出産前後の痔にはご注意!

こんにちは。お世話になります。。
では唐突ながらお尋ねします。

★熱処理(拡散)で処理するデポとドライブインについてなのですが、
不純物を混入する工程で
アニールで満遍なく・・

★縦型炉より横型炉のほうが温度が高くなる性質がある・・

★横型炉にウエハを入れる場合、時間をかけないとウエハ自体、変形してしまう。

★高純度の石英ガラスを使う・・

ということを専門書で知りました。
ご存知の方
くわしくご教授おしえてくださいませ。。

A 回答 (1件)

詳しくは説明できませんが・・・。



デポジッション:所定の不純物濃度をシリコン表面に付着させる工程。
ドライブイン:所定の不純物分布と拡散深さを得るための工程。
ですよね。つまりデポで不純物の量を決定し、ドライブインで拡散深さを決める。

初期は横型を使用してました。理由は処理枚数の多さとウェハーは垂直配置の為、自重による応力にも強かったため。しかし、大気の巻き込みや炉内雰囲気や断面灼熱の制御の困難性がネックとなり、改善の為に縦型が開発されました。ロードロックシステムを採用し、大気の巻き込みを防止し、石英チューブとボードの間隔の縮小でコンパクト化が可能になりました。しかし、ウェハー保持を端部の3,4点で支持するために応力を受けやすく、低温化で改善を進めている。ゆえに横型の方が高くなると言うよりも、横型を低くしないと影響を受けやすいからだと思います。

また高純度の石英ではなく、低純度の石英の場合、雰囲気で反応してしまうからだと思います。
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この回答へのお礼

ご教授ありがとうございました!

お礼日時:2003/11/13 13:45

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Aベストアンサー

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
・になります。ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるための指数表記のことですよ。
・よって、『2.43E-19』とは?
 2.43×1/(10の19乗)で、
 2.43×1/10000000000000000000となり、
 2.43×0.0000000000000000001だから、
 0.000000000000000000243という数値を意味します。

補足:
・E+数値は 10、100、1000 という大きい数を表します。
・E-数値は 0.1、0.01、0.001 という小さい数を表します。
・数学では『2.43×10』の次に、小さい数字で上に『19』と表示します。→http://ja.wikipedia.org/wiki/%E6%8C%87%E6%95%B0%E8%A1%A8%E8%A8%98
・最後に『回帰分析』とは何?下の『参考URL』をどうぞ。→『数学』カテゴリで質問してみては?

参考URL:http://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%9B%9E%E5%B8%B0%E5%88%86%E6%9E%90

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
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Aベストアンサー

いろいろホームページを探したのですがなかなか無いですね。
かなり長くなりますが・・・

まず、現在のCMOSはMOS-FETというトランジスタから構成されます。
そのトランジスタはP型トランジスタ、N型トランジスタの2種類があり、
これを直列または並列につなげることによって一つのゲートが作られます。
ゲートというのはインバータやAND、OR回路です。

P型トランジスタは、ゲート端子に0Vを印加すると
P+とP+の間にP-chができて導通します。
N型は5Vを印加するとN+とN+の間にN-chができて導通します。
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P+とP+の間にP-chができて導通します。
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Q化合物半導体の用語で『リセス』の意味を教えて下さい。

はじめまして。化合物半導体業界で使われています用語で『リセス』って言葉があると思いますが、これは何を指しているのですか?ゲートの周りをエッチングする事を『リセス』と言うのですか?それは、何の為にするのでしょうか?

Aベストアンサー

わたしもWEBで調べただけなので、「自信無し」ですが、「ソースとドレイン間の溝」と書いてあります。
RECESS:休憩、奥まったところ、くぼみ

もう一つの参考URLもどうぞ。
http://www.toshiba.co.jp/tech/review/1996/07/f02/ff02z1_j.htm

これはおまけですが、綴りが書いてありました。
http://www2s.biglobe.ne.jp/~m_nori/

参考URL:http://www.nec.co.jp/japanese/today/newsrel/9505/1102.html

Q半導体製造工程の酸化膜について

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Aベストアンサー

前回答者と一部重複しておりますが、私の認識している範囲で。

酸化膜 Siの中に酸素が拡散していくわけであり、良好なSiO2/Si界面をつくります(現在のMOSトランジスタの主流)。原子量比Si:O=1:2の理想的な酸化シリコンになりやすい。そして高温で形成されることから緻密。耐薬品性も良好(フッ酸によエッチング速度もCVDより遅い)。

CVD Si:O比は成膜条件に大きく依存。よって未結合の手も多数あり。その他の原子(反応ガスに含まれるH等)も多量に入る。すなわち欠陥の多い膜。したがってMOS用絶縁膜には向かない(でもTFT-LCDでは、その低温形成の特徴からMOSトランジスタに使われています)。耐圧も熱酸化より悪い。また保護膜で用いられる場合はアルカリ金属のブロックの目的でリンを混ぜた酸化シリコン(PSG)を使うことが多いと思います。

Qロードロックとはなんですか?

