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調べてみてもCVD法がよくわからずに困っています。
どのようなシステムで蒸着をするのか、すみませんが教えてくれませんでしょうか。
mixing zone、deposition zone、などが具体的にどこをさしているのかもよくわかりません。

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A 回答 (2件)

CVD法(化学気相成長法)は基板の上に薄膜を作る手法のうちのひとつです(他に蒸着法、スパッタ法などがあります)。


他の手法との違いは「薄膜の原料としてガスを用いる」「基板表面で化学反応を起こす」といった点です。

例えば、SiH4ガスを用いてガラス基板の上にアモルファスシリコン薄膜を作る場合の(おおざっぱな)手順は以下の通りです。
(1)装置の中にガラス基板を入れる
(2)装置内部を真空にする
(3)基板を加熱しながら、装置の中に原料SiH4ガスを流す。
ガラス基板表面で化学反応(SiH4→Si+2H2)が進行し、Si薄膜が得られる。
(この「化学反応を起こして薄膜を作る場所」が「deposition zone」です)
(4)ガスを止めて、装置から基板を出す

また、原料ガスとして、2種類以上のガスを混ぜて用いることもあります。
例えばSiH4ガスにB2H6ガスを混ぜることがあります(微量のホウ素が導入されたシリコン薄膜が得られます)。
このような場合、deposition zoneに導入する前に原料ガスを均一に混ぜる必要があります。
この「混ぜるための部位」が「mixing zone」になります。


なお、ひとことでCVDと言っても、実際には様々な分類があります(上記の例は極一部に過ぎません)。
「deposition zoneの圧力による分類」、「化学反応をさせるためのエネルギー源による分類」、「原料による分類」などです。たとえば以下をご覧ください。
尾池工業(株) CVDとは
http://www.oike-kogyo.co.jp/dry-coating/making/c …
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混合層とか堆積層と思いました。

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