微結晶ダイヤモンドというのがあるそうですが、
普通のダイヤモンドと微結晶ダイヤモンドでは
何が違うんでしょうか?

このQ&Aに関連する最新のQ&A

A 回答 (2件)

微結晶と言うのがどう言うものを指されているのかが不明ですが、ロシアで製造されているダイヤでは5nmの単結晶のものも存在します。


一般的には100nm以上のダイヤモンドが市販品として流通しています。(国内においてダイヤモンド製造メーカーもあります)
普通のダイヤと微結晶ダイヤとの違いは粒の大きさが違うだけで物理的にはまったく同じです。工業用ダイヤは用途により様々な品種(形状別、硬度別等)に分かれています。

この回答への補足

回答ありがとうございます。

僕が何でこんな質問をしたかというと
今ラマン分光の勉強をしていて、それによると
1332cm-1(カイザー)にピークを持つと立方晶ダイヤモンド、
1150cm-1にピークを持つと微結晶ダイヤモンドを示すということでした。

ラマン分光の原理を勉強した限りでは微結晶だろうがなんだろうが
ダイヤなら同じところにピークが出ると思ったので、
普通のダイヤと微結晶ダイヤで何か違うのかなと思ったのですが
回答いただいたように物理的に同じだとすると
ラマンで違うところにピークが出ることが理解できません。

ラマンにも詳しければ教えていただきたいのですが。

補足日時:2001/05/21 18:19
    • good
    • 0

合成ダイヤモンドでは、分子配列が連続な部分(結晶質)と不規則な部分(非晶質)


とが両方含まれているそうです。

一般に結晶を成長させる場合、時間をかければかけただけきれいな(連続性のよい)
ものが得られます。合成ダイヤは天然のものと比べて有限の時間をかけて成長させるため
どうしてもある程度以上の連続性(大きさ)は得られないのではないでしょうか?

参考
化学辞典/東京化学同人

この回答への補足

回答ありがとうございます。

ということは...つまりどういうことなんでしょうか。
すいません、理解力不足で。

人工ではある程度以上の連続性は得られず
微結晶のものしか得られないということですか?

僕が何でこんな質問をしたかというと
今ラマン分光の勉強をしていて、それによると
1332cm-1(カイザー)にピークを持つと立方晶ダイヤモンド、
1150cm-1にピークを持つと微結晶ダイヤモンドを示すということでした。

ラマン分光の原理を勉強した限りでは微結晶だろうがなんだろうが
ダイヤなら同じところにピークが出ると思ったので、
普通のダイヤと微結晶ダイヤで何か違うのかなと思ったのですが
回答いただいたように物理的に同じだとすると
ラマンで違うところにピークが出ることが理解できません。

ラマンにも詳しければ教えていただきたいのですが。

補足日時:2001/05/21 22:21
    • good
    • 0

このQ&Aに関連する人気のQ&A

お探しのQ&Aが見つからない時は、教えて!gooで質問しましょう!

このQ&Aを見た人が検索しているワード

このQ&Aと関連する良く見られている質問

Q微結晶、ガラス、アモルファスの違いは?

微結晶、ガラス、アモルファスの違いは何でしょうか?直感的には、より短範囲規則状態に近付くように思うのですが定義も含めてどのように違うのか、また分析方法としてはどのような手法があるのかなどについて教えて下さい。よろしくお願いします。

Aベストアンサー

ガラスとアモルファスの定義において明確な差はないものと思います。ですから,人によって,アモルファスと言ったり,ガラスと表現していると理解しています。
微結晶は,その名の通り,微細結晶構造の周期性があるわけですから,粉末X線回折で結晶格子の面間隔に応じた回折パターンが得られます。これに対し,ガラス,アモルファスでは,ハローパターンと呼ばれる明瞭な回折ピークのない,低角度でブロードな回折図形が観察されます。
ガラス,アモルファスともに準安定状態ですから,再加熱によって,結晶化が起りやすくなります。
さて,アモルファスであるシリカゲル粉末に,結晶である石英の粉末を混ぜた混合物は,結晶質でしょうか?非晶質でしょうか?結晶質と非晶質は連続的に変化することが可能で,明確な境界はありません。したがって,その物質のどの特徴を活かすか(非晶質性を活かすならアモルファス)で呼び方がかわってくるもの推測します。

Q電位の低い所と、電位の高い所では、何が違うのでしょう

A地点とB地点があって、A地点のほうがB地点より電位が高かったとします。 このときA地点とB地点では原子レベルでみて何が様子に違いが見られるのでしょうか? 尚、A地点とB地点は同じ物質でできているとします。

Aベストアンサー

電位は単独では意味を持ちません

何らかの基準が有って、それと比較して電位差としたとき意味を持ってきます

ですから、質問は

A(B)地点を基準にしたB(A)地点の電位差が持つ意味になります

基準地点を0としてB(A)地点を見れば様子の違いがお判りでしょう

質問の補足に関してですが
どんなに高い抵抗を介してでもAとBを接続すれば、両地点の電位差を無くすように動きます
電位差が解消するまでの時間は抵抗に依存します

Q熱処理すると結晶性?結晶配合?が良くなるというのはどういうことでしょうか?