論文を読んでいたら、装置の名前の一部に「ロードロック」というのがでてきました。
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教えてください。

Aベストアンサー

 その論文の詳細が分かりませんので、間違っていたら
ごめんなさいね。

 ロード(道)をロック(閉める)装置の一般
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よると思ますが。

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 このパイプの中には外部から操作できる
小さな気密開閉扉(ロードロック)があります。

 サンプル交換用チャンバーにサンプルを入れ、
前のサンプル蒸着中に真空度を上げておきます。

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チャンバーに移すといった具合です。
 

QなぜSiプロセスではポリシリコンゲートを用いるのか

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現在のSi集積回路では、ゲートにポリシリコンを利用して
いるようですが、将来的にはメタルゲートが有望のようです。
そこで質問なのですが、なぜポリシリコンをゲートに用いるのでしょうか?
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なぜSiプロセスでは、ポリシリコンが登場しているのでしょう。
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ご教授いただけると幸いです。
どうぞ宜しくお願いします。

Aベストアンサー

ゲートを形成した後にも熱をかけたり酸化したりするプロセスがあるからです。ポリシリコンはこれらの後処理に対して金属と比較すると一般に安定なので、後処理に対する制約が少ないのです。 

ただし、ポリシリコンの弱点は比抵抗が高い事で、この弱点を克服するために高融点金属とのシリサイドが使われるようになりました。さらには高融点金属をそのまま使う事ができれば抵抗は下がりますが、この場合は後工程の処理に特別な配慮が必要です。

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調べているのですが分かりません、、

0.5slm= ? Pa・m3/s
= ? Pa・m3/h
= ? Pa・L/s

ご教授願います。

Aベストアンサー

slm てのは初耳なので、調べてみました。
"slm 単位" で google して、
最初にヒットしたサイトが ↓ です。
http://www.arios.co.jp/library/p8.html
標準状態の気体でリットル/分 のことみたいですね。

標準状態とは、1 気圧 0 ℃ のことですが、
1 気圧は 101325 Pa (参考↓) なので、
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E6%A8%99%E6%BA%96%E6%B0%97%E5%9C%A7

0.5 slm = 0.5・101325 Pa・L/min
= ((0.5・101325)/1000)/60 Pa・m^3/s = 0.844375 Pa・m^3/s
= ((0.5・101325)/1000)・60 Pa・m3/h = 3039.75 Pa・m3/h
= (0.5・101325)/60 Pa・L/s = 844.375 Pa・L/s
ただし、0 ℃下での話です。

Qリフトオフプロセス

リソグラフィ関連の話で、リフトオフプロセスという言葉がでてきました。
レジストに関する言葉のようですが、正確な意味がわからないので教えていただきたいです。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

リソグラフィー(あるいはフォトリソグラフィー)とは半導体集積回路などの製造工程において、ウェハ(基板)表面に2次元パター
ンを形成する方法ですが、リフトオフ・プロセスとはフォトリソグラフィー工程の一種です。
通常、フォトリソグラフィーと言うと、次の工程を指し示します。

(1)基板上にレジストを塗布する(普通、適度にベイクさせた後、基板を高速回転しながらレジスト液を滴下し、均一に基板表面に
 塗布します。また塗布後、レジストと基板との密着性を高めるために加熱処理します)。
(2)マスクやレティクルを利用して露光する(パターンが印刷されているマスクを基板に近接させて、光を当てる。レジストは光が
 照射された部分のみ化学的に変質します)。
(3)現像および加熱処理(現像液によって変質したレジストを溶かします。所望のパターンに沿ってレジストを溶かしたことになり
 ます。その後加熱処理を行います)。
(4)エッチングなどを行う(ここで例えばエッチャントなどに浸けると、レジストの無い部分の基板のみがエッチングされ、基板上
 にパターンに沿った段差を形成することができます)。
(5)剥離する(最後にレジストを剥離液などで除去します)。

