どなたか教えていただけませんか??
電気電子工学科のトランジスタの実験レポートです。
今回、電気電子工学科の実験で、トランジスタを用いた回路を組み、さまざまな値を測定、計算して導出する。
といったことをやりました。そのレポートで、
考察
実験に用いたバイアス点は規格表のものと異なる。規格表の2つの図面を組み合わせて考えること。
といった考察がありました。
先生のヒント曰く、規格表 hパラメータ-Ic hパラメータ-Vce を用いて、各値を補正して導出する。
らしいのですが、、、
これが全くわかりません。どなたか教えていただけませんか??
実験で使用したトランジスタが、TOSHIBA 2SC1815Y npn形
規格表は、リンク先です、http://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/websear …
求める値は、hパラメータの hfe hie です。
実験から得られた値は、Vce=4.86[V] Ic=4.14[mA] それぞれ、コレクタ電圧 コレクタ電流 です。
お願いいたします。
当てはめるだけでは、
hパラメータ-Ic より hfe=195 hie=1.5*10^3
hパラメータ-Vce より hfe=185 hie=2.2*10^3
と、値が二つ出てきます。
これは、Vce=12V Ic=4.14mA のときと Vce=4.86V Ice=2mA のときの値ですよね??
この考察では、 Vce=4.86V Ice=4.14mA のときの値を出したいのですが。。。
No.3ベストアンサー
- 回答日時:
hパラメータ-IC特性-----条件が VCE=12V で実験時のVCE=4.86Vの条件と異なる。
hパラメータ-VCE特性----条件が IC=2mA で実験時のIC=4.14mAの条件と異なる。
手順>>
1) hパラメータ-IC特性で ICの値が実験で得られた値 IC=4.14mA と hパラメータ-VCE特性で使われている条件の IC=2mA それぞれのICの値でのhfeおよび、hieの比を以下のように読み取る。
hfe hie
@IC=4.14mA: 195 1.5kΩ
@IC=2mA : 180 2.5kΩ
IC=2mAの時
の値に対する
4mAの時の値の 195/180 1.5/2.5
倍率K:
2) hパラメータ-VCE特性で 実験で得られた VCE=4.86V での hfeおよび hieの値を読み取る。
@VCE=4.86V:hfe=185 hie=2.2kΩ
これらの値は条件がIC=2mAなので、1)で求めた倍率kを用いて以下のようにIC=4.14mAの値に換算します。
hfe=185×(195/180)= 200
hie=2.2kΩ×(1.5/2.5) = 1.3kΩ
これが補正結果となります。
No.2
- 回答日時:
実験回路は、電源電圧12Vでコレクタ負荷は抵抗ですか?定電流電源ですか?
ベース電流が測定されていなければ、 hfe・hieは計算できません。
また、規格表は3ページのhパラメータ-Ic 表から「Y」を選んだだけでは近似値が読めるだけです。
>これは、Vce=12V Ic=4.14mA のときと Vce=4.86V Ice=2mA のときの値ですよね??
f=270HzのACパラメータ特性で、多少実験回路と異なります。
>この考察では、 Vce=4.86V Ice=4.14mA のときの値を出したいのですが。。。
IbでIce=4.14mA を割れば、Vce=4.86V 時のhfeが計算できます。
Vceの印加電圧とTr素子の発熱で多少変化します。
規格表は、リンク先が不正ですので下記を参照ください。
2SC1815 hFE (1)Y: 120~240
http://akizukidenshi.com/download/2sc1815-y.pdf
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