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タングステンと鉛の半価層の値、X線に対する断面積の値を知りたいのですが、どのような資料を見たらよいのか教えて下さい。なかなか見つけられず困っています。

A 回答 (3件)

前の回答訂正。



タイトル:International Tables for X-ray Crystallography
VolumeC
編 : A.J.C. Wilson
出版:Kluwer Academic Publishers / Dorddrecht /Boston/London

でした。CuとかMoなど代表的なターゲットの特性X線について、質量吸収係数および散乱断面積のテーブルがあります。

例えば、
Total photon interaction cross section (barns/atom)

Cu k-α線で
W:5.13×10^4
Pb:7.98×10^4
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http://www-cxro.lbl.gov/optical_constants/
で、物質の透過率が、エネルギー範囲10eV~30keVまで、計算できます。

散乱断面積については、
International Tables for X-ray Crystallography, Volume1
にいくつかのエネルギー、CuとかMo等の特性X線、について、書いてあったような気がしますが。。。今、手元にないので、未確認。
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とりあえず、stomachmanのノートをお送りしましょう。



linear attenuation coefficient at monochromatic energy E (Rutherford):
μ(E) = (σp(E)+σe(E)+σs(E))ρe
photoelectoric effect :σp(E) = 20.64 (E^-3.28)(Zeff^3.62)
coeherent scatter : σs(E) = 20.0(E^-2.02)(Zeff^1.86)
compton effect (Klein-Nishina): σe(E) = φ0(3/4)[((1+r)/(r^2)){2(1+r)/(1+2r)-(log(1+2r))/r}+ (log(1+2r))/(2r) - (1+3r)/((1+2r)^2)}
where φ0=0.6652 x(10^-24)[cm^2/electron], r = E/0.511
Effective atomic number (Mayneord): Zeff = {Σ ai (Zi^2.94)}^(1/2.94)
where Zi: 元素iの原子番号, ai : 物質の全電子数に対する元素iの電子数の割合.
単一の化合物から成る被写体では, ai = Zi / Σ Zi
複数の化合物から成る被写体で,化合物の組成比が変動する場合,
化合物jの組成比を Rj とし,化合物 j の分子中の元素iの数をNijとすると
化合物j中の元素 i に関する電子数はnij = Zi Nij
物質全体の中の元素 i に関する電子数は Σ Rj nij
物質全体の電子数は ΣΣ Rj nij
であるから  ai =Σ Rj nij / ΣΣ Rj nij = Σ Rj Zi Nij / ΣΣ Rj Zi Nij
μ(E) = (σp(E)+σe(E))ρe
であるが,コンプトン散乱se(E)は物質の質量数と関係がなく,電子密度で決まる.質量当たりの電子密度は原子番号が大きいほど低くなる.
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