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素子定格の設計について

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  • 質問者：shikaru15
  • 質問日時：
  • 回答数：1件

下図のようなHブリッジセルにおけるキャパシタ電圧が3kV程度のとき、各IGBTの定格はどのように設計すればいいのでしょうか？
この場合は4.5kVもしくは、6kV程度が適切ではないかと思うのですが

どなたかご教授よろしくお願いします

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A 回答 (1件)

No.1ベストアンサー

  • 回答者： bogen555
  • 回答日時：

ここの「3. ディレーティングの考え方と方法」に説明があります。


http://www.semicon.toshiba.co.jp/shared/reliabil …
一般には、「電圧: 絶対最大定格の80%以下」で使用していますが、
要求信頼度で決定されるので、素子メーカーから信頼性データを戴いて決定されたらどうでしょうか？
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