タイトルの通りなんですがどなたか分かりやすいご説明願います。何故熱処理すると結晶性がよくなるのでしょう。結晶方向が揃うってきくんですが意味が(どうなる&どうしてそうなるのか)よくわかりません。よろしくお願いします

Aベストアンサー

アニールしても、結晶全体の結晶性が向上するとは限りません。
熱エネルギーによって、固相の原子が動き、原子配列が整う可能性はありますが、同時に結晶欠陥(転位等)も動きます。
粒界は巨大な結晶欠陥です。
ここに粒界内部の欠陥が動くと、集まってきます(引力があるわけではなく、確率的にという意味です)。
巨大な欠陥の方が動きにくいのです。
もちろん粒界に欠陥が集中すればするほど、エッチングされやすくなります。
また、転位同士が合体することもあります。
この場合は転移が巨大になり、積層欠陥などに発達する可能性もあります。
熱処理では転位等はなくならないというのが一般的な理解ではないかと思います。
但し、合体すれば転位密度は低下するので、結晶性が部分的には向上する可能性があります。
合体すれば数が減りますが、その合体して巨大化した転移が用途に対して望ましいかどうかで熱処理が有効とされるかどうかが決まります。
つまり合体前は転位密度が高いですが、合体後は転位密度は下がります。
しかし、合体前は各転位は相対的に小さいですし、合体後は相対的に大きくなります。
どちらがより望ましいかは用途によるのではないかという意味です。
また、表面を少し溶融させ、再結晶化させると、運がよければ結晶品質が改善するかもしれません。
なお、点欠陥については、ある割合で存在する方が結晶のエネルギーが低下するため、アニールはほとんど効果がないと思います。

アニールしても、結晶全体の結晶性が向上するとは限りません。
熱エネルギーによって、固相の原子が動き、原子配列が整う可能性はありますが、同時に結晶欠陥(転位等)も動きます。
粒界は巨大な結晶欠陥です。
ここに粒界内部の欠陥が動くと、集まってきます(引力があるわけではなく、確率的にという意味です)。
巨大な欠陥の方が動きにくいのです。
もちろん粒界に欠陥が集中すればするほど、エッチングされやすくなります。
また、転位同士が合体することもあります。
この場合は転移が巨大になり、積層...続きを読む

Q静電場と静磁場て何がどう違うんですか?

現在、電磁気の勉強をしているのですが、どうしても静電場と静磁場の、相違点と類似点が分りません。
テキストを見ても、基本法則とその導出過程が示されているだけで、具体的なイメージがわかずに困っています。
どなたか簡単に教えていただけませんでしょうか。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

静電場も静磁場も、力が距離の2乗に反比例するという点は、全く同じです。
(重力もそうです。)

唯一違う点は、電場の元となるプラスあるいは電荷(の粒)は、一人ぼっち(単独)で存在することができますが、磁場の元になる単独の粒は存在しないということです。
どんなにミクロで見ても、NとSとが対になっている姿しか見えず、Nだけ、あるいはSだけという磁気の粒はないのです。
(専門的になるかもしれませんが、下記リンクの式1aがそうです。)
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%9E%E3%82%AF%E3%82%B9%E3%82%A6%E3%82%A7%E3%83%AB%E3%81%AE%E6%96%B9%E7%A8%8B%E5%BC%8F

Q単結晶シリコンの結晶方位

単結晶シリコンウエハは片面鏡面や両面鏡面のものがあります。また、その一部には、結晶方位をそろえるための(オリエンテーション)フラットやノッチというものがつけられています。
そこまではわかるのですが、それはどの方向についているのでしょうか?ケースを見ても軸が<100>などと書かれていますが軸って何でしょうか?
できれば、教えていただきたいです。
参考になるサイトなどがあればURLでも結構です。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

こんにちは

通称「オリフラ(Orientation Flat)」なんて言います
基板メーカーのよってどの向きにオリフラを切ってあるか
またはその基板の面方位によっても大きく違うと思います
自分の使用している基板メーカーのHPなどが参考になるかと

大体オリフラは基板表面の面方位(→(100)面とか)に対して
直交する二つの方位を選ぶものです(オリフラが二つあるある場合)
基板面方位が<100>なら<0-11>と<0-1-1>とか
じゃあなぜわざわざ方位の目印を付ける意味があるかというと
その上に何かを堆積した時に異方性が出たりする場合があるからです
ある方位にのみ長く伸びた構造ができるなどなど・・・

結晶軸に関しては教科書に任せます(そっちの方が詳しいので)


人気Q&Aランキング

おすすめ情報