No.3ベストアンサー
- 回答日時:
ANo.1,2 です。
>なぜ順方向に電圧をかけたらいけないんでしょうか?
接合型FETの場合、正のVgsを印可するとゲート電流が流れて素子を破壊してしまうのです。
接合型FETは構造的にデプレッション型となり、ゲートに電流を流さない逆バイアスで使用する素子なのです。
FETを理解しよう。 J-FET <図2-2> 参照
http://www.cqpub.co.jp/toragi/TRBN/trsample/2003 …
No.2
- 回答日時:
ANo.1 です。
>接合型FETで逆方向電圧をかけるのは、ゲートに電流を流さないためなんでしょうか?
接合型FETの動作範囲はVP-VGS=0 の範囲で、+側のバイアスは掛けないのです。
『ゲートに電流を流さないため・・・』と考えるより、動作点が「負の電圧をかけなければならない」範囲であると考えてください。
FETの特性(VGS-ID特性);を参照ください。
No.1
- 回答日時:
>なぜ、MOSFETでは、「分圧」するのに、接合型FETは「分圧」しないのでしょうか?
質問の「分圧」の部分の解釈ですが、多分ゲートバイアスの部分で「分圧」と表現されていると判断します。
接合型FETは、デプレッション型でIDSS以上の電流は流せないので、+側のバイアスはかけないのです。
バイアス回路を-側しか掛けていないので、「分圧」しないと表現されているのでは?と判断します。
Nチャネル・MOS-FETの場合は、デプレッション型とエンハンスメント型がありますが、IDSS以上に電流が流せるので、普通のNPNトランジスタと同じように使うことができるということです。
実際にNPNトランジスタをNチャネル・MOSFETでそのまま置き換えてしまっても動く場合は多いです。
このバイアス回路を見て「分圧」と表現されていると判断します。
以下のサイトの説明が違いを理解し易いと思います。
JFET、MOSFET(エンハンスメント、デプレッション)、それぞれの違い
http://www.nahitech.com/nahitafu/mame/mame1/fet. …
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