが多いです。 数学で引き算を途中から「負の数を足す」と言うようにですね。)
 
 

 
 
>> -5Vから充電されてスレッシュホールド電圧の0.7Vになったら、相手のトランジスタがONになるということでいいのでしょうか?これだと、ー5Vになる=放電であるということになると思うのですが <<

 帰ったら素早いレスが付いてて驚きました!(数日放置が普通なのでw )
コンデンサの両端電圧に着目して語ると、おっしゃる通り -5V から 0V まで「放電」してから引き続き +0.7V に「充電」され、反転過程では保存され、反転後はコレクタ抵抗経由で充電され…となります。
 一方、「回...続きを読む

Q計算値と理論値の誤差について

交流回路の実験をする前に、ある回路のインピーダンスZ(理論値)を計算で求めたあと、実験をしたあとの測定値を利用して、同じ所のインピーダンスZ(計算値)を求めると理論値と計算値の間で誤差が生じました。
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Aベストアンサー

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教えてください<(_ _)>

Aベストアンサー

>理論値はtw≒0.7CRで計算しました。

この式を見ていると、コンデンサと抵抗の部品による誤差も考えられますが、発振周期が短くなると言うほかの原因も考えられます。
参考URLの2ページ目、図8-1をご覧ください。理想的な動作波形があります。そして、右側の図8-2の実測波形と比べてみてください。
どこが違うでしょう?
ベース・エミッタ間電圧VBEが、理論では-5Vとなると言っていますが、実測値では、-4V程度です。これは、トランジスタのVBEやVCE、ダイオードの電圧降下をゼロとして近似しているからだと思います。
図8-1の一番下、VBE2の波形を見てください。
図中の(B)の位置が-5VでそこからτB=C1RB2の放電が始まっています。しかし、実際は-4Vから放電しますから、図中(C),(D)の幅が短くなります。逆のトランジスタも同様ですから、発振周期が短くなります。

参考URL:http://www.cqpub.co.jp/hanbai/PDF/34481/3448_8syo.pdf

Qコレクタ-ベース間の電流について。

無安定マルチバイブレータの実験をしたのですが、分からないことがあります。
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 NPNトランジスタで、コレクタからベースに流れる電流は、Teleskopeさんの回答にもあるように、Icboがあります。これはPN接合の逆バイアス漏れ電流みたいなもので、印加電圧や温度の影響を受けます。小信号トランジスタでは、最悪値で 1μA というようなレベルです。
 Icboは、コレクタからベースに流れるので、バイアス回路にもよりますが、その何割かはベースからエミッタに流れ、ベース電流になります。従って、これを直流電流増幅率 hFE 倍した電流が、コレクタエミッタ間に流れ、トランジスタのバイアス動作点を変動させます。つまり、直流アンプや交流アンプの基準動作点を変動させる原因の1つです。しかし、無安定マルチバイブレータの回路は、フルスイングのスイッチングをする回路なので、このような動作点の変動はほとんど問題になりません。双安定マルチバイブレータなら、スレッショルドレベルにいくらかの変動を与えるかも知れませんが、コレクタ電流を 0.1mA 以下で設計しない限り、ほとんど問題にならないでしょう。

 一方、NPNトランジスタで、ベースからコレクタの方向に流れる電流というのも考えられます。しかし、ベースからコレクタに直流電流が連続して流れるとしたら、それは明らかに回路がおかしいのであって、問題外です。しかし、見かけ上これに少し似たような現象があります。
 バイポーラトランジスタをスイッチング動作させる場合、充分なベース電流を流してコレクタを飽和させます。小信号トランジスタでは、コレクタエミッタ間電圧は 0.2V 位になります。ベースエミッタ間電圧は 0.7V 位なので、コレクタよりベースの方が電圧が高くなります。だからと言ってベースからコレクタに電流が流れているわけではありません。ただし、過剰なベース電流の一部が、コレクタベースの接合面に余剰キャリアとなってして蓄積されます。そのため、ベース電流を切ってトランジスタをオフさせても、余剰キャリアが吸い出されるまではコレクタ電圧が上昇しない現象が生じます。これを蓄積時間 ts と言います。小信号トランジスタで、特にスイッチング用に作られていないものでは、1μS 前後になることもあります。従って、無安定マルチバイブレータの発振周波数を100kHz位で設計していれば、この影響が出て発振周期が長めになることがあります。

>>小さなトランジスタになればなるほど顕著にあらわれる
というのは、よくわかりません。Icboにしても、蓄積時間にしても、大きなトランジスタの方が一般的に大きくなります。もちろんそれなりに回路を設計するので、影響が大きいかどうかは別問題ですが。

 NPNトランジスタで、コレクタからベースに流れる電流は、Teleskopeさんの回答にもあるように、Icboがあります。これはPN接合の逆バイアス漏れ電流みたいなもので、印加電圧や温度の影響を受けます。小信号トランジスタでは、最悪値で 1μA というようなレベルです。
 Icboは、コレクタからベースに流れるので、バイアス回路にもよりますが、その何割かはベースからエミッタに流れ、ベース電流になります。従って、これを直流電流増幅率 hFE 倍した電流が、コレクタエミッタ間に流れ、トランジスタのバイア...続きを読む

Q電圧増幅度の出し方

入力電圧と出力電圧があってそこからどうやって電圧増幅度を求めるんですか?
電圧増幅度を出す式を教えてください

Aベストアンサー

増幅回路内の各段のゲイン、カットオフを求めて、トータルゲイン及びF特、位相
を計算するという難しい増幅回路の設計にはあたりませんので、きわめて単純に
考えればいいですよ。

電圧利得(A)=出力電圧/入力電圧

となります。

これをデシベル(dB)で表すと

G=20LogA(常用対数)

で計算できます。

ご参考に。


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