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半導体(ダイオード)において、電極とSiの間に接触抵抗が生じるらしいのですが、その接触抵抗を測定するにはどのような方法を用いればいいんですか?教えてください。

A 回答 (1件)

ダイオードがp-nジャンクションダイオードだとします。


Siと電極との間の接触抵抗だけでなく、ジャンクションからちょっと(数ミクロン)離れたところから電極までの間の抵抗(バルク抵抗)もあります。この二つを分離して外部から測定することは困難でしょう。
このバルク抵抗と電極への接触抵抗を加えたものを測定するアイディアとしては、ジャンクションの整流特性を理想的な指数関数と仮定して、V-I特性のプロットから、指数関数とのずれを求める方法が考えられます。
この方法は、ショットキーダイオードでは、整流特性が指数関数ではなくなるので当てはまりません。

近似的な方法としては、順方向に大電流を(そのダイオードの定格いっぱいくらい)流して、微分抵抗(V-I特性の傾きの抵抗)を求めると、ほぼジャンクション以外の部分の抵抗成分になると考えられます、が・・・。
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この回答へのお礼

ありがとうございました。これでなんとかレポートができそうです。

お礼日時:2001/05/29 11:29

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