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下図のようなHブリッジセルにおけるキャパシタ電圧が3kV程度のとき、各IGBTの定格はどのように設計すればいいのでしょうか?
この場合は4.5kVもしくは、6kV程度が適切ではないかと思うのですが

どなたかご教授よろしくお願いします

「素子定格の設計について」の質問画像

A 回答 (1件)

ここの「3. ディレーティングの考え方と方法」に説明があります。


http://www.semicon.toshiba.co.jp/shared/reliabil …
一般には、「電圧: 絶対最大定格の80%以下」で使用していますが、
要求信頼度で決定されるので、素子メーカーから信頼性データを戴いて決定されたらどうでしょうか?
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