さて、リフトオフとは、上記の(4)の後に、金属蒸着を行う場合などに利用されます。上記(4)の後、次のようにします。
(5')蒸着する((4)でエッチングをしたとき、エッチャントが段差の側面をも溶かし(サイドエッチと言う)、レジストによって
 ヒサシができます。このヒサシが重要です。このヒサシのお陰で、レジスト上に蒸着された金属膜とエッチングされた部分に成膜
 された金属膜とを断絶できます。またこのとき、金属を蒸着するとき、レジストを一種のマスクに使っていることになります)。
(6')剥離する(最後にレジストを剥離液などで除去。そのとき、レジスト上の金属膜も一緒に取り除かれます)。
このようにすると、蒸着された金属はちょうど(4)でエッチングされた部分に入り込む形で残ります。パターンに沿った金属膜が形成
できるわけです。
「リフトオフ」という言葉は、多分、最後の(6')の過程で、レジスト上に余分に成膜された金属膜を、レジストが持ち上げて(lift)
取り除く(off)、ということから出来た言葉です。文章では分かりにくいと思うので、上記の工程を絵にしてみます。

(1)
■■■■■■■■■■レジスト
□□□□□□□□□□基板
□□□□□□□□□□

(2)
↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓光
▲▲▲▲▲↓↓▲▲▲マスク
■■■■■■■■■■レジスト
□□□□□□□□□□基板
□□□□□□□□□□

(3)現像 
■■■■■  ■■■レジスト
□□□□□□□□□□基板
□□□□□□□□□□

(4)エッチング
 エ ッ チ ャ ン ト 
■■■■■  ■■■レジスト
□□□□____□□基板
□□□□□□□□□□

(5)蒸着
◎◎◎◎◎  ◎◎◎金属膜
■■■■■  ■■■レジスト
□□□□_◎◎_□□基板
□□□□□□□□□□

(6)レジスト除去(これがリフトオフ)

□□□□_◎◎_□□
□□□□□□□□□□出来上がり

こんな絵で上手く伝わるか心配ですが、もし何かわからないことがありましたら、補足をお願いします。

リソグラフィー(あるいはフォトリソグラフィー)とは半導体集積回路などの製造工程において、ウェハ(基板)表面に2次元パター
ンを形成する方法ですが、リフトオフ・プロセスとはフォトリソグラフィー工程の一種です。
通常、フォトリソグラフィーと言うと、次の工程を指し示します。

(1)基板上にレジストを塗布する(普通、適度にベイクさせた後、基板を高速回転しながらレジスト液を滴下し、均一に基板表面に
 塗布します。また塗布後、レジストと基板との密着性を高めるために加熱処理します)。
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Q単結晶シリコンの結晶方位

単結晶シリコンウエハは片面鏡面や両面鏡面のものがあります。また、その一部には、結晶方位をそろえるための(オリエンテーション)フラットやノッチというものがつけられています。
そこまではわかるのですが、それはどの方向についているのでしょうか?ケースを見ても軸が<100>などと書かれていますが軸って何でしょうか?
できれば、教えていただきたいです。
参考になるサイトなどがあればURLでも結構です。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

こんにちは

通称「オリフラ(Orientation Flat)」なんて言います
基板メーカーのよってどの向きにオリフラを切ってあるか
またはその基板の面方位によっても大きく違うと思います
自分の使用している基板メーカーのHPなどが参考になるかと

大体オリフラは基板表面の面方位(→(100)面とか)に対して
直交する二つの方位を選ぶものです(オリフラが二つあるある場合)
基板面方位が<100>なら<0-11>と<0-1-1>とか
じゃあなぜわざわざ方位の目印を付ける意味があるかというと
その上に何かを堆積した時に異方性が出たりする場合があるからです
ある方位にのみ長く伸びた構造ができるなどなど・・・

結晶軸に関しては教科書に任せます(そっちの方が詳しいので)

Q半導体製造プロセスの「洗浄 DIW」ってなに

半導体の製造プロセスの勉強をしているんですけど、
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Aベストアンサー

DE-IONIZED WATERです。

純水のことです。

通常、半導体の洗浄では各種薬品を用いて処理した後に、純水で処理します。一般の水を用いますと、不純物が多く含まれているため、乾燥時に乾燥不良となります。


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