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間接遷移半導体の吸収係数α、試料の厚さX(cm)、この試料に入射光Ioを入れると入射光は半導体中で変化し、I=Io×Exp(-αX)のような式が成り立つそうですが、これは直接半導体や絶縁体でもなり立つのでしょうか           

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A 回答 (1件)

通常「均質」な物質では全て成り立ちます。


光の減衰の微分方程式をつくると解がこの形になります。
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